阵列基板及其制造方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板和呈矩阵排列的多个像素单元，每个所述像素单元内均设置有第一电极和与所述第一电极互相绝缘的第二电极，所述第一电极包括多个第一电极条，其中，所述第二电极包括水平电场产生部，所述水平电场产生部的上表面与所述第一电极条的上表面平齐，所述第一电极条和所述水平电场产生部在衬底基板上的正投影相交替。本发明专利技术还提供一种显示装置和一种阵列基板的制造方法。利用本发明专利技术所提供的阵列基板进行显示可以在不损失像素区整体透过率的前提下，降低每个像素单元的存储电容和驱动电压，提高了显示区透过率的均一性。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法和显示装置
本专利技术涉及显示装置领域，具体地，涉及一种阵列基板、该阵列基板的制造方法和包括该阵列基板的显示装置。
技术介绍
图1中所示的是用FFS模式的液晶显示面板的示意图。如图中所示，在所述液晶显示面板的阵列基板上设置有像素电极4和板状的公共电极2。利用像素电极4和板状的公共电极2之间形成的边缘电场的水平分量驱动液晶分子旋转。由于公共电极2位于像素电极4的下方，因此，在图1中所示的液晶显示面板具有较大的竖直电场，而水平电场相对较小。如何增加FFS模式的液晶显示面板在进行显示时的水平电场成为本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板、一种包括该阵列基板的显示装置和所述阵列基板的制造方法。包括所述阵列基板的显示装置在进行显示时可以产生较强的水平电场。为了实现上述目的，作为本专利技术的一个方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板和呈矩阵排列的多个像素单元，每个所述像素单元内均设置有第一电极和与所述第一电极互相绝缘的第二电极，所述第一电极包括多个第一电极条，所述第二电极包括水平电场产生部，所述水平电场产生部的上表面与所述第一电极条的上表面平齐，所述第一电极条和所述水平电场产生部在所述衬底基板上的正投影相交替。优选地，所述阵列基板包括绝缘条和绝缘层，所述绝缘条设置在所述水平电场产生部下方，以使得所述水平电场产生部与所述第一电极条平齐，所述绝缘层覆盖所述第二电极所在的层，所述第一电极形成在所述绝缘层上。优选地，所述第二电极还包括连接在相邻两个所述水平电场产生部之间的连接部，所述第一电极位于所述连接部上方，且所述连接部和所述水平电场产生部在所述阵列基板的衬底基板上共同形成的投影为矩形。优选地，所述第二电极还包括连接在相邻两个所述水平电场产生部的端部之间的连接部。优选地，所述第一电极为像素电极，所述第二电极形公共电极。作为本专利技术的另一个方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括阵列基板，其中，所述阵列基板为本专利技术所提供的上述阵列基板。作为本专利技术的还一个方面，提供一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括衬底基板和呈矩阵排列的多个像素单元，其中，所述阵列基板的制造方法包括：形成包括第二电极的图形，其中所述第二电极包括水平电场产生部；形成包括第一电极的图形，所述第一电极与所述第二电极互相绝缘，所述第一电极包括多个第一电极条，且所述第一电极条的上表面与所述水平电场产生部的上表面平齐，所述第一电极条与所述水平电场产生部在所述衬底基板上的正投影相交替。优选地，所述制造方法还包括在形成所述第二电极之前进行的：形成包括绝缘条的图形，所述绝缘条的位置对应于所述水平电场产生部；所述制造方法还包括在形成所述第二电极之后进行的：形成绝缘层，所述绝缘层覆盖包括所述第二电极的衬底基板。优选地，形成所述第二电极的步骤还包括形成连接在相邻两个所述水平电场产生部之间的连接部，所述第一电极位于所述连接部上方，且所述连接部和所述水平电场产生部在所述衬底基板上共同形成的正投影为矩形。优选地，形成所述第二电极的步骤还包括形成连接在相邻两个所述水平电场的端部之间的连接部。由于第一电极条的上表面和水平电场产生部的上表面平齐，因此，当包括所述阵列基板的显示装置通电显示时，第一电极条和水平电场产生部之间形成的电场的水平分量较大，竖直分量较小。进一步可知，当包括所述阵列基板的显示装置在通电显示时，所述第一电极和所述第二电极之间的存储电容较小，从而缩短了对存储电容进行充电所需要的时间。由于第一电极条和水平电场产生部之间形成的电场的水平分量较大，因此，提供较小的驱动电压即可驱动液晶分子旋转。综上所述，利用本专利技术所提供的阵列基板进行显示可以在不损失像素区整体透过率的前提下，降低每个像素单元的存储电容和驱动电压，提高了显示区透过率的均一性。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是现有的液晶显示面板的结构示意图；图2是本专利技术所提供的阵列基板的第一种实施方式的示意图；图3是图2中所示的阵列基板中的第二电极俯视图；图4是本专利技术所提供的阵列基板的第二种实施方式的示意图；图5是图4中所示的阵列基板中的第二电极的俯视图；图6(a)至图6(d)是制造图2中所示的阵列基板的流程示意图。