本发明专利技术涉及光能、微电子产业用材料技术领域,它公开了一种极微细镀镍铜合金丝及其制作方法,所述极微细镀镍铜合金丝包括极微细铜丝,所述极微细铜丝外设有一层镍膜层,所述极微细铜丝是以高纯铜为主体,添加改性元素熔炼而成。本发明专利技术可以防止先镀后拔时,由于内外成分硬度、塑性不同而致拉拔后膜层不均、线材不匀及表面皲裂现象,影响使用性能;同时既可有效防止铜丝氧化,又便于应用中的焊接,与现有镀钯铜丝、镀金铜丝相比,镀镍铜丝可以大大降低材料的成本。
【技术实现步骤摘要】
-种极微细锻镇铜合金丝及其制作方法
本专利技术涉及光能、微电子产业用材料
,尤其涉及到一种极微细锻媒铜合 金丝及其制作方法。
技术介绍
键合丝(bonding wire)是连接芯片与外部封装基板(substrate)和/或多层线路 板(PCB)的主要连接方式。键合丝发展趋势,从应用方向上主要是线径细微化、高车间寿命 (floor life) W及高线轴长度。 典型的半导体器件及L邸芯片的键合引线主体是金线、银线、铜线、锻金线、锻把 线或其合金线,除铜线外,使用的都是贵金属,而单纯的铜线极易氧化;通行的太阳能光伏 电池都是采用丝网印刷银浆作为栅线极,也是贵金属;贵金属因其价格昂贵,成本自是居高 不下,不利于产品的普及推广。而媒、铜相比于上述金、把等贵金属,有天壤之别;锻媒铜丝 不仅价格极其低廉,而且其导电、焊接性能非常优越,是替代贵金属,降低产品成本的最佳 选择。但是10几微米线径的铜丝张力只有不到几个g,非常不利于进行连续的表面热处理; 而铜导电率虽高但极易氧化,必须要经过表面处理才能满足微电子领域的键合所需。媒自 身具有很高的化学稳定性,在空气中与氧作用形成纯化膜,使媒锻层具有良好的抗大气腐 蚀性;但媒离子间空隙大,膜层处理不好,无法包裹母线,起不到抗氧化的作用。 中国专利201410333092. 5公开了一种半导体器件用键合铜合金丝,含有下述重 量配比的成分:铜100份,把0.5 - 1.5份,氨0.0005 - 0.002份。该专利技术还提供上 述合铜合金丝的一种制造方法,包括下述步骤;(0将铜和把烙合成铜把合金烙体,再经过 拉丝处理,获得铜把合金线材;(2)对铜把合金线材进行多道次拉拔,得到铜把合金丝;在 拉拔过程中及拉拔完成后进行退火处理,最后一次退火处理采用氮氨混合气作为退火气氛 ;(3)最后一次退火处理结束后,将铜把合金丝通入己醇水溶液中进行冷却,得到键合铜合 金丝。该专利技术的键合铜合金丝具有较强的抗氧化能力,在馬气氛下球焊时有较大的结合面 积和较高的结合强度,导电能力强,可靠性高,且制造工艺简单易行。但是该专利技术使用把比 较昂贵,成本自是居高不下,不利于产品的普及推广。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种极微细锻媒铜合金丝及其制作方法,W高纯铜丝为主 体,添加微量改性元素,在极微细层面进行真空离子锻媒表面处理,W满足微电子领域键合 线及光伏电池电极线所需。 为实现上述目的,本专利技术采用W下技术方案: 一种极微细锻媒铜合金丝,包括极微细铜丝,所述极微细铜丝外设有一层媒膜层,所述 极微细铜丝是W高纯铜为主体,添加改性元素烙炼而成。 进一步的,所述改性元素包括W下含量的原料;5-300ppm Ca,10-100ppm P, 10-500ppm Ag,10-500ppm Au,5-100ppm Y,5-100ppm Zr,10-100ppm In〇 进一步的,所述改性元素包括W下含量的原料;100ppm Ca,50ppm P,20ppm Ag, 20ppm Au,lOppm Y,lOppmZr,5ppm In。 进一步的,所述极微细铜丝的直径为0. 016mm-0. 018mm,所述媒膜层的厚度为 120-180nm。 进一步的,所述高纯铜的纯度为99. 9999%。 本专利技术还公开了一种极微细锻媒铜合金丝的制作方法,包括W下步骤: (1) 铜材提纯;W市售1号纯铜为原料,使用电解-烙炼,再电解-再烙炼的反复提纯工 艺,使铜的S、Ag、Se、Si、Mg、Te等杂质总含量控制在50ppm W下,得到纯度达为99. 9999% 的高纯铜; (2) 制备中间合金体;取步骤(1)得到的高纯铜1000克,加入1000ppmCa、50化pmP、 200ppmAg、200ppmAu、lOOppmY、100ppmZr、50ppmIn的改性元素,分别放入烙炼炉中烙炼成相 应的中间合金体; (3) 连铸单晶铜棒;将步骤(1)得到的高纯铜和步骤(2)得到的中间合金体按各种成分 的最终含量计算所需的量一起放置于连铸炉内,经真空烙炼、定向凝固、拉铸成8mm单晶铜 棒; (4) 拉拔丝材;将步骤(3)得到的8mm单晶铜棒经过粗拉、中拉、细拉、微细拉、极微细拉 拉拔成0. 〇16mm-〇. 018mm的极微细铜丝; (5) 清洗退火;将步骤(4)得到的极微细铜丝进行清洗、退火、风干,备锻覆用; (6) 真空锻媒;将退火后的极微细铜丝绕于6英寸铅轴上,每卷20000米,置于真空锻 膜设备的绕线轴上,W 4Pa/15min的速度抽真空至5X l〇-2Pa,启动离子专用电源,按膜厚 120-180nm,设定5m/min的绕线速度,将极微细铜丝锻覆媒膜层。 进一步的,所述极微细锻媒铜合金丝的制作方法还包括W下步骤: (7) 复绕分卷;根据不同用途复绕分卷,包装。 本专利技术与现有技术相比,具有W下优点:本专利技术不同于现有工艺无法在极微细金 属丝材上进行表面处理,须先粗拉、中锻、再细拔,也不同于现有工艺在铜丝上把或锻金,而 是先将高纯单晶铜丝拉制成0. 016mm-0. 018mm的极小线径,直接进行表面真空离子锻媒 膜,无需再拉拔。本专利技术与现有技术相比可W防止先锻后拔时,由于内外成分硬度、塑性不 同而致拉拔后膜层不均、线材不匀及表面薇裂现象,影响使用性能;同时既可有效防止铜丝 氧化,又便于应用中的焊接,与现有锻把铜丝、锻金铜丝相比,锻媒铜丝可W大大降低材料 的成本。 【具体实施方式】 下面结合【具体实施方式】对本专利技术的技术方案作进一步具体说明。 [001引 实施例一: 一种极微细锻媒铜合金丝,包括极微细铜丝,极微细铜丝外设有一层媒膜层,极微细铜 丝是W纯度为99. 9999%的高纯铜为主体,添加改性元素烙炼而成。合金中包含W下含量 的改性元素;5卵m Ca,10卵m P,10卵m Ag,10卵m Au,5卵m Y,5卵m Zr,10卵m In。极微细铜 丝的直径为0. 016mm,媒膜层的厚度为120皿。 本实施例一种极微细锻媒铜合金丝的制作方法,包括W下步骤: (1) 铜材提纯;W市售1号纯铜为原料,使用电解-烙炼,再电解-再烙炼的反复提纯工 艺,使铜的S、Ag、Se、Si、Mg、Te等杂质总含量控制在50ppm W下,得到纯度达为99. 9999% 的高纯铜; (2) 制备中间合金体;取步骤(1)得到的高纯铜1000克,加入1000ppmCa、50化pmP、 200ppmAg、200ppmAu、100ppmY、100ppmZ;r、50ppmIn的微量改性元素,分别放入烙炼炉中烙炼 成相应的中间合金体; (3) 连铸单晶铜棒;将步骤(1)得到的高纯铜和步骤(2)得到的中间合金体按各种成 分的最终含量计算所需的量一起放置于连铸炉内,经真空烙炼、定向凝固、拉铸成8mm单晶 铜棒,得到的单晶铜棒中包含W下含量的改性元素;5ppm Ca,10ppm P,10ppm Ag,10ppm Au, 5ppm Y, 5ppm Zr, lOppm In; (4) 拉拔丝材;将步骤(3)得到的8mm单晶铜棒经过粗拉、中拉、细拉、微细拉、极微细拉 拉拔本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种极微细镀镍铜合金丝,其特征在于,包括极微细铜丝,所述极微细铜丝外设有一层镍膜层,所述极微细铜丝是以高纯铜为主体,添加改性元素熔炼而成。
【技术特征摘要】
1. 一种极微细锻媒铜合金丝,其特征在于,包括极微细铜丝,所述极微细铜丝外设有一 层媒膜层,所述极微细铜丝是W高纯铜为主体,添加改性元素烙炼而成。2. 根据权利要求1所述的极微细锻媒铜合金丝,其特征在于,所述高纯铜添加W下 含量的改性兀素:5-300卵m Ca, 10-100卵m P, 10-500卵m Ag, 10-500卵m Au, 5-100卵m Y, 5-lOOppm Zr,10-100ppm In〇3. 根据权利要求2所述的极微细锻媒铜合金丝,其特征在于,所述高纯铜添加W下含 量的改性元素;1〇〇卵m Ca,50卵m P,20卵m Ag,20卵m Au,10ppm Y,10卵mZr,5ppm In。4. 根据权利要求1所述的极微细锻媒铜合金丝,其特征在于,所述极微细铜丝的直径 为0. 016mm-0. 018mm,所述媒膜层的厚度为120-180皿。5. 根据权利要求1所述的极微细锻媒铜合金丝,其特征在于,所述高纯铜的纯度为99. 9999%〇6. -种权利要求1至5之一所述的极微细锻媒铜合金丝的制作方法,其特征在于,包括 W下步骤: (1) 铜材提纯;W市售1号纯铜为原料,使用电解-烙炼,再电解-再烙炼的反复提纯工 艺,使铜的S、Ag、Se、Si、Mg、Te等杂质总含量控制在5...
【专利技术属性】
技术研发人员:程平,李明,郑东风,
申请(专利权)人:安徽华晶微电子材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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