主动元件阵列基板与显示面板制造技术

本发明专利技术揭露一种主动元件阵列基板与显示面板。主动元件阵列基板包含基板、扫描线、数据线、第一薄膜晶体管、第一像素电极、黑色矩阵、色阻以及第一遮光金属层。数据线与扫描线交错设置。第一薄膜晶体管的栅极电性连接扫描线，且第一薄膜晶体管的源极电性连接数据线。第一像素电极电性连接第一薄膜晶体管的漏极。黑色矩阵部分覆盖第一薄膜晶体管。黑色矩阵与色阻之间具有交界处。第一遮光金属层不连接于扫描线，且第一遮光金属层在基板上的正投影与交界处在基板上的正投影至少部分重叠。

【技术实现步骤摘要】
主动元件阵列基板与显示面板
本专利技术是有关于一种主动元件阵列基板与显示面板。
技术介绍
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)为目前平面显示器的主流，其可利用液晶分子的介电异方性与导电异方性，于外加电场时使液晶分子排列状态转换，使得液晶薄膜产生各种光电效应。液晶显示器的显示面板是由两片基板叠合而成，并于两片基板之间灌注液晶。两片基板上可分别形成对应的电极，用以控制液晶分子的转向以及排列。一般而言，液晶显示器的显示面板，可由一片薄膜晶体管阵列基板以及一片彩色滤光片基板组成，并且以间隔物定义两片基板之间的距离，以于两片基板之间灌注液晶。目前，为了提高液晶显示器的品质，发展出了彩色滤光片于阵列基板(ColorfilterOnArray,COA)的显示面板以及黑色矩阵于阵列基板(BlackMatrixOnArrayorBlackPhotoSpacerOnArray,BOA)的显示面板。其中，BOA结构的显示面板通过将色阻(或者说，彩色滤光片)以及黑色矩阵整合在阵列基板上，可降低两片基板之间对位不准确的情况，进而提高液晶显示器的开口率。因此，BOA结构的显示面板逐渐成为液晶显示器发展的明日之星。然而，在目前BOA结构的显示面板中，黑色矩阵与色阻之间的交界处可能会产生不必要的透光，故需要在此交界处加入额外设计抵制透光。
技术实现思路
因此，本专利技术的一目的是提供一种主动元件阵列基板，以解决上述问题。根据本专利技术的一实施方式，主动元件阵列基板包含基板、至少一扫描线、至少一数据线、至少一第一薄膜晶体管、至少一第一像素电极、至少一黑色矩阵、至少一色阻以及至少一第一遮光金属层。扫描线位于基板上。数据线位于基板上，且数据线与扫描线交错设置。第一薄膜晶体管位于基板上，第一薄膜晶体管的栅极电性连接扫描线，且第一薄膜晶体管的源极电性连接数据线。第一像素电极位于基板上，并电性连接第一薄膜晶体管的漏极。黑色矩阵位于基板上，并至少部分覆盖第一薄膜晶体管。色阻位于基板上，且黑色矩阵与色阻之间具有至少一交界处。第一遮光金属层位于基板上，并且不连接于扫描线。第一遮光金属层在基板上的正投影与交界处在基板上的正投影至少部分重叠。在本专利技术一或多个实施方式中，上述第一遮光金属层与扫描线共同属于同一图案化金属层，并且第一遮光金属层具有浮动电位。在本专利技术一或多个实施方式中，上述第一遮光金属层与扫描线之间具有至少一间隙。并且上述主动元件阵列基板还包含第二遮光金属层。此第二遮光金属层在基板上的正投影与间隙在基板上的正投影至少部分重叠。在本专利技术一或多个实施方式中，上述第二遮光金属层与数据线共同属于同一图案化金属层，且第二遮光金属层具有浮动电位。在本专利技术一或多个实施方式中，上述间隙在基板上的正投影与交界处在基板上的正投影至少部分重叠。在本专利技术一或多个实施方式中，上述第一像素电极在基板上的正投影与第二遮光金属层在基板上的正投影至少部分重叠。在本专利技术一或多个实施方式中，上述第一像素电极在基板上的正投影与第一遮光金属层在基板上的正投影至少部分重叠。在本专利技术一或多个实施方式中，上述主动元件阵列基板还包含储存电容以及储存电容走线。储存电容走线电性连接第一薄膜晶体管的漏极与储存电容的一极，储存电容走线在基板上的正投影与扫描线在基板上的正投影分开。在本专利技术一或多个实施方式中，上述主动元件阵列基板还包含储存电容以及储存电容走线。储存电容走线电性连接第一薄膜晶体管的漏极与储存电容的一极，储存电容走线在基板上的正投影与扫描线在基板上的正投影重叠。