附图标记说明10：绝缘条21：水平电场产生部22：连接部30：绝缘层40：第一电极条50：衬底基板4：像素电极2：公共电极具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。作为本专利技术的一个方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板和呈矩阵排列的多个像素单元，如图2和图4所示，每个所述像素单元中均设置有第一电极和与该第一电极互相绝缘的第二电极，所述第一电极包括多个第一电极条40，所述第二电极包括水平电场产生部21，该水平电场产生部21的上表面与第一电极条40的上表面平齐，并且第一电极条40和水平电场产生部21在衬底基板50上的正投影相交替。需要指出的是，此处的所用到的方位词“上”是指图2和图4中的“上”方。所谓的“水平电场产生部21的上表面与第一电极条40的上表面平齐”是指，水平电场产生部21的上表面与第一电极条40的上表面位于同一平面上。此处所用到的“水平”是指图2和图4中的左右方向，此处所用到的“竖直”是指图2和图4中的上下方向。当然，本领域技术人员应当理解的是，此处的“平齐”并非是指严格的位于同一水平面上，而是大致在同一水平面上即可。即，水平电场产生部21的上表面高度与第一电极条40的上表面的高度之间的差值在工业生产可实现的范围内尽量的小。本领域技术人员容易理解的是，第一电极和第二电极中的一者为像素电极，另一者为公共电极。在本专利技术的具体实施方式中，第一电极为像素电极，第二电极为公共电极。由于第一电极条40的上表面和水平电场产生部21的上表面平齐，因此，当包括所述阵列基板的显示装置通电显示时，第一电极条40和水平电场产生部21之间形成的电场的水平分量较大，竖直分量较小。进一步可知，当包括所述阵列基板的显示装置在通电显示时，所述第一电极和所述第二电极之间的存储电容较小，从而缩短了对存储电容进行充电所需要的时间。由于第一电极条40和水平电场产生部21之间形成的电场的水平分量较大，因此，提供较小的驱动电压Vop即可驱动液晶分子旋转。综上所述，利用本专利技术所提供的阵列基板进行显示可以在不损失像素区整体透过率的前提下，降低每个像素单元的存储电容和驱动电压Vop。并且，在本专利技术中，每个像素单元内的第一电极和第二电极均具有上文中所描述的结构，而第一电极条40和水平电场产生部21之间形成的电场的水平分量较大，以至于每个像素单元内产生的电场的水平分量均较大，所以，每个像素单元中产生的电场对液晶分子的驱动力也相应较大，可以使得每个像素单元对应的液晶分子都可靠地偏转，从而提高了显示区透过率的均一性。在本专利技术中，对如何使得水平电场产生部21的上表面与第一电极条40的上表面平齐并没有特殊的限制。例如，可以增加水平电场产生部21的厚度，以使得该水平电场产生部21的上表面与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底基板和呈矩阵排列多个像素单元，每个所述像素单元内均设置有第一电极和与所述第一电极互相绝缘的第二电极，所述第一电极包括多个第一电极条，其特征在于，所述第二电极包括水平电场产生部，所述水平电场产生部的上表面与所述第一电极条的上表面平齐，所述第一电极条和所述水平电场产生部在所述衬底基板上的正投影相交替。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括衬底基板和呈矩阵排列多个像素单元，每个所述像素单元内均设置有第一电极和与所述第一电极互相绝缘的第二电极，所述第一电极包括多个第一电极条，其特征在于，所述第二电极包括水平电场产生部，所述水平电场产生部的上表面与所述第一电极条的上表面平齐，所述第一电极条和所述水平电场产生部在所述衬底基板上的正投影相交替，所述阵列基板包括绝缘条，所述绝缘条设置在所述水平电场产生部下方，以使得所述水平电场产生部与所述第一电极条平齐，所述阵列基板包括绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第二电极所在的层，所述第一电极形成在所述绝缘层上。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极还包括连接在相邻两个所述水平电场产生部之间的连接部，所述第一电极位于所述连接部上方，且所述连接部和所述水平电场产生部在所述衬底基板上共同形成的正投影为矩形。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极还包括连接在相邻两个所述水平电场产生部的端部之间的连接部。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。5.一种显示装置，所述显示装置包括阵列基板，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓那，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11