一种新型NOR Flash译码电路制造技术

本发明专利技术提供了一种新型NOR Flash译码电路，所述电路由NMOS管阵列组成，其特征为：第一横排NMOS管的源极接不同的PS引线，栅极接相同的PG引线，漏极与第二横排NMOS管的源极相连，并分别引出字线WL；第二横排NMOS管的源极与第一横排NMOS管的漏极相连，栅极接相同的NG，漏极与位于第三横排的NMOS管的源极相连；第三横排只包含一个NMOS管，其源极与第二横排的NMOS管的漏极相连，栅极接片选信号CHIPG，漏极接PG，通过只采用NMOS译码的方式，避免了引入PMOS所需的N阱，减小了电路面积，同时通过组合不同尺寸的NMOS管提高了电路的读取速度。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种新型NOR Flash译码电路，所述电路由NMOS管阵列组成，其特征为：第一横排NMOS管的源极接不同的PS引线，栅极接相同的PG引线，漏极与第二横排NMOS管的源极相连，并分别引出字线WL；第二横排NMOS管的源极与第一横排NMOS管的漏极相连，栅极接相同的NG，漏极与位于第三横排的NMOS管的源极相连；第三横排只包含一个NMOS管，其源极与第二横排的NMOS管的漏极相连，栅极接片选信号CHIPG，漏极接PG，通过只采用NMOS译码的方式，避免了引入PMOS所需的N阱，减小了电路面积，同时通过组合不同尺寸的NMOS管提高了电路的读取速度。【专利说明】一种新型NOR FI ash译码电路
本专利技术涉及电路
，尤其涉及一种新型NOR Flash译码电路。
技术介绍
NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术，NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP，execute In Place)，这样应用程序可以直接在Flash闪存内运 行，不必再把代码读到系统RAM中，因此稳定性和传输效率很高，这很适合用于嵌入式系统 作为NOR FLASH ROM。目前，NOR FLASH已在SOC芯片中广泛应用。 所有的存储器（或I/O接口）都以地址来相互区分，根据访问存储器（或访问1/ 〇接口）指令中的地址信息，其地址译码电路产生相应的地址选中信号，以选中所需的存储 器（或I/O接口）。 现有NOR Flash的译码电路采用的是NMOS和PMOS混合译码的方式，采用此方式 所设计的译码电路由于需要分别引入N阱和P阱，因此所占的面积较大，不利于NOR Flash 存储密度的提高，译码电路在NOR flash中，负责把不同工作状态下的电压传输给cell，分 Y方向（传输给cell的drain)和X方向（传输给cell的wordline)两个方向的译码，其 中的X方向既要传输正电压又要传输负电压，使得电路会很复杂，占用很大的面积，因此也 就增加了单位存储量的成本，此外现有NOR Flash译码电路的读写速度较慢也是亟待解决 的问题。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种新的NOR Flash译码电路，来减小译码电路的面积并增 加读写速度。 具体技术方案如下： 第一横排NMOS管的源极接不同的PS引线，栅极接相同的PG引线，漏极与第二横 排匪OS管的源极相连，并分别引出字线WL，其中PS表示wordline所需的正压信号，一个 bank共用；PG表不传输正压PS的信号，一个sector共用。 第二横排NMOS管的源极与第一横排NMOS管的漏极相连，栅极接相同的NG，漏极与 位于第三横排的NMOS管的源极相连，其中NG表示传输零或者负压的信号，一个sector共 用。 第三横排只包含一个NMOS管，其源极与第二横排的NMOS管的漏极相连，栅极接片 选信号CHIPG，漏极接PG。 进一步地，NMOS管阵列共包括2N+1 (N彡1)个NMOS管，其中第一横排NMOS管和 第二横排NMOS管的数量一样，都为N(N多1)个，第三横排NMOS管数量为1个，NMOS的个 数会根据结构的不同。 进一步地，第三横排NMOS管的宽长比大于第二横排NMOS管的宽长比，第二横排 NMOS管的宽长比大于第一横排NMOS管的宽长比。NMOS管的宽长比越大，电流增大，这样电 路的读取速度会加快。 进一步地，当执行写操作时，PG引线端加5V至15V的电压，NG端接OV电压，CHIPG 端接电源电压，PS引线端可选择接4V至12V的电压或者接OV电压； 当执行擦除操作时，PS引线端均接OV电压，NG端接OV电压，PG引线端可选择 接-5V至-12V的电压或者接OV电压。 进一步地，当执行写操作时，对于选中的sector，PG引线端加5V至15V电压，NG 端接OV电压，CHIPG端接电源电压，选中的PS引线端加4V至12V电压，未选中的PS端接 OV电压； 对于与选中的所述sector同一个bank的未选中sector，PG引线端加OV电压，NG 端接电源电压，CHIPG端接电源电压，选中的PS引线端加4V至12V电压，未选中的PS端接 OV电压； 对于与选中的所述sector不同bank的未选中sector，PG引线端加OV电压，NG 端接电源电压，CHIPG端接电源电压，PS端接OV电压。 当执行擦除操作时，PS引线端均接OV电压，NG端接OV电压，PG引线端对于选中 的接-5V至-12V电压，没有选中的接OV电压；CHIPG端对于选中的bank接OV电压，未选 中的sector接-5V至-12V电压。 与现有技术相比，采用本专利技术提供的技术方案具有如下优点：通过只采用NMOS译 码的方式，避免了引入PMOS所需的N讲，减小了电路面积，同时通过组合不同尺寸的NMOS 管提高了电路的读取速度。 【专利附图】【附图说明】 图1为根据本专利技术的实施例的一种新型NOR Flash译码电路的示意图。 【具体实施方式】 下面详细描述本专利技术的实施例。 所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类 似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅 用于解释本专利技术，而不能解释为对本专利技术的限制。下文的公开提供了许多不同的实施例或 例子用来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术的公开，下文中对特定例子的部件和设 置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本专利技术。此外，本专利技术可以在不同 例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨 论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本专利技术提供了的各种特定的电路和器件的例 子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他电路的可应用于性和/或其他器件的使用。 本专利技术提供了一种NOR Flash译码电路。下面，将结合图1通过本专利技术的一个实 施例对此电路进行具体描述。如图1所示，本专利技术所提供的NOR Flash译码电路包括以下 部分： 本专利技术所述NOR Flash译码电路包括： 如图1，第一横排NMOS管的源极接不同的PS引线，栅极接相同的PG引线，漏极与 第二横排NMOS管的源极相连，并分别引出字线WL ; 第二横排NMOS管的源极与第一横排NMOS管的漏极相连，栅极接相同的NG，漏极与 位于第三横排的NMOS管的源极相连； 第三横排只包含一个NMOS管，其源极与第二横排的NMOS管的漏极相连，栅极接片 选信号CHIPG，漏极接PG。 其中NMOS管阵列共包括33个NMOS管，其中第一横排NMOS管和第二横排NMOS管 分别包括16个NMOS管，第三横排NMOS管数量为1个；另外NMOS的个数会根据结构的不 同，也可以第一横排和第二横排为8个，第三横排的一个。 同时，第三横排NMOS管的宽长比大于第二横排NMOS管的宽长比，第二横排NMOS 管的宽长比大于第一横排NMOS管的宽长比。 当执行写操作时，对于选中的sector，PG引线端本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型NOR Flash译码电路，所述电路由NMOS管阵列组成，其特征在于：第一横排NMOS管的源极接不同的PS引线，栅极接相同的PG引线，漏极与第二横排NMOS管的源极相连，并分别引出字线WL；第二横排NMOS管的源极与第一横排NMOS管的漏极相连，栅极接相同的NG，漏极与位于第三横排的NMOS管的源极相连；第三横排只包含一个NMOS管，其源极与第二横排的NMOS管的漏极相连，栅极接片选信号CHIPG，漏极接PG。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴兴隆，
申请(专利权)人：武汉云雅科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42