本发明专利技术涉及一种有机电致发光器件及其制备方法,该有机电致发光器件为层状结构,该层状结构为:依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层;所述散射层包括三元掺杂层;所述三元掺杂层的材质包括高功函数金属、荧光发光材料以及具有空穴注入能力的金属氧化物。本发明专利技术有机电致发光器件的散射层可提高空穴的注入能力,提高光色纯度,提高空穴的注入效率,同时,降低散射层与空穴注入层之间的空穴势垒,从而有利于提高出光效率。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种,该有机电致发光器件为层状结构,该层状结构为:依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层;所述散射层包括三元掺杂层;所述三元掺杂层的材质包括高功函数金属、荧光发光材料以及具有空穴注入能力的金属氧化物。本专利技术有机电致发光器件的散射层可提高空穴的注入能力,提高光色纯度,提高空穴的注入效率,同时,降低散射层与空穴注入层之间的空穴势垒,从而有利于提高出光效率。【专利说明】
本专利技术涉及光电子器件领域,尤其涉及一种有机电致发光器件。本专利技术还涉及该有机电致发光器件的制备方法。
技术介绍
1987年,美国Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度,高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。1V下亮度达到1000cd/m2,其发光效率为1.511m/W、寿命大于100小时。 现有发光器件中,器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的,而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部,界面之间存在折射率的差(如玻璃与ITO之间的折射率之差)。具体而言,当现有发光器件的玻璃折射率为1.5,ITO为1.8,光从ITO到达玻璃,就会发生全反射,引起了全反射的损失,从而导致整体出光性能较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决上述现有技术存在的问题和不足,提供一种以提高有机电致发光器件的出光效率。 本专利技术针对上述技术问题而提出的技术方案为:一种有机电致发光器件,该有机电致发光器件为层状结构,该层状结构为:依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层;所述散射层包括三元掺杂层;所述三元掺杂层的材质包括功函数为-4.0?-5.5eV的高功函数金属、荧光发光材料以及具有空穴注入能力的金属氧化物;所述的荧光发光材料为4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (I, I, 7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10- 二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4,4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1,I’-联苯(BCzVBi )或8_羟基喹啉铝(Alq3)。 进一步地,所述高功函数金属、所述荧光发光材料以及所述金属氧化物的掺杂质量比为 1:2:10 ?3:20:40。 进一步地,所述高功函数金属为银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)或金(Au);所述金属氧化物为三氧化钥(MoO3)、三氧化鹤(WO3)或五氧化二fL (V2O5)。 进一步地,所述玻璃基底的折射率为1.8以上,可见光透过率为90%以上。所述可见光的波长优选为400nm。 进一步地,所述三元掺杂层的厚度为20?120nm。 进一步地,所述阳极层的材质为铟锡氧化物(ΙΤ0)、铝锌氧化物(AZO)或铟锌氧化物(IZO); 所述空穴注入层的材质为三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5); 所述空穴传输层的材质为I, 1- 二 苯基]环己烷(TAPC)、4,4’,4’’_ 三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N,N’ - (1-萘基)-N,N’- 二苯基-4,4’-联苯二胺(NPB); 所述发光层的材质为4_(二腈甲基)-2_ 丁基-6-( I, I, 7,7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10-二-β-亚萘基蒽(ADN)、4,4’_双(9-乙基_3_咔唑乙烯基)_1,I’-联苯(BCzVBi)或8-羟基喹啉铝(Alq3); 所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、l,2,4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI); 所述电子注入层的材质为碳酸铯(Cs2C03)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)或者氟化M(LiF)0 所述阴极为银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)或金(Au)。 本专利技术还提出一种有机电致发光器件的制备方法,其包括如下步骤: (a)在玻璃基底上通过磁控溅射设备来制备阳极层; (b)使用热阻蒸镀设备在步骤(a)制得的阳极层上制备三元掺杂层,从而得到所述散热层;其中,所述三元掺杂层的材质包括功函数为-4.0?-5.5eV的高功函数金属、荧光发光材料以及具有空穴注入能力的金属氧化物; 所述荧光发光材料为4_(二腈甲基)-2_ 丁基-6-( 1,1,7,7-四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4’-双(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1,I,-联苯或8-羟基喹啉铝; 所述高功函数金属、所述荧光发光材料以及所述金属氧化物的掺杂质量比为1:2:10 ?3:20:40 ; ( c )在步骤(b )制得的散射层上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层,从而得到所述的有机电致发光器件。 进一步地,在所述步骤(a)中,所述磁控派射设备的加速电压为300?800V,磁场为50?200G,功率密度为I?40W/cm2。 进一步地,在所述步骤(b)中,所述热阻蒸镀设备的蒸镀速率为10?100W/cm2,所述三元掺杂层的厚度为100?300nm。 进一步地,在所述步骤(c )中,所述空穴传输层、发光层以及电子传输层的蒸镀速率为0.1?lnm/s,所述阴极层的蒸镀速率为I?10nm/s。 所述散射层的各组分的性能如下:所述散射层的高功函数金属可提高空穴的注入能力;所述散射层的荧光发光材料与发光层的一致,可对发光光色进行补充,提高光色纯度,有效提高发光效率;所述散射层的金属氧化物可提高空穴的注入效率,同时,降低散射层与空穴注入层之间的空穴势垒.,这种方法有利于提闻出光效率,从而有利于提闻出光效率。上述HOMO能级是源自前线轨道理论的说法,是指已占有电子的能级最高的轨道,是给予电子的能力的表征。 总而言之,与现有技术相比,本专利技术的机电致发光器件及其制备方法,具有以下的优点:本专利技术有机电致发光器件的散射层可提闻空穴的注入能力,提闻光色纯度,提闻空穴的注入效率,同时,降低散射层与空穴注入层之间的空穴势垒,从而有利于提高出光效率。 【专利附图】【附图说明】 图1是本专利技术实施例1的有机电致发光器件的结构示意图。 图2是实施例1的有机电致发光器件与对比例的电流密度与电流效率的关系图。 【具体实施方式】 以下结合实施例,对本专利技术予以进一步地详尽阐述。 实施例1 如图1所示,本实施例中的有机电致发光器件为层状结构,每层依次为: 玻璃基底101、阳极层102、三元掺杂层103、空穴注入层104、空穴传输层105、发光层106、电子传输层107、电子注入层108以及阴极层109。所述三元掺杂层103组成所述散热层。该有机电致发光器件的结构为玻璃基底/IT0/A1 = BCzVB1:Mo03/W03/NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Ag,其中斜杆“/”表不层状结构,冒号“:”表不相互掺杂。) 上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备: (一)镀膜的预处理 取出玻璃牌号为N-LASF44的玻璃基底1本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机电致发光器件,该有机电致发光器件为层状结构,其特征在于,该层状结构为:依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层,所述散射层包括三元掺杂层;所述三元掺杂层的材质包括高功函数金属、荧光发光材料以及具有空穴注入能力的金属氧化物;所述的荧光发光材料为4‑(二腈甲基)‑2‑丁基‑6‑(1,1,7,7‑四甲基久洛呢啶‑9‑乙烯基)‑4H‑吡喃、9,10‑二‑β‑亚萘基蒽、4,4'‑双(9‑乙基‑3‑咔唑乙烯基)‑1,1'‑联苯或8‑羟基喹啉铝。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:周明杰,黄辉,张振华,王平,
申请(专利权)人:海洋王照明科技股份有限公司,深圳市海洋王照明技术有限公司,深圳市海洋王照明工程有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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