有机电致发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为：依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；所述散射层包括金属掺杂层与三元掺杂层；其中，所述金属掺杂层的材质包括有机硅小分子与高功函数金属，所述三元掺杂层的材质包括有机硅小分子、空穴传输材料与金属氧化物。本发明专利技术有机电致发光器件的散热层中的金属掺杂层提高空穴的注入能力，加强光的散射，提高出光效率；三元掺杂层降低两层之间的空穴注入势垒，提高空穴传输速率，提高空穴注入效率，从而有利于提高出光效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为：依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；所述散射层包括金属掺杂层与三元掺杂层；其中，所述金属掺杂层的材质包括有机硅小分子与高功函数金属，所述三元掺杂层的材质包括有机硅小分子、空穴传输材料与金属氧化物。本专利技术有机电致发光器件的散热层中的金属掺杂层提高空穴的注入能力，加强光的散射，提高出光效率；三元掺杂层降低两层之间的空穴注入势垒，提高空穴传输速率，提高空穴注入效率，从而有利于提高出光效率。【专利说明】
本专利技术涉及光电子器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件。本专利技术还涉及该有机电致发光器件的制备方法。
技术介绍
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。1V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.511m/W、寿命大于100小时。 现有发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差(如玻璃与ITO之间的折射率之差)。具体而言，当现有发光器件的玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射，引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决上述现有技术存在的问题和不足，提供一种以提高有机电致发光器件的出光效率。 本专利技术针对上述技术问题而提出的技术方案为:一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为:依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；所述散射层包括金属掺杂层与三元掺杂层；其中， 所述金属掺杂层的材质包括有机硅小分子与高功函数金属，所述三元掺杂层的材质包括有机硅小分子、空穴传输材料与金属氧化物； 所述的有机娃小分子为二苯基二(O-甲苯基)娃(UGH1)、p- 二 (三苯基娃)苯(UGH2 )、I，3-双(三苯基硅)苯(UGH3 )或p-双(三苯基硅)苯(UGH4 )； 所述的空穴传输材料为1，1-二 苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，f -(1_萘基)-队& -二苯基-4，4'-联苯二胺(NPB); 所述金属氧化物为三氧化钥(MoO3)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5)。 进一步地,所述的有机娃小分子与金属的掺杂质量比为1:2?1:5 ;所述有机娃小分子、空穴传输材料与金属氧化物的掺杂质量比为4:10:1?10:30:1。 进一步地,所述高功函数金属为银(Ag)、招(Al) JQ(Pt)或金(Au)。 进一步地，所述玻璃基底的折射率为1.8以上，可见光透过率为90%以上。所述可见光的波长优选为400nm。 进一步地，所述金属掺杂层的厚度为20?50nm，所述三元掺杂层的厚度为80?200nmo 进一步地，所述阳极层的材质为铟锡氧化物(ΙΤ0)、铝锌氧化物(AZO)或铟锌氧化物(IZO)； 所述空穴注入层的材质为三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5)； 所述空穴传输层的材质为1，1-二 苯基]环己烧(丁八卩0、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(1'0^)、或队& - (1-萘基)-N，N' -二苯基-4，4'-联苯二胺(NPB); 所述发光层的材质为4_(二腈甲基)-2_ 丁基-6-( I, I, 7，7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亚萘基蒽(ADN)、4，4’_双(9-乙基_3_咔唑乙烯基)_1，I’-联苯(BCzVBi)或8-羟基喹啉铝(Alq3)； 所述电子传输层的材质为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)； 所述电子注入层的材质为碳酸铯(Cs2C03)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)或者氟化锂(LiF)； 所述阴极为银(Ag)、铝(Al) JS(Pt)或金(Au)。 本专利技术还包括一种有机电致发光器件的制备方法，其包括如下步骤: (a)在玻璃基底上通过磁控溅射设备来制备阳极层； (b)使用热阻蒸镀设备在步骤(a)制得的阳极层上制备金属掺杂层，然后在所述金属掺杂层上制备所述三元掺杂层，从而得到所述散热层；其中， 所述金属掺杂层的材质包括掺杂质量比为1:2?1:5的有机娃小分子与高功函数金属，所述三元掺杂层的材质包括掺杂质量比为4:10:1?10:30:1的有机娃小分子、空穴传输材料与金属氧化物； 所述的有机娃小分子为二苯基二(O-甲苯基)娃、p_ 二 (三苯基娃)苯、1，3_双(三苯基娃)苯或p-双(三苯基娃)苯; 所述的空穴传输材料为1，1-二 苯基]环己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N' -(1-萘基)_队& - 二苯基-4，4’-联苯二胺； 所述金属氧化物为三氧化钥、三氧化钨或五氧化二钒； ( c )在步骤(b )制得的散射层上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，从而得到所述的有机电致发光器件。 进一步地，在所述步骤(a)中磁控溅射设备的加速电压为300?800V，磁场为50?200G，功率密度为I?40W/cm2。 进一步地，在所述步骤(b)中，所述热阻蒸镀设备的蒸镀速率为0.1?lnm/s，所述金属掺杂层的厚度为20?50nm，所述三元掺杂层的厚度为80?200nm。 进一步地，在所述步骤(c )中，所述空穴传输层、所述发光层以及所述电子传输层的蒸镀速率为0.1?lnm/s,所述阴极层的蒸镀速率为I?10nm/s。 所述散射层的各组分的性能如下:所述散射层的空穴传输材料可提高空穴的传输速率，同时，其HOMO能级较低，可进一步提高空穴的注入能力；所述散射层的金属的功函数较高，可提高空穴的注入能力；所述散射层的有机硅小分子具有较宽的能隙，其HOMO能级很低，可提高空穴的注入能力，而且玻璃化转变温度都很低(50度以下)，极易结晶，结晶后的晶体结构对光有散射作用，加强光的散射，提高出光效率，且有机娃小分子在三兀掺杂层和金属掺杂层中一致，可以最大可能的降低两层之间的空穴注入势垒，提高空穴注入能力；所述散射层的空穴传输材料提高空穴传输速率；所述散射层的金属氧化物具有空穴注入能力，可提高空穴注入效率，从而有利于提高出光效率。上述HOMO能级是源自前线轨道理论的说法，是指已占有电子的能级最高的轨道，是给予电子的能力的表征。 总而言之，与现有技术相比，本专利技术的机电致发光器件及其制备方法，具有以下的优点:本专利技术有机电致发光器件散热层中的金属掺杂层提高空穴的注入能力，加强光的散射，提闻出光效率；二兀惨杂层降低两层之间的空穴注入势垒.，提闻空穴传输速率，提闻空穴注入效率，从而有利于提闻出光效率。 【专利附图】本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为：依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；其特征在于，所述散射层包括金属掺杂层与三元掺杂层；其中，所述金属掺杂层的材质包括有机硅小分子与高功函数金属，所述三元掺杂层的材质包括有机硅小分子、空穴传输材料与金属氧化物；所述有机硅小分子为二苯基二（o‑甲苯基）硅、p‑二（三苯基硅）苯、1,3‑双（三苯基硅）苯或p‑双（三苯基硅）苯；所述空穴传输材料为1,1‑二[4‑[N,N'‑二(p‑甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''‑三(咔唑‑9‑基)三苯胺或N,N'‑（1‑萘基）‑ N,N'‑二苯基‑4,4'‑联苯二胺；所述金属氧化物为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，黄辉，张振华，王平，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44