本发明专利技术提供一种改善元件的发光效率，充分确保驱动稳定性，且具有简略的构成的有机电场发光元件(有机EL元件)。本发明专利技术的有机电场发光元件是在积层于基板上的阳极与阴极之间具有多个有机层的有机电场发光元件，且在该有机层中的至少一个层中含有咔唑化合物，上述咔唑化合物具有2个～3个的咔唑环与二苯并呋喃或二苯并噻吩环以1位与4位键结而成的结构且由下述通式(1)所表示。式(1)中，A为n价的芳香族烃基或芳香族杂环基，n为2或3的整数，X为氧或硫。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供一种改善元件的发光效率，充分确保驱动稳定性，且具有简略的构成的有机电场发光元件(有机EL元件)。本专利技术的有机电场发光元件是在积层于基板上的阳极与阴极之间具有多个有机层的有机电场发光元件，且在该有机层中的至少一个层中含有咔唑化合物，上述咔唑化合物具有2个～3个的咔唑环与二苯并呋喃或二苯并噻吩环以1位与4位键结而成的结构且由下述通式(1)所表示。式(1)中，A为n价的芳香族烃基或芳香族杂环基，n为2或3的整数，X为氧或硫。【专利说明】有机电场发光元件
本专利技术涉及一种使用包含具有特定结构的咔唑化合物的有机电场发光元件用材 料的有机电场发光元件，详细而言，本专利技术涉及一种对包含有机化合物的发光层施加电场 而发出光的薄膜型元件（film type device)。
技术介绍
通常，有机电场发光元件（以下，称为有机电致发光（electroluminescence，EL) 元件）的最简单的构造包含发光层及夹持该层的一对对向电极。即，有机EL元件是利用如 下现象：若在两电极间施加电场，则自阴极注入电子，自阳极注入空穴，该些在发光层中再 结合而发出光。 近年来，越发广泛地进行使用有机薄膜的有机EL元件的开发。尤其为了提高发光 效率，以提高载子（carrier)自电极的注入效率为目的而进行电极的种类的最佳化，藉由 在电极间以薄膜的形式设置有包含芳香族二胺的空穴传输层与包含三（8-羟基喹啉）铝错 合物（以下，称为Alq3)的发光层的元件的开发，而与现有的使用蒽等的单晶的元件相比发 光效率得到大幅度改善，因此以对具有自发光?高速响应性（responsiveness)等特征的高 性能平板（flat panel)的实用化为目标而不断推进。 另外，作为提高元件的发光效率的尝试，也研宄不使用萤光而使用磷光。以上述的 设置有包含芳香族二胺的空穴传输层与包含Alq3的发光层的元件为代表的多种元件是利 用萤光发光，但藉由使用磷光发光、即利用来自三重态激发状态的发光，而与现有的使用萤 光（单态）的元件相比，期待3倍?4倍左右的效率的提高。为了此目的而研宄以香豆素 衍生物或二苯甲酮衍生物作为发光层，但仅获得极低的亮度。另外，作为利用三重态激发状 态的尝试，研宄使用铕错合物，但其也未达成高效率的发光。近年来，如专利文献1中所列 举般以发光的高效率化或长寿命化为目的而以铱错合物等有机金属错合物为中心进行大 量研宄。 现有技术文献 专利文献 专利文献 1W001/041512A1 专利文献2日本专利特开2001-313178号公报 专利文献 3US2006/0054861A1 专利文献4日本专利特开2009-267257号公报 专利文献5日本专利特开2009-267255号公报 专利文献 6W02007/119816A1 专利文献7日本专利特开2012-49518号公报 对于获得高发光效率而言，重要的是与上述掺杂剂材料（dopant material)同时 使用的主体材料（hostmaterials)。所提出的代表性的主体材料可列举专利文献2中所介 绍的咔唑化合物的4，f -二（9-咔唑基）联苯（CBP)。CBP在用作以三（2-苯基吡啶）铱 错合物（Ir (ppy) 3)为代表的绿色磷光发光材料的主体材料的情况下，由于CBP的容易使空 穴流动且不易使电子流动的特性，而电荷注入传输平衡（balance)被破坏，过剩的空穴流 出至电子传输层侧，结果源自Ir(ppy)3的发光效率降低。 如上所述，对于有机EL元件，为了获得高的发光效率，而必须具有高的三重态激 发能量（triplet excitation energy)，且在两电荷（空穴?