包含防腐蚀立柱结构的半导体晶圆化学处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术揭露了一种包含防腐蚀立柱结构的半导体晶圆化学处理装置，所述化学处理装置包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和/或所述下腔室部可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动，其中所述立柱装置包括立柱、套设在所述立柱外部的保护部及套接在所述保护部端部并连接所述保护部和立柱的固定部，所述立柱装置具有容易更换、耐腐蚀、运动灵活且耐磨的特点。

【技术实现步骤摘要】
包含防腐蚀立柱结构的半导体晶圆化学处理装置
本专利技术涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域，特别涉及一种用于化学处理半导体晶圆表面，以及清洁、蚀刻及其它处理的装置。
技术介绍
晶圆是生产集成电路所用的载体。在实际生产中需要制备的晶圆具有平整、超清洁的表面，而用于制备超清洁晶圆表面的现有方法可分为两种类别：诸如浸没与喷射技术的湿法处理过程，及诸如基于化学气相与等离子技术的干法处理过程。其中湿法处理过程是现有技术采用较为广泛的方法，湿法处理过程通常包括采用适当化学溶液浸没或喷射晶圆之一连串步骤组成。现有技术中包含一种采用湿法处理过程对晶圆进行超清洁处理的装置。该装置中形成有一可以紧密接收并处理半导体晶圆的微腔室，该微腔室包括上腔室部和下腔室部，所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和/或所述下腔室部可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动。所述打开状态可用于供装载与移除半导体晶圆，所述关闭状态用于半导体晶圆的处理。其中所述立柱装置包括立柱和套接在所述立柱外表面的套筒。但是在实际使用中发现，上述装置还存在以下缺点：第一：立柱包括若干段直径依次变大的圆柱形柱体，结构复杂，制造成本高；第二：安装时，将上述装置的各个零部件先后套在立柱的各个柱体台阶上，操作困难，拆卸更换亦困难；第三：立柱的外表面有套筒覆盖，但立柱上大小不同的柱体衔接处仍暴露在外，容易被化学处理过程中产生的高温和/或腐蚀性的气体所腐蚀而损坏。因此有必要提供一种新的解决方案来解决上述问题。【
技术实现思路
】本专利技术的目的在于提供一种包含防腐蚀立柱结构的半导体晶圆化学处理装置，所述半导体晶圆化学处理装置具有容易更换、耐腐蚀、运动灵活且耐磨的立柱结构。根据本专利技术的目的，本专利技术提供一种包含防腐蚀立柱结构的半导体晶圆化学处理装置，利用处理流体对半导体晶圆及相似工件进行处理，其包括：包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和/或所述下腔室部可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动，当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间，且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙，所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口，其中所述立柱装置包括立柱、套设在所述立柱外部的保护部及套接在所述保护部端部并连接所述保护部和立柱的固定部。作为本专利技术一个优选的实施例，所述保护部与立柱之间具有间隙，所述固定部呈T型管状，其包括管状部及自所述管状部的端部沿所述立柱轴线垂直方向向外延伸出的T端部，所述T端部用来对套设在所述立柱上的组件进行定位，所述固定部的管状部固定嵌设于所述保护部和立柱之间的间隙中，所述T端部沿所述保护部轴向方向卡合住所述保护部，使得所述保护部、固定部和立柱之间同轴固定密封连接。作为本专利技术一个优选的实施例，所述保护部为两个，其分别为第一保护部和第二保护部，所述固定部分别设置于每个保护部的两端。作为本专利技术一个优选的实施例，所述第二保护部的长度大于所述第一保护部的长度。作为本专利技术一个优选的实施例，其还包括：套设于所述第二保护部外表面的轴承；固设于所述轴承外围的轴承固定部，所述轴承固定部的内部开设有若干个凹槽，所述轴承固定部随轴承一起沿所述第二保护部的外表面上下运动。作为本专利技术一个优选的实施例，其还包括套设于所述轴承外围的若干个轴承紧固件，所述若干个轴承紧固件对应容纳于所述若干个凹槽内。作为本专利技术一个优选的实施例，所述立柱的两端位于所述立柱所在中轴线上开设有螺纹孔，利用匹配所述螺纹孔的螺丝可将包含柱位孔的组件固定于所述立柱上。作为本专利技术一个优选的实施例，所述轴承固定部一端具有垂直于所述立柱轴线的突出部，另一端具有外螺纹，利用匹配所述外螺纹的螺母可对套设于所述轴承固定部上的组件进行定位并将所述轴承紧贴于所述第二保护部上。作为本专利技术一个优选的实施例，所述轴承为塑料直线轴承。作为本专利技术一个优选的实施例，所述立柱采用金属或者合金制造，所述保护部采用塑料制造，所述固定部采用合金制造。