本发明专利技术公开了一种抗辐射防龋消炎的口腔药物组合物及其制剂，属于口腔药物制剂技术领域。以质量份数计，包括100～500份的白扁豆提取物，100～2000份的葡萄籽原花青素提取物，300～3000份的茶多酚，0.01～0.1份的表皮生长因子EGF，10～200份的玉洁纯及2～6份的六氟硅酸铵。本发明专利技术公开的口腔药物组合物及其制剂具有持久抗菌效果，能够长时间附着在牙齿或口腔表面，形成保护膜，温柔呵护口腔，而且口感良好，对人体安全。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种抗辐射防龋消炎的口腔药物组合物及其制剂，属于口腔药物制剂
。以质量份数计，包括100～500份的白扁豆提取物，100～2000份的葡萄籽原花青素提取物，300～3000份的茶多酚，0.01～0.1份的表皮生长因子EGF，10～200份的玉洁纯及2～6份的六氟硅酸铵。本专利技术公开的口腔药物组合物及其制剂具有持久抗菌效果，能够长时间附着在牙齿或口腔表面，形成保护膜，温柔呵护口腔，而且口感良好，对人体安全。【专利说明】一种抗辐射防龋消炎的口腔药物组合物及其制剂
本专利技术属于口腔药物制剂
，具体涉及一种抗辐射防龋消炎的口腔药物组 合物及其制剂。
技术介绍
人体在受到一定剂量的电离辐射作用后不仅在受照射当时可以出现早期急性效 应，而且在受照若干年后甚至更长时间才出现远期效应。电离辐射对人体细胞内的水分 子及生物分子如蛋白质的作用有特别重要的意义，其中水分子的电离和激发（ionization and excitation)产生自由基，而自由基是引起有机分子的放射损伤的主要原因。另外，电 离辐射可引起细胞分裂延迟（division delay)改变及细胞死亡。由辐射产生的生物效应包 括直接作用（direct action)和间接作用（indirect action)。直接作用是福射线自身或其 生成的二次粒子直接作用于分子所造成的效应。例如用X射线照射生物体，将能量转给某 个二次电子后，此电子再造成靶分子的游离，产生活性的游离基（free radical)，该游离基 化学性质很活泼，结合至生物体内氢原子以外的原子，即可能造成所结合分子的变性，进而 产生生物效应。间接作用是辐射线自身或由其生成的二次粒子，先作用于介质分子（例如 水分子）上，使之成为化学性质活泼的产物（例如自由基、过氧化氢、水合电子等），此产物 再继续作用于分子形成的效应。间接作用可受福射敏感剂（radiosensitizer)或福射保护 剂（radioprotector)增强或减弱，直接作用则不易改变。引起的细胞损伤分3类：（1)致死 性损伤（lethal damage)不可逆的导致细胞死亡；（2)亚致死性损伤（sublethal damage) 正常情况下几小时内修复；（3)潜在致死性损伤（potentially lethal damage)，在一定条 件下损伤可修复。电离辐射队细胞损伤后的修复可分3个水平：（1)组织水平修复，即未受 损的细胞在组织中再植；（2)细胞水平修复，即由于改变照射后细胞的环境条件或分割，细 胞的存活增高；（3)分子水平的修复，即通过细胞内酶系的作用使受损伤的DNA分子恢复完 整。 引起放射性黏膜损伤的主要射线是X线、β线及γ线。X、β线穿透能力强，除 黏膜外，黏膜下组织、腺体，甚至骨骼也受损，有时产生溃疡长期不愈。β线损伤浅，治疗容 易，只要处理得当，预后多数较好。此外，产生相同黏膜损伤所需的吸收剂量不同。γ线损 伤黏膜吸收剂量较大，β线则较小。因为γ线的穿透能力强，电离作用小，传给黏膜的能 量也小，部分能量消耗在深层组织。而β线的电离作用强，黏膜吸收的能量也多。有相当 一部分X或γ线黏膜损伤合并有放射性病，使观察和治疗更为困难。慢性放射性黏膜损伤 的临床表现：有较长的潜伏期，病情有明显的潜在性、进行性、反复性和持续性等特点。放射 性口腔黏膜炎初始为口腔粘膜红肿，随后出现毛细血管反应性扩张，局部充血、红斑、糜烂、 溃疡、假膜覆盖，严重者合并粘膜广泛萎缩和局部感染。常感口腔粘膜不适、口干、口臭，甚 至持续难忍的疼痛感。放射线除直接损伤口腔黏膜外，并使放射野内的微血管发生肿胀， 管壁增厚，管腔变窄或闭塞，出现受损部位供血不足，发生口腔黏膜炎。