本实用新型专利技术公开了一种变频器母排结构，其包括母排一、母排二、母排三、绝缘纸、电解电容及IGBT模块；所述母排一与母排二及母排三上下平行设置，所述母排二与母排三位于同一水平面上；所述绝缘纸设置在母排一与母排二及母排一与母排三之间；所述电解电容为一对以上，其中一个位于母排三上，另一个连接母排二及母排三；所述IGBT模块设置在母排二上；所述母排一上设置有与电解电容及IGBT模块配合的通孔；所述母排一、母排二及母排三均为导电材质制成。优点是：本实用新型专利技术的母排一、母排二及母排三采用导电材质制成，而无需再用电线连接，这样能有效降低电压尖峰的产生，防止其对IGBT模块造成损坏。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种变频器母排结构，其包括母排一、母排二、母排三、绝缘纸、电解电容及IGBT模块；所述母排一与母排二及母排三上下平行设置，所述母排二与母排三位于同一水平面上；所述绝缘纸设置在母排一与母排二及母排一与母排三之间；所述电解电容为一对以上，其中一个位于母排三上，另一个连接母排二及母排三；所述IGBT模块设置在母排二上；所述母排一上设置有与电解电容及IGBT模块配合的通孔；所述母排一、母排二及母排三均为导电材质制成。优点是：本技术的母排一、母排二及母排三采用导电材质制成，而无需再用电线连接，这样能有效降低电压尖峰的产生，防止其对IGBT模块造成损坏。【专利说明】变频器母排结构
本技术属于变频器内部部件
，尤其是涉及一种变频器母排结构。
技术介绍
目前，电解电容与IGBT模块为变频器上的重要电器元件；现有的变频器线路板上的电解电容及IGBT模块都是通过走线结构来进行连接的，这种走线结构会让母线P端和N端产生电感，容易产生相当大的电压尖峰，电压尖峰过大会对IGBT模块造成损坏；还有就是这种走线结构散热性较差，容易对元件的工作造成影响；因此有必要予以改进。
技术实现思路
本技术的目的是针对上述现有技术存在的不足，提供一种变频器母排结构，它具有结构简单、在工作过程中不会产生过大的电压尖峰让模块能稳定的工作且散热效果也较佳的特点。 为了实现上述目的，本技术所采用的技术方案是:一种变频器母排结构，其包括母排一、母排二、母排三、绝缘纸、电解电容及IGBT模块；所述母排一与母排二及母排三上下平行设置，所述母排二与母排三位于同一水平面上；所述绝缘纸设置在母排一与母排二及母排一与母排三之间；所述电解电容为一对以上，其中一个位于母排三上，另一个连接母排二及母排三；所述IGBT模块设置在母排二上；所述母排一上设置有与电解电容及IGBT模块配合的通孔；所述母排一、母排二及母排三均为导电材质制成。 所述制成母排一、母排二及母排三的导电材质为铜。 所述绝缘纸为一体式结构。 采用上述结构后，本技术和现有技术相比所具有的优点是:本技术的结构简单，母排一、母排二及母排三采用导电材质制成，这样在电解电容及IGBT设置好后即能进行电传递，而无需再用电线连接，这样能有效降低电压尖峰的产生，防止其对IGBT模块造成损坏；而且采用这种母排结构相比原有的走线结构其散热效果更佳，提高工作稳定性；绝缘纸能绝缘电解电容的正负极，防止短路现象的发生。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术的平面结构剖视图。 图2是本技术的母排一的结构示意图。 【具体实施方式】 以下所述仅为本技术的较佳实施例，并不因此而限定本技术的保护范围，下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。 实施例，见图1和图2所示:一种变频器母排结构，其包括母排一 10、母排二 20、母排三30、绝缘纸40、电解电容50及IGBT模块60。母排一 10上设置有与电解电容50及IGBT模块60配合的通孔11，便于安装；母排一 10、母排二 20及母排三30均采用具有导电功能的铜材制成，当然了，也可以采用其它具有导电性能的金属材质来制成，比如铝，其同样能达到相似的效果。母排一 10与母排二 20及母排三30上下平行设置，母排二 20与母排三30位于同一水平面上，这种结构设置方便电气元件的安装。所述的电解电容50为一对以上，一般情况下采用两对；每对中的其中一个位于母排三30上，另一个连接母排二 20及母排三30 ;而绝缘纸40设置在母排一 10与母排二 20及母排一 10与母排三30之间，且绝缘纸40为一体式结构；所述的IGBT模块60设置在母排二 20上；这种结构设置能让电解电容50及IGBT模块60无需走线连接，不但有效降低电压尖峰的产生，而且还具有良好的散热效果，达到保护IGBT模块60的效果；而绝缘纸40能绝缘电解电容50的正负极，防止短路现象的发生。【权利要求】1.一种变频器母排结构，其特征在于:包括母排一(10)、母排二(20)、母排三(30)、绝缘纸(40)、电解电容(50)及IGBT模块(60);所述母排一(10)与母排二(20)及母排三(30)上下平行设置，所述母排二(20)与母排三(30)位于同一水平面上；所述绝缘纸(40)设置在母排一(10)与母排二(20)及母排一(10)与母排三(30)之间；所述电解电容(50)为一对以上，其中一个位于母排三(30)上，另一个连接母排二(20)及母排三(30);所述IGBT模块(60)设置在母排二(20)上；所述母排一(10)上设置有与电解电容(50)及IGBT模块(60)配合的通孔(11);所述母排一(10)、母排二(20)及母排三(30)均为导电材质制成。2.根据权利要求1所述的变频器母排结构，其特征在于:所述制成母排一(10)、母排二(20)及母排三(30)的导电材质为铜。3.根据权利要求1或2所述的变频器母排结构，其特征在于:所述绝缘纸(40)为一体式结构。【文档编号】H05K7/20GK204258647SQ201420732456【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年11月27日 优先权日:2014年11月27日 【专利技术者】彭华斌 申请人:浙江德弗电气技术有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种变频器母排结构，其特征在于：包括母排一(10)、母排二(20)、母排三(30)、绝缘纸(40)、电解电容(50)及IGBT模块(60)；所述母排一(10)与母排二(20)及母排三(30)上下平行设置，所述母排二(20)与母排三(30)位于同一水平面上；所述绝缘纸(40)设置在母排一(10)与母排二(20)及母排一(10)与母排三(30)之间；所述电解电容(50)为一对以上，其中一个位于母排三(30)上，另一个连接母排二(20)及母排三(30)；所述IGBT模块(60)设置在母排二(20)上；所述母排一(10)上设置有与电解电容(50)及IGBT模块(60)配合的通孔(11)；所述母排一(10)、母排二(20)及母排三(30)均为导电材质制成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：彭华斌，
申请(专利权)人：浙江德弗电气技术有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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