光掩膜坯料的制造方法技术

本发明专利技术的课题是涉及一种光掩膜坯料，所述光掩膜坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩膜坯料的制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜，并在该无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩膜坯料的制造方法是在形成前述无机膜后，以高于200℃的温度，在含有氧气的环境中进行热处理，再进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术的课题是涉及一种光掩膜坯料，所述光掩膜坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜，并在该无机膜上具有抗蚀膜，所述是在形成前述无机膜后，以高于200℃的温度，在含有氧气的环境中进行热处理，再进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。【专利说明】
本专利技术涉及一种光掩膜用途的，其是在制造半导体集成电路等时所使用。
技术介绍
近年来，对于半导体加工而言，尤其因大规模集成电路的高集成化，逐渐需要使电路图案微细化，对于构成电路的配线图案的细线化、或对于用于构成单元电路的层之间的配线的接触孔图案的微细化技术的要求逐渐提高。因此，对于形成所述配线图案或接触孔图案的光刻中所使用的刻画有电路图案的光掩模的制造而言，随着上述微细化，也需要能够更微细且更正确地刻画电路图案的技术。 为了在光掩膜基板上形成更高精度的光掩膜图案，首先，需要在光掩膜坯料上形成高精度的抗蚀图案(光致抗蚀图案，也称为光刻胶图案)。由于在实际加工半导体基板时，光学光刻进行了缩小投影，因此，光掩膜图案实际上是所需图案尺寸的4倍左右的大小，但对精度的要求不会因此而降低，对作为原版的光掩膜的精度要求反而比对曝光后的图案精度的要求更高。 而且，在现行的光刻技术中，所要描绘的电路图案的尺寸远低于所使用的光的波长，如果使用按照电路的形状直接放大4倍的光掩膜图案，则会因实际进行光学光刻时所产生的光的干扰等的影响，而无法在抗蚀膜上按照光掩膜图案的形状进行转印。因此，为了减少这些影响，有时需要将光掩膜图案加工成比实际的电路图案更复杂的形状(适用所谓的光学邻近效应修正(Optical proximity correct1n,0PC)等的形状)。因此，在用于获得光掩膜图案的光刻技术中，现在也需要一种更高精度的加工方法。有时以极限分辨率(极限解像度)来表现光刻性能，作为该分辨极限，光掩模加工工序的光刻技术需要与使用了光掩模的半导体加工工序中所使用的光学光刻所需的分辨极限同等程度或其以上的极限分辨精度。 在光掩模图案的形成过程中，通常是在光掩模坯料上形成抗蚀膜，该光掩模坯料在透明基板上具有遮光膜，并利用电子束来描绘图案，经过显影而获得抗蚀图案，然后，将获得的抗蚀图案作为蚀刻掩模，对遮光膜进行蚀刻而将其加工成遮光图案，但在使遮光图案微细化的情况下，若想要维持与微细化前相同的抗蚀膜的膜厚而进行加工，则膜厚相对于图案之比即所谓的纵横比会增大，抗蚀的图案形状变差而导致图案转印无法顺利地进行，有时会引起抗蚀图案塌陷或剥落。因此，需要随着微细化而使抗蚀膜厚变薄。 另外，为了减轻干式蚀刻时对于抗蚀剂的负担，以前已尝试了使用硬掩模的方法，例如，在专利文献I中，公开了以下方法:在MoSi2上形成S12膜，将该S12膜用作使用含氯气体对MoSi2进行干式蚀刻时的蚀刻掩模；另外，记述了 S12膜还能作为抗反射膜而发挥功能。另外，例如专利文献2中记载了在相移膜上使用铬作为遮光膜，在该铬上使用S12膜作为硬掩模。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开昭63-85553号公报； 专利文献2:日本特开平7-49558号公报。
技术实现思路
