像素电极、阵列基板、显示面板制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种像素电极、阵列基板和显示面板，包括：一沿第一方向延伸的主像素电极，主像素电极包括主电极以及分别位于主电极两端的第一端部和第二端部；与第一端部相连，沿第二方向延伸的第一延伸部，第二方向与所述第一方向相交。本发明专利技术实施例所提供的像素电极除包括主像素电极外，还包括与主像素电极第一端部电连接第一延伸部，相较于现有技术中的像素电极，通过增加第一延伸部，增加了像素电极的面积，从而在应用于阵列基板及包括该阵列基板的显示面板时，可以增加显示面板中像素电极与公共电极之间的正对面积，进而提高显示面板中像素电极与公用电极之间的存储电容，减缓显示面板中声音串扰和画面闪烁现象，提高显示画面的质量。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术实施例公开了一种像素电极、阵列基板和显示面板，包括：一沿第一方向延伸的主像素电极，主像素电极包括主电极以及分别位于主电极两端的第一端部和第二端部；与第一端部相连，沿第二方向延伸的第一延伸部，第二方向与所述第一方向相交。本专利技术实施例所提供的像素电极除包括主像素电极外，还包括与主像素电极第一端部电连接第一延伸部，相较于现有技术中的像素电极，通过增加第一延伸部，增加了像素电极的面积，从而在应用于阵列基板及包括该阵列基板的显示面板时，可以增加显示面板中像素电极与公共电极之间的正对面积，进而提高显示面板中像素电极与公用电极之间的存储电容，减缓显示面板中声音串扰和画面闪烁现象，提高显示画面的质量。【专利说明】像素电极、阵列基板、显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素电极和包括该像素电极的阵列基板以及包括该阵列基板的显示面板。
技术介绍
随着显示技术的发展，显示装置中每英寸拥有的像素数目越来越多，相邻像素间的间距越来越小，从而使得其像素电极的面积占比也相应减小。 参考图1，图1为现有技术中一种常用的TFT IXD中像素连接的原理图。图中薄膜晶体管的栅极连接至扫描线gate line，通过所述扫描线控制所述薄膜晶体管的开闭；漏极连接至数据线data line，源极连接至像素电极，在所述薄膜晶体管打开时，通过所述数据线给所述像素电极提供驱动信号；所述薄膜晶体管的栅极与源极间存在寄生电容Cgs，即像素电极通过寄生电容Cgs与扫描线gate line相连。其中，像素电极与公共电极间连接有一并联的液晶电容Clc和存储电容Cst。在薄膜晶体管打开和关闭的瞬间，扫描线gateline电压的变化会经由寄生电容Cgs，影响到像素电极的电压，在像素电极上产生一个馈通电压(feed though voltage)，从而影响显示画面的质量。其中，所述馈通电压(feedthough voltage)的计算公式为: Vfeedthough = Vd2-Vdl = (Vg2_Vgl)*Cpg/(Cpg+Clc+Cst)； 其中，Vfeedthough表示像素电极上的馈通电压；Vd2表示薄膜晶体管关闭时，像素电极上的电压；Vdl表示薄膜晶体管打开时，像素电极上的电压；Vg2表示薄膜晶体管关闭时，扫描线输出的电压；Vgl表不薄膜晶体管打开时，扫描线输出的电压；Cpg表不薄膜晶体管栅极与源极之间的寄生电容；Clc表示显示装置中的液晶电容；Cst表示像素电极与公共电极之间的存储电容。 而像素电极与公共电极之间的存储电容的计算公式为:Cst = ε *S/d，其中，Cst表示像素电极与公共电极之间的存储电容，ε表示像素电极与公共电极之间介质的介电常数，S表示像素电极与公用电极之间的正对面积，d表示像素电极与公共电极之间的距离。 由此可见，当像素电极的面积减小时，像素电极与公共电极之间的正对面积就会减少，相应的，像素电极上的馈通电压就会增加，从而导致显示装置中声音串扰和画面闪烁现象加重，影响显示画面的质量。 而对于高PPI (Pixels Per Inch，即每英寸拥有的像素数目)的显示面板，在相同面板尺寸下，其包括的像素单元个数较多，每个像素单元的开口面积较小，从而导致其每个像素单元中严重减少了所述像素电极与公共电极之间的正对面积，使得其声音串扰和画面闪烁现象较为严重，影响了其显示画面的质量。