与现有技术相比，本专利技术采用的立柱装置包括立柱、套设在所述立柱外部的保护部及套接在所述保护部端部连接所述保护部和立柱的固定部，所述保护部与立柱之间具有间隙，其中，所述保护部对中间立柱提供了保护，同时固定部对中间立柱加强了固定；所述保护部、固定部和立柱之间同轴固定密封连接，可以实现耐腐蚀的特性；本专利技术的轴承、轴承固定部及保护部选用诸如塑料的材料制成，不仅提高了运动的灵活性，而且大大减少轴承与所述保护部的摩擦系数，提高了立柱装置的耐磨性，并且本专利技术的立柱采用一体成型金属切割或铸造而成，而保护部采用耐腐蚀的材料制成，即便所述立柱装置发生磨损和腐蚀，只需要更换所述保护部即可。【附图说明】结合参考附图及接下来的详细描述，本专利技术将更容易理解，其中同样的附图标记对应同样的结构部件，其中：图1为本专利技术中的半导体晶圆化学处理装置在一个实施例中的立体示意图；图2为本专利技术中的半导体晶圆化学处理装置在一个实施例中的正面示意图；图3为本专利技术中的半导体晶圆化学处理装置在一个实施例中的俯视示意图；图4为本专利技术中的半导体晶圆化学处理装置在一个实施例中的剖视图；图5为本专利技术的立柱装置在一个具体实施例中的剖视示意图；图6为本专利技术中的立柱在一个实施例中的立体示意图；图7为本专利技术中的第一保护部在一个实施例中的立体示意图；图8为本专利技术中的第二保护部在一个实施例中的立体示意图；图9为本专利技术中的固定部在一个实施例中的立体示意图；图10为本专利技术中的轴承在一个实施例中的立体示意图；图11为本专利技术中的轴承固定部在一个实施例的立体示意图。【具体实施方式】为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。请参考图1和图2，其分别示出了本专利技术中的半导体处理装置在一个实施例100中的立体示意图和正面示意图。简单来讲，所述半导体处理装置100包括顶部模块110、微腔室模块120、驱动模块130和立柱装置140。所述前三个模块中的各个组件由四根互相平行的立柱装置140所固定、支撑或导引，并沿所述立柱装置140由下往上分别为驱动模块130、微腔室模块120和顶部模块110。其中微腔室模块120包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和/或所述下腔室部可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动。当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间，且与所述微腔室的内壁形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含防腐蚀立柱结构的半导体晶圆化学处理装置，利用处理流体对半导体晶圆及相似工件进行处理，其特征在于：其包括：包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和/或所述下腔室部可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动，当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间，且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙，所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口，其中所述立柱装置包括立柱、套设在所述立柱外部的保护部及套接在所述保护部端部并连接所述保护部和立柱的固定部。

【技术特征摘要】
1.一种包含防腐蚀立柱结构的半导体晶圆化学处理装置，利用处理流体对半导体晶圆进行处理，其特征在于：其包括：包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和/或所述下腔室部可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动，当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间，且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙，所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口，其中所述立柱装置包括立柱、套设在所述立柱外部的保护部及套接在所述保护部端部并连接所述保护部和立柱的固定部。2.根据权利要求1所述的半导体晶圆化学处理装置，其特征在于：所述固定部呈T型管状，其包括管状部及自所述管状部的端部沿所述立柱轴线垂直方向向外延伸出的T端部，所述T端部用来对套设在所述立柱上的组件进行定位，所述固定部的管状部固定嵌设于所述保护部和立柱之间，所述T端部沿所述保护部轴向方向卡合住所述保护部，使得...

【专利技术属性】
技术研发人员：温子瑛，王吉，
申请(专利权)人：无锡华瑛微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32