随着如上所述的图案的微细化，抗蚀剂的密接性变得重要。但是对于表面含有硅 (Si)的膜而言，若想要在光掩模上形成例如50nm以下的微细图案，则抗蚀剂的密接性变差，且会导致抗蚀图案在显影过程中剥落。已知为了避免发生这种情况，有效的做法是利用Tn甲基~■娃氣烧等进打娃烧化处理。 但是，如果实施了硅烷化处理，则存在如下问题:表面带有疏水性，难以清洗，显影后的清洗工序中残留有大量的抗蚀剂残渣等，而形成缺陷。为了提高清洗能力，可以使用IPA(异丙醇)等来改善浸润性，但这些溶剂会对抗蚀图案产生影响，因而不优选。 因此，本专利技术是鉴于上述问题点而完成，涉及一种在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜的，其目的在于提供一种，所述方法能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。 为了实现上述目的，本专利技术提供一种，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜，并在该无机膜上具有抗蚀膜，所述的特征在于:在形成前述无机膜后，以高于200°C的温度，在含有氧气的环境中进行热处理，再进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。 据此，利用硅烷化处理，能够提高含有硅的无机膜与抗蚀膜的密接性，即使在抗蚀膜上形成微细的图案，也可以抑制该抗蚀图案的倒塌或剥离。 而且，由于在形成含有硅的无机膜后，实施上述热处理再进行硅烷化处理，来形成抗蚀膜，因此，能够抑制以往实施硅烷化处理时所出现的显影后抗蚀剂残渣的产生，并能够减少缺陷数量。而且，由于只进行硅烷化处理前的上述热处理即可，因此，较为简便。 此时，能够以高于400°C的温度进行前述热处理。 据此，能够进一步抑制显影后抗蚀剂残渣的产生。 此时，能够将前述含有硅的无机膜制成进一步含有氧。 这样，更优选的是，形成进一步含有氧的含有硅的无机膜，来作为含有硅的无机膜。 另外，能够将前述含有硅的无机膜制成由硅与氧构成。 这样，更优选的是，形成由硅与氧构成的含有硅的无机膜，作为含有硅的无机膜。 另外，能够形成含有铬的无机膜，再形成前述含有硅的无机膜。 在光掩膜坯料中，经常使用例如含有铬的材料，来作为遮光膜的材料。如果形成有上述含有铬的无机膜，则能够使用该含有铬的无机膜，作为遮光膜等。 另外，能够在前述透明基板上，形成含有娃的相移膜(phase shift film),再形成前述含有铬的无机膜。 据此，能够制造具有相移膜的光掩膜坯料，并能够获得具有更高的解像度且可形成更微细的图案的光掩膜。 另外，能够将前述含有硅的无机膜作为硬掩膜。 据此，即便与没有另设硬掩膜的情况相比，也可以使抗蚀膜变薄，容易进行更微细的图案(例如50nm以下的图案)的形成。 在前述硅烷化处理中，能够使用六甲基二硅氮烷进行处理。 六甲基二硅氮烷(以下有时记载为HMDS)在光掩膜坯料等半导体制造工序中经常使用，因而优选。 如上所示，根据本专利技术的，能够抑制抗蚀图案在曝光显影后发生倒塌或剥离等，并且能够抑制抗蚀剂残渣的产生，从而能够减少缺陷数量。 【专利附图】【附图说明】 图1是表示由本专利技术的制造方法制造而成的光掩膜坯料的一个实例的概略图。 图2是表示本专利技术的的一个实例的流程图。 图3是表示实施例1中的显影后的缺陷分布的观察图。 图4是表示比较例I中的显影后的缺陷分布的观察图。 【具体实施方式】 以下，作为实施方式的一个实例，参照附图详细地对本专利技术进行说明，但本专利技术并不限于此。 本专利技术人对光掩膜坯料反复深入研究。如上所述，在以往技术中，在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理并涂布抗蚀膜的情况下，在曝光显影该抗蚀膜后，会产生大量抗蚀剂残渣。然而，本专利技术人发现:如果在形成含有硅的无机膜后，进行热处理(高于200°C的温度、含有氧气的环境下)，然后进行硅烷化处理和抗蚀剂的涂布，即使显影而制作抗本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜，并在该无机膜上具有抗蚀膜，其特征在于，在形成前述无机膜后，以高于200℃的温度，在含有氧气的环境中进行热处理，再进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吉井崇，河合义夫，稻月判臣，渡边聪，池田显，桜田豊久，金子英雄，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP