一种高反射系数的微波谐波调配器。这种高反射系数的微波谐波调配器由第一微波连接器(C1)、微波开槽传输线(SL)、中心导体(CC)、第二微波连接器(C2)、高次谐波全反射装置(R)和外壳(B)组成，而高次谐波全反射装置(R)则由金属短路线(L)、金属弹片(T)、介质(D)和固定腔(P)组成。第一微波连接器(C1)和第二微波连接器(C2)通过中心导体(CC)连接到微波开槽传输线(SL)的两端，金属短路线(L)和金属弹片(T)电连接，金属短路线(L)和金属弹片(T)纵向长度相加的有效电长度等于高次谐波波长的四分之一，金属弹片(T)和中心导体(CC)接触，因此高次谐波全反射装置(R)可沿着中心导体(CC)作水平移动。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种高反射系数的微波谐波调配器。这种高反射系数的微波谐波调配器由第一微波连接器(C1)、微波开槽传输线(SL)、中心导体(CC)、第二微波连接器(C2)、高次谐波全反射装置(R)和外壳(B)组成，而高次谐波全反射装置(R)则由金属短路线(L)、金属弹片(T)、介质(D)和固定腔(P)组成。第一微波连接器(C1)和第二微波连接器(C2)通过中心导体(CC)连接到微波开槽传输线(SL)的两端，金属短路线(L)和金属弹片(T)电连接，金属短路线(L)和金属弹片(T)纵向长度相加的有效电长度等于高次谐波波长的四分之一，金属弹片(T)和中心导体(CC)接触，因此高次谐波全反射装置(R)可沿着中心导体(CC)作水平移动。【专利说明】一种高反射系数的微波谐波调配器
本技术涉及一种高反射系数的微波谐波调配器，尤其是一种对于基波低损耗而对于高次谐波高反射的相位可调的可处理大功率及可宽带应用的用于改善微波器件及系统的线性及特性参数的微波谐波调配器。
技术介绍
在微波器件及系统的研制中，研究人员除了要研究基波(频率为&)的特性外，还要研究高次谐波(频率为Iiftl，其中η > 2)对基波的影响，传统的做法是用低通滤波器将高次谐波全部过滤掉，白白浪费了这些高次谐波。研究表明(见美国作者Inder J.Bahl著作《Fundamentals of RF and Microwave Transistor Amplifiers》,第 217 页-第 222页)，在器件及系统的输出端将高次谐波在适当的相位上全反射回来，由于谐波和基波的相互作用，可以大大改善器件及系统的增益、功率附加效率PAE (Power Added Efficiency)等参数，改善器件及系统的线性。为此，美国的MAURY MICROWAVE CORPORAT1N采用复用器(Multiplexer)加上多个基本的调配器(含&，2&, 频率等)来实现上述功能,但由于复用器带宽的限制以及存在损耗，因此高次谐波的反射系数不高，也限制了系统的带宽，同时容易产生寄生振荡，对改善微波器件及系统的线性及特性参数未能达到最佳效果。
技术实现思路
为了最大限度地利用高次谐波，改善微波器件及系统的增益、功率附加效率PAE(Power Added Efficiency)等参数,改善器件及系统的线性,本技术提供一种高反射系数的微波谐波调配器，尤其是一种对于基波低损耗而对于高次谐波高反射的、相位可调的、可处理大功率的、可宽带应用的、用于改善微波器件及系统的线性及特性参数的微波谐波调配器。 本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:它由第一微波连接器、微波开槽传输线、中心导体、第二微波连接器、高次谐波全反射装置和外壳组成，高次谐波全反射装置由金属短路线、金属弹片、介质和固定腔组成，其中第一微波连接器和第二微波连接器通过中心导体分别连接到微波开槽传输线的两端，金属短路线和金属弹片电连接，金属短路线和金属弹片纵向长度相加的有效电长度等于高次谐波波长的四分之一，金属弹片和中心导体接触，金属短路线插入介质中，由固定腔加以固定，高次谐波全反射装置可沿着中心导体作水平移动。根据微波每四分之一波长阻抗的性质改变一次的原理，由于金属短路线顶端是开路的，因此，在中心导体和金属弹片的接触点，对于高次谐波是短路的，即对高次谐波在开槽传输线上是全反射的；而对于基波，该全反射装置对其衰减极小，基波可极小损耗通过开槽传输线，因此可处理大功率，可宽带应用，并减少了低频段寄生振荡的风险?’另夕卜，整个全反射装置可沿中心导体水平移动，因此，全反射的高次谐波的相位是可调的。