口干症是以腮腺为 主的涎腺长期受照后出现腺泡和导管损伤，导致分泌量减少，随之唾液成分改变，口腔环境 发生变化以及菌群失调。口腔内环境变化使得对细菌防御能力降低，变形链球菌和乳酸菌 等细菌繁殖导致龋齿发生，甚至出现大面积急性放射性龋齿。同时受辐射后的正常牙齿牙 颈部釉质出现脱矿现象，釉质灶性微孔增多、加深及釉质裂隙的出现，使口腔中的细菌和酸 性物质沿釉质缺损进入釉质内部，并且抗酸性下降，加速龋损的发展进程，导致猖獗龋。目 前临床处理的总体原则是预防为主，减轻症状、促进愈合、防治合并感染。对于放射性口腔 黏膜炎临床上多采用局部消炎、杀菌和止痛剂来治疗和缓解，但是单纯的抗菌消炎对粘膜 的修复起不到积极的作用，而辐射引起机体免疫力降低，常因合并其他感染而加重症状，影 响创面愈合。 据第四军医大学口腔医学院对普通人群口腔流行病调查结果显示龋齿发病率为 38. 6 %，牙龈炎牙周病发病率为59 %，口腔黏膜炎发病率为4. 7 %，而口腔咽喉炎、口干症 发病率几乎为0。而同期据对500余名相关工作人员口腔流行病学、分子流行病学的临床现 况调查结果显示：放射性龋齿发病率为97. 4%，牙龈炎牙周病发病率为82%，放射性口腔 黏膜炎发病率达53.6%，放射性口腔咽喉炎为27%，放射性口干症发病率高达87%。通 过统计数据，可以看出相关工作人员龋病、口腔黏膜炎等口腔疾病高发，部分疾病发病率甚 至比普通人群平均发病率高几十倍。分析致病因素主要有长期处于直接或间接电离辐射照 射条件下，环境封闭，口腔疾病常常合并有白色念珠菌、单纯疱瘆病毒、厌氧菌等真菌、细菌 和病毒的继发感染。同时辐射严重损害全身机体功能，导致机体免疫、防御修复机能严重下 降，使得病程迀延，反复发作。给相关工作人员带来极大的身心痛苦，严重影响他们日常工 作及应急工作。据前期临床现况调查统计评估出勤率下降约20% -30%。 目前针对辐射性口腔疾病的药物一般是对症治疗，疗效欠佳，有一定的毒副作用， 缺乏针对性和便携性，不适合用于应急条件下的预防治疗。
技术实现思路
为了克服上述现有技术存在的缺陷，本专利技术的目的在于提供一种抗辐射防龋消炎 的口腔药物组合物及其制剂。 本专利技术是通过以下技术方案来实现： -种抗辐射防龋消炎的口腔药物组合物，以质量份数计，包括100?500份的白扁 豆提取物，100?2000份的葡萄籽原花青素提取物，300?3000份的茶多酚，0. 01?0. 1份 的表皮生长因子EGF，10?200份的玉洁纯及2?6份的六氟硅酸铵。 以该口腔药物组合物为有效成分，添加辅料制成漱口水、速崩漱口片、泡腾片或喷 雾剂。 所述的辅料为清新剂、甜味剂、增塑剂、崩解剂、清凉剂及稳定剂中的一种或几种。 抗辐射防龋消炎漱口水，以质量份数计，包括100份的白扁豆提取物，100份的葡 萄籽原花青素提取物，300份的茶多酚，0. 05份的表皮生长因子EGF，20份的玉洁纯，2份的 六氟硅酸铵，10份质量分数为2%的毛果芸香碱，100份的利多卡因，100份的薄荷脑，100份 的山梨醇，100份的甜味剂，100份的食用香精及9130份的蒸馏水。 抗辐射防龋消炎速崩漱口片，以质量份数计，包括300份的白扁豆提取物，500份 的葡萄籽原花青素提取物，500份的茶多酚，0. 05份的表皮生长因子EGF，100份的玉洁纯，2 份的六氟硅酸铵，5本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种抗辐射防龋消炎的口腔药物组合物，其特征在于，以质量份数计，包括100～500份的白扁豆提取物，100～2000份的葡萄籽原花青素提取物，300～3000份的茶多酚，0.01～0.1份的表皮生长因子EGF，10～200份的玉洁纯及2～6份的六氟硅酸铵。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李广文，李刚，李卉，王军，
申请(专利权)人：中国人民解放军第四军医大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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