本发明专利技术公开了一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子设备，包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极，所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部，所述衬底设置在所述下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，所述等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部，且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部，用于控制所述等离子体的流体分布，所述磁性件与所述等离子聚焦结构连接，用于施加磁场。本申请实施例通过提供一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备，能够控制等离子体的流体分布，使得等离子体与产品的表面反应更充分，使得产品的合格率和成品率得以提高。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子设备，包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极，所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部，所述衬底设置在所述下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，所述等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部，且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部，用于控制所述等离子体的流体分布，所述磁性件与所述等离子聚焦结构连接，用于施加磁场。本申请实施例通过提供一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备，能够控制等离子体的流体分布，使得等离子体与产品的表面反应更充分，使得产品的合格率和成品率得以提高。【专利说明】一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备
本专利技术涉及等离子体
，具体涉及一种应用于等离子体设备的腔室结构及等尚子体设备。
技术介绍
随着等离子技术的飞速发展，大面积高密度的等离子体源，如ECR，ICP和TCP等离子体等都被运用于大规模集成电路制造，其制造工艺会被等离子体密度、电子温度、气体流量和反应温度等参数的影响，进而可以通过对等离子体设备的硬件参数和工艺参数进行控制，以更佳的工艺条件对产品进行加工，使得产品的合格率和成品率更高。 现有的等离子体设备在对产品进行加工时，通常是将产品放入等离子体设备中的腔室结构中进行等离子反应，而现有的腔室结构如图1所示，所述腔室结构包括射频线圈10、石英耦合窗11、腔体12、衬底13和下电极14，射频线圈10设置在石英耦合窗11的上部，石英耦合窗11设置在腔体12的上部，衬底13设置在下电极14的上部，衬底13和下电极14设置在腔体12的下部，腔体12的内部设置有等离子体15，其中，衬底13根据加工的产品进行相应的选择，将产品放入衬底13上，通过射频线圈11和下电极14的共同作用下，使得等离子体15的中粒子与产品的表面进行反应，将产品的表面的部分刻蚀掉，以及反应所生成的副产物在其表面沉积，从而完全对产品的等离子体刻蚀。 但是，现有的等离子体设备的腔室结构中产品设置在衬底13上，而衬底13与等离子体15之间是真空，使得等离子体15与产品的表面进行反应时，等离子体15的密度是恒定的，导致对应的局部的工艺表现能力如刻蚀速度、刻蚀均匀性等不能进行精确控制。
技术实现思路
本申请实施例通过提供一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备，能够增大等离子体的密度，从而能够调节对应的局部的工艺表现能力如刻蚀速度、刻蚀均匀性等，以提尚广品的质量。 本申请实施例提供了一种应用于等离子体设备的腔室结构，包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极和导磁体，所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部，所述衬底设置在所述下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，在所述腔体内设置有等离子体，所述导磁体与所述射频线圈连接，用于施加磁场给所述等离子体。 可选的，所述导磁体包括第一导磁体和第二导磁体，所述第一导磁体设置在所述射频线圈的左侧，所述第二导磁体设置在所述射频线圈的右侧。 可选的，所述导磁体包括第三导磁体和第四导磁体，所述第三导磁体和所述第四导磁体设置在所述射频线圈的中部。 可选的，所述导磁体包裹连接所述射频线圈。 本申请另一实施例还提供了一种等离子体设备，所述设备包括: 等离子设备本体； 腔室结构，设置在所述等离子设备本体中，所述腔室结构包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极和导磁体，所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部，所述衬底设置在所述下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，在所述腔体内设置有等离子体，所述导磁体与所述射频线圈连接，用于施加磁场给所述等离子体。 本专利技术有益效果如下: 本专利技术实施例中，本申请技术方案是将射频线圈设置在石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在腔体的上部，衬底设置在下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，在所述腔体内设置有等离子体，所述导磁体与所述射频线圈连接，用于施加磁场给所述等离子体，使得等离子体在磁场的作用下密度得以增大，从而能够调节对应的局部的工艺表现能力如刻蚀速度、刻蚀均匀性等，提高产品的质量。 【专利附图】【附图说明】 图1为现有技术中等离子体设备的腔室结构的结构图； 图2为本专利技术实施例中应用于等离子体设备的腔室结构的第一种结构图； 图3为本专利技术实施例中导磁体的结构图； 图4为本专利技术实施例中腔室结构的第二种结构图。 图中有关附图标记如下: 10——射频线圈，11——石英耦合窗，12——腔体，13——腔体，14——下电极，15一一等离子体，20一一射频线圈，21—一石英耦合窗，22一一腔体，23一一腔体，24一一下电极，25 导磁体，26 等尚子体，27 第一导磁体，28 第二导磁体，29 第一射频线圈，200——第二射频线圈，201——第一部分，202——第二部分，203——第三导磁体，204--第四导磁体，205--第二射频线圈，205--第四射频线圈。 【具体实施方式】 本申请实施例通过提供一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备，能够增大等离子体的密度，从而能够调节对应的局部的工艺表现能力如刻蚀速度、刻蚀均匀性等，以提尚广品的质量。 下面结合各个附图对本专利技术实施例技术方案的主要实现原理、【具体实施方式】及其对应能够达到的有益效果进行详细地阐述。 本专利技术一实施例提出了一种应用于等离子体设备的腔室结构，参见图2，包括射频线圈20、石英耦合窗21、腔体22、衬底23、下电极24和导磁体25，射频线圈20设置在石英耦合窗21的上部，石英耦合窗21设置在腔体22的上部，衬底23设置在下电极24的上部，衬底23和下电极24设置在腔体22的下部，腔体22内设置有等尚子体26，导磁体25与射频线圈20连接，用于施加磁场给等离子体26。 由于导磁体25能够控制磁通的密度和方向，从而能够精确的控制施加给等离子体26的磁场，使得等离子体26能够在磁场作用下增大到合适的密度，精度调节对应的局部的工艺表现能力如刻蚀速度、刻蚀均匀性等，以提高产品的质量。 具体的，参见图2，导磁体25包括第一导磁体27和第二导磁体28，第一导磁体27设置在射频线圈20的左侧，第二导磁体28设置在射频线圈20的右侧，其中，射频线圈20数量有多个，射频线圈20最左侧的射频线圈为第一射频线圈29，最右侧的射频线圈为第二射频线圈200，第一导磁体27包裹住第一射频线圈29，第二导磁体28包裹住第二射频线圈200，当然第一导磁体27也可以包裹射频线圈20中的左二的射频线圈，第二导磁体也可以包裹射频线圈20中的右二的射频线圈，本申请不作具体限制。 具体的，参见图3，第一导磁体27包括第一部分201和第二部分202，其中，第一部分201和第二部分202组成了一个容置空间，用于包裹第一射频线圈29，同理，第二导磁体28的结构与第一导磁体27的结构相同，为了说明书的简洁，在此就不在赘述了。 具体的，参见图4，导磁体25包括第三导磁体203和第四导磁体204，第三导磁体20本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种应用于等离子体设备的腔室结构，其特征在于，包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极和导磁体，所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部，所述衬底设置在所述下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，在所述腔体内设置有等离子体，所述导磁体与所述射频线圈连接，用于施加磁场给所述等离子体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张庆钊，
申请(专利权)人：中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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