在本专利技术一或多个实施方式中，上述黑色矩阵的材质包含树脂材料。在本专利技术一或多个实施方式中，在垂直于上述基板的方向上，扫描线与两相邻的数据线交错的区域定义出像素面积，且黑色矩阵具有黑色矩阵面积，其中黑色矩阵面积占像素面积的比例为约5％至约45％。在本专利技术一或多个实施方式中，上述主动元件阵列基板还包含至少一光阻间隔物。光阻间隔物位于基板上，且光阻间隔物的材质与黑色矩阵的材质相同，光阻间隔物的高度较黑色矩阵的高度高。在本专利技术一或多个实施方式中，上述主动元件阵列基板还包含至少一绝缘层。绝缘层至少部分覆盖第一薄膜晶体管，且绝缘层具有至少一第一贯孔于其中。第一贯孔暴露至少部分的第一薄膜晶体管的漏极，第一像素电极透过第一贯孔，电性连接第一薄膜晶体管的漏极，其中第一薄膜晶体管的中心与第一贯孔的中心的连成一直线，直线与数据线的长度方向相夹的角度约80度至约100度之间。在本专利技术一或多个实施方式中，上述主动元件阵列基板还包含至少一第二薄膜晶体管、至少一第二像素电极以及至少一绝缘层。第二薄膜晶体管以及第二像素电极位于基板上，其中第二像素电极电性连接第二薄膜晶体管的漏极。绝缘层至少部分覆盖第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管，且绝缘层具有至少一第一贯孔与至少一第二贯孔于其中。第一贯孔暴露至少部分的第一薄膜晶体管的漏极，第一像素电极透过第一贯孔电性连接第一薄膜晶体管的漏极，第二贯孔暴露至少部分的第二薄膜晶体管的漏极，且第二像素电极透过第二贯孔电性连接第二薄膜晶体管的漏极。第一贯孔的中心与第二贯孔的中心的连成的直线，实质通过第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管其中至少一者，并且第一贯孔的中心与第二贯孔的中心的连成的直线与数据线的长度方向相夹的角度约80度至约100度之间。在本专利技术一或多个实施方式中，上述黑色矩阵至少覆盖第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一贯孔与第二贯孔。在本专利技术一或多个实施方式中，上述黑色矩阵位于第一像素电极与二像素电极之间。在本专利技术一或多个实施方式中，上述第二薄膜晶体管的栅极电性连接扫描线，上述第二薄膜晶体管的源极电性连接数据线。在本专利技术一或多个实施方式中，上述第一遮光金属层与数据线共同属于同一图案化金属层，且第一遮光金属层具有浮动电位。本专利技术的另一目的是提供一种应用上述主动元件阵列基板的显示面板。根据本专利技术的一实施方式，显示面板包含上述的主动元件阵列基板、对向基板以及显示介质。对向基板相对主动元件阵列基板设置。显示介质位于主动元件阵列基板与对向基板之间，且显示介质直接接触上述的黑色矩阵。综上所述，本专利技术的一或多个实施方式通过将第一遮光金属层设置于黑色矩阵与色阻之间的交界处，借此遮蔽可能产生的漏光。此外，由于第一遮光金属层不连接于扫描线，因此将不会因为与其他走线产生过大的寄生电容，造成像素电极的馈通电压(Feed-throughVoltage)过大，影响穿透率与液晶效率，并造成大视角漏光以及影像残留(imagingsticking)等等光学瑕疵。附图说明为让本专利技术及其优点更明显易懂，所附附图的说明参考如下：图1是绘示本专利技术第一实施方式的主动元件阵列基板的局部俯视图；图2是绘示沿着图1的局部放大图；图3是绘示沿着图2的线段3的剖面图；图4是绘示沿着图2的线段4的剖面图；图5是绘示图2中的线段I与线段II的剖面图；图6为沿着图2的线段a、线段b与线段c的剖面图；图7是绘示图2中线段Ⅲ与线段Ⅳ的剖面图；图8是绘示本专利技术一实施方式的显示面板的剖面示意图；图9是绘示本专利技术第二实施方式的主动元件阵列基板上的局部上视图；图10是绘示图9的局部放大图；图11是绘示沿着图9的线段I’、II’的剖面图。