在硅衬底上变温生长InAs/GaSb超晶格红外探测器GaSb缓冲层的方法技术

一种在硅衬底上变温生长InAs/GaSb超晶格红外探测器GaSb缓冲层的方法，其具体步骤如下：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长AlSb薄层；步骤3：在AlSb薄层上低温生长GaSb薄层；步骤4：停顿5-10min；步骤5：在GaSb薄层上高温生长GaSb缓冲层；步骤6：在GaSb缓冲层上生长外延层；步骤7：对生长结束后材料进行降温处理，完成在硅衬底上生长红外探测材料GaSb缓冲层的制备。本发明专利技术通过在较低温度下生长GaSb薄层，可有效限制外延层与衬底由于晶格失配产生的位错，减少高温下生长的GaSb缓冲层中的缺陷密度，提高外延层质量，具有广阔应用前景与技术优势。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种在硅衬底上变温生长InAs/GaSb超晶格红外探测器GaSb缓冲层的方法，其特征在于所述方法具体步骤如下：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长AlSb薄层；步骤3：在AlSb薄层上低温生长GaSb薄层；步骤4：停顿5‑10min；步骤5：在GaSb薄层上高温生长GaSb缓冲层；步骤6：在GaSb缓冲层上生长外延层；步骤7：对生长结束后材料进行降温处理，完成在硅衬底上生长红外探测材料GaSb缓冲层的制备。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭瑞芹，矫淑杰，李洪涛，赵连城，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23