本实用新型专利技术公开一种发光器件，其具有140度以上的光指向角。所公开的一种发光器件包括：基板；半导体层，形成于基板的一面上；半透光部，形成于基板的另一面上。本实用新型专利技术采用半透光部，从而将基板的厚度维持为较薄，并将发射向基板的上部面的光进行反射，从而具有可以实现140度以上的光指向角的优点。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开一种发光器件，其具有140度以上的光指向角。所公开的一种发光器件包括：基板；半导体层，形成于基板的一面上；半透光部，形成于基板的另一面上。本技术采用半透光部，从而将基板的厚度维持为较薄，并将发射向基板的上部面的光进行反射，从而具有可以实现140度以上的光指向角的优点。【专利说明】发光器件
本技术涉及一种发光器件，尤其涉及一种具有140度以上的光指向角的发光器件。
技术介绍
通常，通过在蓝宝石基板上生长氮化镓系半导体层而制作氮化镓系发光器件。 近来，为了薄型化而使用所述发光器件直接贴装于电路基板的倒装芯片类型的发光器件。 普通的倒装芯片类型的发光器件中在蓝宝石基板的一面上生长包括电极图案的氮化镓系半导体层，并使氮化镓系半导体层中发射的光从蓝宝石基板的另一面射出。在此，普通的倒装芯片类型的发光器件可通过调节蓝宝石基板的厚度而扩大光的指向角出册!!！ 八叩匕)。 然而，普通的倒装芯片类型的发光器件却即使将蓝宝石基板的厚度设计为400 以上也难以实现140度以上的光指向角，且随着所述蓝宝石基板的厚度增加，光损失引起的光效率降低越显突出。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题为提供一种可提高发光器件的光指向角的发光器件。 本技术所要解决的另一技术问题为提供一种通过将蓝宝石基板设计为较薄并在蓝宝石基板上形成半透光层而使光损失最小化，从而提高光效率并能够实现140度以上的光指向角的发光器件。 根据本技术的一个实施例的一种发光器件，包括:基板；半导体层，形成于所述基板的一面上；半透光部，形成于所述基板的另一面上。 优选地，所述半透光部包括多层，所述多层具有互不相同的折射率。 优选地，所述多层由31队3102、1102、把02中的互不相同的材料层构成。 优选地，所述多层由第一层至第三层构成，所述第一层为31队3102、1102、册02中的一种材料层。 优选地，所述多层由第一层至第三层构成，所述第二层为31队3102、1102、册02中的一种材料层。 优选地，所述多层由第一层至第三层构成，所述第三层为31队3102、1102、册02中的一种材料层。 优选地，所述多层由依次设置的第一层至第三层构成，所述第一层具有比位于所述第一层上的第二层更小的折射率，且位于所述第二层上的所述第三层具有比所述第二层更小的折射率。 优选地，所述多层由依次设置的第一层至第三层构成，且随着从所述第一层趋向所述第三层，折射率越来越小。 优选地，所述多层由依次设置的第一层至第三层构成，且随着从所述第一层趋向所述第三层，折射率越来越大。 优选地，所述半透光部具有不同于所述基板的折射率。 优选地，所述半透光部由薄膜金属层构成。 优选地，所述基板的厚度为250 VIII以下。 优选地，所述发光器件为倒装芯片类型的发光器件。 根据本技术的实施例，在本技术的发光器件中基板的一面设置有半导体层叠部而基板的另一面设置有折射率不同于所述基板的折射率的半透光部，从而将发射向基板的另一面的光的一部分进行反射，由此可以扩大光指向角。 在本技术中，实现140度以上的光指向角，并将基板的厚度设计为250 VIII以下，从而可以使光损失最小化，并具有对发光器件的薄型化有利的优点。 而且，在本技术中发光器件芯片直接倒装接合或表面贴装于电路基板，因此与普通的封装件形态的发光器件相比，具有可实现高效率和小型化的优点。 【专利附图】【附图说明】 图1为概略地图示根据本技术的一个实施例的发光器件的剖面图。 