具体实施方式以下将以附图揭露本专利技术的多个实施方式，为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种主动元件阵列基板，其特征在于，包含：一基板；至少一扫描线，位于该基板上；至少一数据线，位于该基板上，并与该扫描线交错设置；至少一第一薄膜晶体管，位于该基板上，该第一薄膜晶体管的一栅极电性连接该扫描线，该第一薄膜晶体管的一源极电性连接该数据线；至少一第一像素电极，位于该基板上，并电性连接该第一薄膜晶体管的一漏极；至少一黑色矩阵，位于该基板上，并至少部分覆盖该第一薄膜晶体管；至少一色阻，位于该基板上，该色阻与该黑色矩阵之间具有至少一交界处；以及至少一第一遮光金属层，位于该基板上，并且不连接于该扫描线，该第一遮光金属层在该基板上的正投影与该交界处在该基板上的正投影至少部分重叠。

【技术特征摘要】
1.一种主动元件阵列基板，其特征在于，包含：一基板；至少一扫描线，位于该基板上；至少一数据线，位于该基板上，并与该扫描线交错设置；至少一第一薄膜晶体管，位于该基板上，该第一薄膜晶体管的一栅极电性连接该扫描线，该第一薄膜晶体管的一源极电性连接该数据线；至少一第一像素电极，位于该基板上，并电性连接该第一薄膜晶体管的一漏极；至少一黑色矩阵，位于该基板上，并至少部分覆盖该第一薄膜晶体管；至少一色阻，位于该基板上，该色阻与该黑色矩阵之间具有至少一交界处；以及至少一第一遮光金属层，位于该基板上，并且不连接于该扫描线，该第一遮光金属层在该基板上的正投影与该交界处在该基板上的正投影至少部分重叠；其中，该第一遮光金属层与该扫描线共同属于同一图案化金属层，并且该第一遮光金属层具有浮动电位。2.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该第一遮光金属层与该扫描线之间具有至少一间隙；以及还包含：一第二遮光金属层，该第二遮光金属层在该基板上的正投影与该间隙在该基板上的正投影至少部分重叠。3.根据权利要求2所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该第二遮光金属层与该数据线共同属于同一图案化金属层，且该第二遮光金属层具有浮动电位。4.根据权利要求2所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该间隙在该基板上的正投影与该交界处在该基板上的正投影至少部分重叠。5.根据权利要求2所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该第一像素电极在该基板上的正投影与该第二遮光金属层在该基板上的正投影至少部分重叠。6.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该第一像素电极在该基板上的正投影与该第一遮光金属层在该基板上的正投影至少部分重叠。7.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，还包含：一储存电容；以及一储存电容走线，电性连接该第一薄膜晶体管的该漏极与该储存电容的一极，该储存电容走线在该基板上的正投影与该扫描线在该基板上的正投影分开。8.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，还包含：一储存电容；以及一储存电容走线，电性连接该第一薄膜晶体管的该漏极与该储存电容的一极，该储存电容走线在该基板上的正投影与该第一遮光金属层在该基板上的正投影至少部分重叠。9.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该黑色矩阵的材质包含树脂材料。10.根据权利要求9所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该第一像素电极定义一第一显示区，位于两相邻的该些数据线间的该黑...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴尚杰，何昇儒，林弘哲，邱家祥，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71