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种像素电极和包括该像素电极的阵列基板以及包括该阵列基板的显示面板，以提高所述显示面板中像素电极与公用电极之间的存储电容，减缓显示面板中声音串扰和画面闪烁现象，提高显示画面的质量。 为解决上述问题，本专利技术实施例提供了如下技术方案: 一种像素电极，包括: 一沿第一方向延伸的主像素电极，所述主像素电极包括主电极以及分别位于所述主电极两端的第一端部和第二端部； 与所述第一端部相连，沿第二方向延伸的第一延伸部，所述第二方向与所述第一方向相交。 一种阵列基板，包括:第一基板以及位于所述第一基板表面的像素电极层，其中，所述像素电极层包括: 多个子像素区，每个子像素区包括至少一条上述任一项所述的像素电极； 多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括:栅极、源极和漏极，其漏极与所述像素电极相连； 多条扫描线，所述扫描线与所述薄膜晶体管的栅极相连，控制所述薄膜晶体管的开闭； 多条数据线，所述数据线与所述薄膜晶体管的源极相连，通过所述薄膜晶体管为所述像素电极提供驱动信号。 一种显示面板，包括: 如上述任一项所述的阵列基板； 与所述阵列基板相对设置的彩膜基板； 位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层。 与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点: 本专利技术实施例所提供的像素电极，包括:一沿第一方向延伸的主像素电极，所述主像素电极包括主电极以及分别位于所述主电极两端的第一端部和第二端部；与所述第一端部相连，沿第二方向延伸的第一延伸部，所述第二方向与所述第一方向相交。由此可见，本专利技术实施例所提供的像素电极除包括主像素电极外，还包括与所述主像素电极第一端部电连接第一延伸部，相较于现有技术中的像素电极，通过增加所述第一延伸部，增加了所述像素电极的面积，从而在应用于阵列基板及包括该阵列基板的显示面板时，可以增加所述显示面板中像素电极与公共电极之间的正对面积，进而提高所述显示面板中像素电极与公用电极之间的存储电容，减缓显示面板中声音串扰和画面闪烁现象，提高显示画面的质量。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1为现有技术中一种常用的TFT IXD中像素连接的原理图。 图2为本专利技术一个实施例中所提供的像素电极的结构示意图； 图3为本专利技术另一个实施例中所提供的像素电极的结构示意图； 图4为本专利技术又一个实施例中所提供的像素电极的结构示意图； 图5为本专利技术再一个实施例中所提供的像素电极的结构示意图； 图6为本专利技术又一个实施例中所提供的像素电极的结构示意图； 图7为本专利技术再一个实施例中所提供的像素电极的结构示意图； 图8为本专利技术一个实施例中所提供的阵列基板中像素电极层的结构示意图； 图9为本专利技术另一个实施例中所提供的阵列基板中一个子像素区的局部放大示意图； 图10为本专利技术一个实施例中所提供的阵列基板中像素电极不同面积占比与对应存储电容的关系； 图11为图10中所述阵列基板中像素电极不同占比时的VT Curve曲线示意图； 图12为本专利技术一个实施例所提供的显示面板的结构示意图。 【具体实施方式】 为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做详细的说明。 在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广。因此本专利技术不受下面公本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电极，包括：一沿第一方向延伸的主像素电极，所述主像素电极包括主电极以及分别位于所述主电极两端的第一端部和第二端部；与所述第一端部相连，沿第二方向延伸的第一延伸部，所述第二方向与所述第一方向相交。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马扬昭，沈柏平，吴玲，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35