当高次谐波全反射装置的数量为I个时，可进行一个高次谐波频率的谐波调配；当高次谐波全反射装置的数量为2个时，可进行2个高次谐波频率的谐波调配；如此类推，原理相同。 本技术的有益效果是，基波可极小损耗通过开槽传输线，而高次谐波在开槽传输线上全反射，且全反射高次谐波的相位是可调的，因而可以处理大功率，可宽带应用，并减少了低频段寄生振荡的风险，从而使得最大限度地利用高次谐波、改善微波器件及系统的特性参数及线性成为可能。 【专利附图】【附图说明】 下面结合附图和实施例对本技术作进一步说明。 图1是本技术的结构原理图。 图2是本技术实现的高次谐波全反射示意图。 图3是本技术实施例结构图。 图中 Cl:第一微波连接器，SL:微波开槽传输线，C2:第二微波连接器，CC:中心导体，R:高次谐波全反射装置，L:金属短路线，T:金属弹片，D:介质，P:固定腔，B:外壳； nfQ:n 次谐波(η 彡 2); Rl:2次谐波全反射装置，R2:3次谐波全反射装置，LI:2次谐波金属短路线，L2:3次谐波金属短路线。 【具体实施方式】 在图1中，它由第一微波连接器(Cl)、微波开槽传输线(SL)、中心导体(CC)、第二微波连接器(C2)、高次谐波全反射装置(R)和外壳(B)组成，而高次谐波全反射装置(R)则由金属短路线(L)、金属弹片(T)、介质(D)和固定腔(P)组成。第一微波连接器(Cl)和第二微波连接器(C2)通过中心导体(CC)连接到微波开槽传输线(SL)的两端，金属短路线(L)和金属弹片(T)电连接，金属短路线(L)和金属弹片(T)纵向长度相加的有效电长度等于高次谐波波长的四分之一，金属弹片(T)和中心导体(CC)接触，金属短路线(L)插入介质(D)中，由固定腔体(P)加以固定，高次谐波全反射装置(R)可沿着中心导体(CC)作水平移动。 在图2的极坐标圆图中，η次谐波(频率为nfO)的反射系数接近I (全反射)，并且其相位可以从0-360度任意调节，其相位对应着高次谐波全反射装置(R)沿中心导体(CC)的水平移动位置。 在图3所示的实施例中，有2个高次谐波全反射装置Rl和R2。Rl由2次谐波金属短路线(LI)、金属弹片(T)、介质⑶和固定腔⑵组成，2次谐波金属短路线(LI)和金属弹片(T)纵向长度相加的有效电长度等于2次谐波波长的四分之一，因此，对于2次谐波是短路的，即对2次谐波在开槽传输线上是全反射的；而对于频率为A的基波，该全反射装置对其衰减极小，基波可极小损耗通过开槽传输线，此外，由于2次谐波全反射装置(Rl)可沿着中心导体(CC)作水平移动，因此，2次谐波全反射的相位可以任意调节。R2由3次谐波金属短路线(L2)、金属弹片(T)、介质(D)和固定腔(P)组成，3次谐波金属短路线(L2)和金属弹片(T)纵向长度相加的有效电长度等于3次谐波波长的四分之一，因此，对于3次谐波是短路的，即对3次谐波在开槽传输线上是全反射的；而对于频率为&的基波，该全反射装置对其衰减极小，基波可极小损耗通过传输线，此外，由于3次谐波全反射装置(R2)也可沿着中心导体(CC)作水平移动，因此，3次谐波全反射的相位也是可以任意调节。【权利要求】1.一种高反射系数的微波谐波调配器，它由第一微波连接器(Cl)、微波开槽传输线(SL)、中心导体(CC)、第二微波连接器(C2)、高次谐波全反射装置(R)和外壳⑶组成，高次谐波全反射装置(R)由金属短路线(本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高反射系数的微波谐波调配器，它由第一微波连接器(C1)、微波开槽传输线(SL)、中心导体(CC)、第二微波连接器(C2)、高次谐波全反射装置(R)和外壳(B)组成，高次谐波全反射装置(R)由金属短路线(L)、金属弹片(T)、介质(D)和固定腔(P)组成，其特征是：第一微波连接器(C1)和第二微波连接器(C2)通过中心导体(CC)连接到微波开槽传输线(SL)的两端，金属短路线(L)和金属弹片(T)电连接，金属短路线(L)和金属弹片(T)纵向长度相加的有效电长度等于高次谐波波长的四分之一，金属弹片(T)和中心导体(CC)接触，金属短路线(L)插入介质(D)中，由固定腔(P)加以固定，高次谐波全反射装置(R)可沿着中心导体(CC)作水平移动。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曾瑞枫，黄秀群，
申请(专利权)人：黄秀群，曾广兴，
类型：新型
国别省市：广东;44
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