【技术实现步骤摘要】
电力转换装置本申请是申请号为200910004956.8、申请日为2009年02月20日、专利技术名称为“电力转换装置”的专利技术专利申请的分案申请(201110228218.9)的分案申请。
本专利技术涉及一种具备变换器电路的电力转换装置。
技术介绍
作为意在使半导体组件的热量高效传至冷却器、提高散热性的现有技术,例如已经提出了专利文献1所示的冷却构造。根据该专利文献1,以下内容得到公开:该冷却构造是将半导体组件插入冷却器上形成的组件插入用孔,从与组件插入用孔的接触面进行散热,在半导体组件的与组件插入用孔的接触面上覆盖软性金属层,通过该软性金属层,向冷却器散热。此外,作为意在兼顾逆变器上所使用的半导体元件的冷却效率和组装性的现有技术,例如已经提出了专利文献2所示的变换器装置。根据该专利文献2,以下内容得到公开:该变换器装置形成有:容纳部,容纳用散热板夹持半导体元件两面的电源卡;和循环路径部,使冷媒在电源卡周围循环,并且在电源卡与容纳部之间的空隙中,填充绝缘性树脂,通过固化绝缘性树脂,固定电源卡。此外,例如专利文献3提出了意在减轻半导体组件组装作业负担、提高冷却能力的冷却构造的现有技术。根据该专利文献3,以下内容得到公开:将半导体组件容纳在内部,设置一种模块,其正面和背面是使半导体组件产生的热量发散的散热面,将该模块插入形成在壳体内部的冷却水通路中,由此,模块的正面和背面就会面向冷却水通路。此外,例如专利文献4提出了一种在冷却半导体组件两个面的同时,也可以冷却平滑电容的冷却构造的现有技术。根据该专利文献4,以下内容得到公开:将半导体组件设置在平滑电容的两侧 ...
【技术保护点】
一种电力转换装置,其特征在于,具有:半导体模块,该半导体模块具有将直流电流转换为交流电流的多个功率半导体元件;和流路形成体,形成让用于冷却所述半导体模块的冷媒流动的流路,所述半导体模块,与所述冷却冷媒热性接触,并且具有夹着所述多个功率半导体元件彼此相对配置的金属制的第1散热部件和第2散热部件、以及传递所述直流电流的正极端子和负极端子,所述多个功率半导体元件,包含如下部件构成:构成逆变器电路的上臂电路的上臂侧IGBT、与该上臂侧IGBT并联电连接的上臂侧二极管;构成上述逆变器电路的下臂电路的下臂侧IGBT;与该下臂侧IGBT并联电连接的下臂侧二极管,所述上臂侧IGBT和所述上臂侧二极管,由2片导体板夹持并且与该2片导体板电连接,所述下臂侧IGBT和所述下臂侧二极管,由2片导体板夹持并且与该2片导体板电连接,所述第1散热部件,投影到与该第1散热部件的散热面垂直的方向上时的投影部呈四边形,所述上臂侧IGBT和所述上臂侧二极管,沿着所述投影部的第1边并排配置,所述下臂侧IGBT和所述下臂侧二极管,沿着所述投影部的与所述第1边相对的第2边并排配置,所述直流端子和所述负极端子,从所述投影部的连结所 ...
【技术特征摘要】
2008.03.11 JP 2008-0611851.一种电力转换装置,其特征在于,具有:半导体模块,该半导体模块具有将直流电流转换为交流电流的多个功率半导体元件;和流路形成体,形成让用于冷却所述半导体模块的冷媒流动的流路,所述半导体模块,与所述冷媒热性接触,并且具有夹着所述多个功率半导体元件彼此相对配置的金属制的第1散热部件和第2散热部件、以及传递所述直流电流的正极端子和负极端子,所述多个功率半导体元件,包含如下部件构成:构成逆变器电路的上臂电路的上臂侧IGBT、与该上臂侧IGBT并联电连接的上臂侧二极管;构成上述逆变器电路的下臂电路的下臂侧IGBT;与该下臂侧IGBT并联电连接的下臂侧二极管,所述上臂侧IGBT和所述上臂侧二极管,由2片导体板夹持并且与该2片导体板电连接,所述下臂侧IGBT和所述下臂侧二极管,由2片导体板夹持并且与该2片导体板电连接,所述第1散热部件,投影到与该第1散热部件的散热面垂直的方向上时的投影部呈四边形,所述上臂侧IGBT和所述上臂侧二极管,沿着所述投影部的第1边并排配置,所述下臂侧IGBT和所述下臂侧二极管,沿着所述投影部的与所述第1边相对的第2边并排配置,所述正极端子和所述负极端子,从所述投影部的连结所述第1边和所述第2边的第3边侧突出。2.根据权利要求1所述的电力转换装置,其特征在于,所述上臂侧二极管和所述下臂侧二极管,沿着所述投影部的与所述第3边相对的第4边并排配置,所述上臂电路和所述下臂电路的电连接部,配置在相比所述上臂侧IGBT和所述下臂侧IGBT排列的列更靠近所述上臂侧二极管和所述下臂侧二极管排列的列的位置。3.根据权利要求1或2所述的电力转换装置,其特征在于,所述正极端子和所述负极端子,在投影到与所述第1散热部件的散热面垂直的方向的情况下彼此重合。4.根据权利要求1或2所述的电力转换装置,其特征在于,具有电容模块,该电容模块具有用于对所述直流电流进行平滑化的电容元...
【专利技术属性】
技术研发人员:德山健,中津欣也,斋藤隆一,堀内敬介,佐藤俊也,宫崎英树,
申请(专利权)人:株式会社日立制作所,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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