图23为具体表示图1中的发光器件的构造的平面图，图26为表示沿着图中的1-1 ；线截取的发光器件的剖面图。 图3为表示根据本技术的一个实施例的图1中的4区域的图。 图4为表示根据本技术的另一实施例的图1中的4区域的图。 图5为表示根据本技术的又一实施例的图1中的4区域的图。 符号说明: 100:发光二极管200、300、400:半透光部 【具体实施方式】 以下，参照附图详细说明本技术的实施例。下面介绍的实施例是为了将本技术的思想充分地传递给本领域技术人员而作为示例提供的。因此，本技术并不局限于以下说明的实施例而也可以具体化为其他形态。另外，在附图中构成要素的宽度、长度、厚度等也可能为了方便而被夸张地表现。贯穿整个说明书，相同的附图标记表示相同的构成要素。 图1为概略地图示根据本技术的一个实施例的发光器件的剖面图，图23为具体图示图1中的发光器件的构造的平面图，图26为表示沿着图23中的1-1 7线截取的发光器件的剖面图，图3为表示根据本技术的一个实施例的图1的八区域的图。 如图1至图3所示，根据本技术的一个实施例的发光器件包括:发光结构体110，包含基板111和半导体层叠部113 ；半透光部200。 所述基板111的一面上设置有所述发光结构体110的半导体层叠部113，所述基板111的另一面上设置有半透光部200。 所述发光二极管100为倒装芯片类型，且电极垫37^376位于芯片下部。 所述基板111可以是用于生长半导体层的生长基板，例如可以是蓝宝石基板或氮化镓基板。例如，所述基板111作为适于生长氮化镓系半导体层的异质基板，其具有第一折射率。例如，基板111可以是在450=111的波长下具有约为1.78的折射率的蓝宝石基板或者具有约为2.72的折射率的31(:基板。 在本技术的实施例中，将所述基板111限定为蓝宝石基板而进行说明。所述基板111具有250 ^111以下的厚度。 所述半透光部200具有不同于所述基板111的折射率。例如，所述半透光部200可具有小于1.78的折射率。所述半透光部200具有小于所述基板111的折射率的折射率，从而可通过在所述半透光部200与基板111的界面上全反射的光而扩大发光器件的光指向角。在此，虽然限定为所述半透光部200具有小于所述基板111的折射率的情形，然而并不局限于此而也可以具有大于基板111的折射率。 所述发光结构体110位于半透光部200的一面上。所述发光结构体110包括位于基板111上的第一导电型半导体层23和多个凸台0116^)1，而多个凸台1分别包括活性层25和第二导电型半导体层27。活性层25位于第一导电型半导体层23与第二导电型半导体层27之间。另外，多个凸台1上分别设置有反射电极30。 如图所示，所述多个凸台1可具有朝一侧方向相互平行而延伸的长形的形状。这样的形状使得将相同形状的多个凸台1形成于生长基板111上的多个芯片区域的工作简化。 另外，反射电极30可在形成多个凸台1之后形成于各个凸台1上，然而并不局限于此，也可以生长第二导电型半导体层27并在形成凸台1之前预先形成于第二导电型半导体层27上。反射电极30将凸台1的上表面大部分覆盖，并具有与凸台1的平面形状大致相同的形状。 所述反射电极30包括反射层28，进而可包括壁皇层29。壁皇层29可覆盖反射层 28的上表面和侧面。例如，可形成反射层28的图案并在其上形成壁皇层29，从而可以使壁皇层29覆盖反射层28的上表面和侧面。例如，反射层28本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光器件，其特征在于，包括：基板；半导体层，形成于所述基板的一面上；半透光部，形成于所述基板的另一面上。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡钟炫，李贞勋，徐大雄，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国;KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。