电子）的注入传输特性方面获 得了平衡的主体材料。进而，理想的是电化学性稳定，且具备高的耐热性以及优异的非晶质 (amorphous)稳定性的化合物，而谋求进一步的改良。 专利文献3中，作为有机EL元件的主体材料揭示有如下所示的咔唑化合物。 【权利要求】1. 一种有机电场发光元件，其是在基板上积层阳极、有机层及阴极而成的有机电场发 光元件，其特征在于：在选自由发光层、空穴传输层、电子传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层 及激子阻挡层所组成的组群中的至少一个层中含有通式（1)所表示的咔唑化合物，此处，A为η价的碳数6?30的芳香族径基、碳数3?30的芳香族杂环基、或2个?6 个该些芳香族烃基、芳香族杂环基连结而成的芳香族基，η为2或3的整数，该芳香族烃基或 该芳香族杂环基具有取代基的情况下的取代基分别独立地为碳数1?10的烷基、碳数3? 10的环烷基、碳数1?10的烷氧基、-OAr、-N(Ar)2、或-Si(Ar)3; R分别独立地为氢、碳数1?10的烷基、碳数3?10的环烷基、碳数1?10的烷氧 基、-OAr、-N(Ar)2、-Si(Ar)3、碳数6?10的芳香族径基、碳数3?10的芳香族杂环基或2 个?3个该些芳香族径基、芳香族杂环基连结而成的芳香族基，Ar分别独立地为碳数6? 10的芳香族径基、碳数3?10的芳香族杂环基或2个?3个该些芳香族径基、芳香族杂环 基连结而成的芳香族基； X分别独立地为氧或硫。2. 根据权利要求1所述的有机电场发光元件，其中R为氢。3. 根据权利要求1所述的有机电场发光元件，其中A为下述式（2)?下述式（5)中任 一个所表示的η价的芳香族基，式⑵?式（5)中，Y分别独立地表示C、C(R)或氮，η个Y为C;其中，式（4)中的Y的 n+1个为C;n及R与通式（1)含义相同。4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机电场发光元件，其中含有通式（1)所表示 的咔唑化合物的层为含有磷光发光掺杂剂的发光层。【文档编号】C07D409/14GK104471734SQ201380037591 【公开日】2015年3月25日 申请日期:2013年7月11日 优先权日:2012年7月19日【专利技术者】甲斐孝弘, 田中秀辉 申请人:新日铁住金化学株式会社本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机电场发光元件，其是在基板上积层阳极、有机层及阴极而成的有机电场发光元件，其特征在于：在选自由发光层、空穴传输层、电子传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层及激子阻挡层所组成的组群中的至少一个层中含有通式(1)所表示的咔唑化合物，此处，A为n价的碳数6～30的芳香族烃基、碳数3～30的芳香族杂环基、或2个～6个该些芳香族烃基、芳香族杂环基连结而成的芳香族基，n为2或3的整数，该芳香族烃基或该芳香族杂环基具有取代基的情况下的取代基分别独立地为碳数1～10的烷基、碳数3～10的环烷基、碳数1～10的烷氧基、‑OAr、‑N(Ar)2、或‑Si(Ar)3；R分别独立地为氢、碳数1～10的烷基、碳数3～10的环烷基、碳数1～10的烷氧基、‑OAr、‑N(Ar)2、‑Si(Ar)3、碳数6～10的芳香族烃基、碳数3～10的芳香族杂环基或2个～3个该些芳香族烃基、芳香族杂环基连结而成的芳香族基，Ar分别独立地为碳数6～10的芳香族烃基、碳数3～10的芳香族杂环基或2个～3个该些芳香族烃基、芳香族杂环基连结而成的芳香族基；X分别独立地为氧或硫。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：甲斐孝弘，田中秀辉，
申请(专利权)人：新日铁住金化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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