【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在钠钙基基片上使用真空磁控溅射制备透明导电膜的方法。
技术介绍
在平板显示器件上通常利用磁控溅射技术对基片表面制备氧化铟锡透明导电膜。现有的连续式真空磁控溅射镀膜工艺是针对玻璃基片进行镀膜，由于钠钙基材料的特性，依旧使用原制备的氧化铟锡膜工艺制备，其电阻率、透过率和化学稳定性等参数均不能满足生产要求。因此，需要研发出专门用于钠钙基基片制备透明导电膜的方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是实现一种针对钠钙基基片制备高质量透明导电膜的方法。 为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为:一种在钠钙基基片上使用磁控溅射制备透明导电膜的方法，该方法具体步骤包括: 1将钠钙基基片放入磁控溅射设备的装载室，密封后进行抽真空； 以将钠钙基基片运送至加热室，将基片加热至150?2501 ； 0、将加热后的钠钙基基片运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行氧化铟锡膜沉积，依氧化铟锡面电阻值的不同，溅射室内阴极直流电源输入功率为0.6^?6“ ；； 么将镀膜完毕的基片运送至冷却室进行冷却； 6、将冷却后的基片放入卸载室，卸片。 所述的步骤6完成后，还设有检验步骤，评价钠钙基基片的电阻、透过率的理化参数。 利用注入气体流量，将装载室中压力控制在5即；将加热室中压力控制在6.0X10^8 ；将溅射室中压力控制在0.15-0.85？3。 所述的步骤(1冷却时间为10?30分钟。 所述的钠钙基基板是由一层玻璃基板和一层钠钙基层组成，所述的玻璃基板厚度为1.1111111,所述的钠.丐基层厚度为1?5 4 ...
【技术保护点】
一种在钠钙基基片上使用磁控溅射制备透明导电膜的方法，其特征在于，该方法具体步骤包括：a、脂基片放入磁控溅射设备的装载室，密封后进行抽真空；b、将钠钙基基片运送至加热室，将基片加热至150～250℃；c、将加热后的钠钙基基片运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行氧化铟锡膜沉积，依氧化铟锡面电阻值的不同，溅射室内阴极直流电源输入功率为0.6kw‑6kw；d、将镀膜完毕的基片运送至冷却室进行冷却；e、将镀膜完毕的基片放入卸载室，卸片。
【技术特征摘要】
1.一种在钠钙基基片上使用磁控溅射制备透明导电膜的方法，其特征在于，该方法具体步骤包括: a、脂基片放入磁控溅射设备的装载室，密封后进行抽真空； b、将钠钙基基片运送至加热室，将基片加热至150?250°C； C、将加热后的钠钙基基片运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行氧化铟锡膜沉积，依氧化铟锡面电阻值的不同，溅射室内阴极直流电源输入功率为0.6kw-6kw ； d、将镀膜完毕的基片运送至冷却室进行冷却； e、将镀膜完毕的基片放入卸载室，卸片。2.根据权利要求1所述的在钠钙基基片上使用磁控溅射制备氧化铟锡膜的方法，其特征在于:所述的步骤e完成后，还设有检验步骤，评价...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁萍，
申请(专利权)人：无锡慧明电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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