半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体装置。半导体装置包括一主动鳍片区(active fin region)、至少一栅极条以及一虚拟鳍片区(dummy fin region)。主动鳍片区包括至少一主动鳍片(active fin)。栅极条形成于主动鳍片区上，并延伸跨过主动鳍片。虚拟鳍片区形成于主动鳍片区的两侧，虚拟鳍片区包括多个虚拟鳍片(dummy fin)，虚拟鳍片形成于栅极条的两侧。

【技术实现步骤摘要】

本
技术实现思路
涉及一种半导体装置，且特别是涉及一种具有虚拟鳍片区(dummy fin region)的半导体装置。
技术介绍
由于集成电路的尺寸减小，对于具有高驱动电流及小尺寸的晶体管的需求增加，因而研发出鳍式场效晶体管(fin field-effect，finFET)。鳍式场效晶体管的通道形成于鳍片的侧壁和顶表面上，使得鳍式场效晶体管具有较大的通道宽度，进而可以增加晶体管的驱动电流。因此，随着鳍式场效晶体管的应用增加，便更加需要开发具有良好特性及改良结构的鳍式场效晶体管。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体装置，该半导体装置中的虚拟鳍片形成于主动鳍片区的两侧，使得主动鳍片区可以受到保护，而不会在制作工艺中受到蚀刻损害，因而使得主动鳍片区可以具有更良好的边缘轮廓(edge profile)。为达上述目的，本专利技术提出的一种半导体装置，包括一主动鳍片区(active fin region)、至少一栅极条以及一虚拟鳍片区(dummy fin region)。主动鳍片区包括至少一主动鳍片(active fin)。栅极条形成于主动鳍片区上，并延伸跨过主动鳍片。虚拟鳍片区形成于主动鳍片区的两侧，虚拟鳍片区包括多个虚拟鳍片(dummy fin)，虚拟鳍片形成于栅极条的两侧。为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：附图说明图1A绘示根据本
技术实现思路
一实施例的一半导体装置的上视图；图1B绘示沿图1A的剖面线1B-1B’的虚拟鳍片和主动鳍片的剖面示意图；图2A绘示根据本
技术实现思路
另一实施例的一半导体装置的上视图；图2B绘示沿图2A的剖面线2B-2B’的半导体装置的剖面示意图；图2C绘示沿图2A的剖面线2C-2C’的半导体装置的剖面示意图；图3A～图7B绘示根据本
技术实现思路
的实施例的半导体装置制造方法的流程图。符号说明100、200：半导体装置110、210：主动鳍片区111：主动鳍片120：栅极条130、230：虚拟鳍片区131～138：虚拟鳍片141、143：虚拟栅极条150：外延层190：硅化物层280：浅沟槽隔离氧化物360：硅基材361：硅条363：氮化物间隙壁367：图案化氮化物层1B-1B’、2B-2B’、2C-2C’、3B-3B’、4B-4B’、5B-5B’、6B-6B’、7B-7B’：剖面线G：间距HM：硬掩模L1、L2：长度P1、P2：节距S：距离T1、T2：厚度具体实施方式在此
技术实现思路
的实施例中，提出一种半导体装置。实施例中，半导体装置中的虚拟鳍片形成于主动鳍片区的两侧，使得主动鳍片区可以受到保护，而不会在制作工艺中受到蚀刻损害，因而使得主动鳍片区可以具有更良好的边缘轮廓。然而，实施例及对应附图仅用以作为范例说明，并不会限缩本发明欲保护的范围。并且，附图及专利技术说明中具有相同标号的元件为相同。此外，需注意的是，附图上的尺寸比例并非一定按照实际产品等比例绘制，因此并非作为限缩本专利技术保护范围之用。请参照图1A-1B，其绘示根据本
技术实现思路
的一实施例的半导体装置100的上视图。半导体装置100包括一主动鳍片区(active fin region)110、至少一栅极条120以及一虚拟鳍片区(dummy fin region)130。如图1A所示，主动鳍片区110包括至少一主动鳍片(active fin)111，栅极条120形成于主动鳍片区110上并延伸跨过主动鳍片111。虚拟鳍片区130形成于主动鳍片区110的两侧，虚拟鳍片区130包括多个虚拟鳍片(dummy fin)131、132、133、134，虚拟鳍片131～134形成于栅极条120的两侧。也就是说，虚拟鳍片131～134位于半导体装置100的整个结构的周边区(periphery region)。如此一来，位于主动鳍片111两侧(周边区)的虚拟鳍片131～134可以保护主动鳍片111不受到制作工艺中的蚀刻损害，因而使得主动鳍片111可以具有更良好的边缘轮廓。举例来说，如图1A所示，虚拟鳍片131、132形成于栅极条120的一侧，而虚拟鳍片133、134形成于栅极条120的相对另一侧。并且，栅极条120并未延伸跨过任何虚拟鳍片131～134。如图1A所示，本实施例中，虚拟鳍片131～134为条状(striped-shaped)。然而，虚拟鳍片的形状可以依照实际应用做适当选择，并不以前述形状为限。本实施例中，半导体装置100可以是鳍式场效晶体管(fin field-effect，finFET)。如图1A所示，实施例中，虚拟鳍片131～134平行于主动鳍片111。并且，虚拟鳍片131～134的长度L1小于主动鳍片111的长度L2。请参照图1B，其绘示沿图1A的剖面线1B-1B’的虚拟鳍片131、133和主动鳍片111的剖面示意图。实施例中，虚拟鳍片131、133的厚度T1与主动鳍片111的厚度T2相同。一实施例中，如图1B所示，鳍片的剖面例如具有锥形(tapered-shaped)。实施例中，如图1A所示，虚拟鳍片131～134与栅极条120之间以一间距(gap)G相隔开来，间距G为等于或大于5纳米(nm)。较佳地，间距G为等于或大于10纳米。如此一来，虚拟鳍片和栅极条120之间不会发生电性干扰，例如是电容的产生。再者，主动鳍片区110与虚拟鳍片区130之间相隔一距离(spacing)S。举例来说，主动鳍片111与虚拟鳍片131～134之间以该距离S隔开，该距离S为大约35～45纳米。如图1A所示，半导体装置100还可包括二虚拟栅极条(dummy gate strip)141、143。虚拟栅极条141、143分别覆盖主动鳍片区110的相对两端，虚拟栅极条141、143并未施加任何电压。举例来说，虚拟栅极条141覆盖主动鳍片111的一端，而虚拟栅极条143覆盖主动鳍片111的相对另一端。本实施例中，如图1A所示，半导体装置100更可包括一外延层(epi layer)150，外延层150形成于主动鳍片111和虚拟鳍片131～134上。并且，半导体装置100还可包括一硅化物层(未绘示于图1A中)，硅化物层形成于外延层150上。也就是说，硅化物层同时也形成于主动鳍片111和虚拟鳍片131～134之上。需注本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：主动鳍片区(active fin region)，包括至少一主动鳍片(active fin)；至少一栅极条，形成于该主动鳍片区上，并延伸跨过该主动鳍片；以及虚拟鳍片区(dummy fin region)，形成于该主动鳍片区的两侧，该虚拟鳍片区包括多个虚拟鳍片(dummy fin)，该些虚拟鳍片形成于该栅极条的两侧。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
主动鳍片区(active fin region)，包括至少一主动鳍片(active fin)；
至少一栅极条，形成于该主动鳍片区上，并延伸跨过该主动鳍片；以及
虚拟鳍片区(dummy fin region)，形成于该主动鳍片区的两侧，该虚拟鳍
片区包括多个虚拟鳍片(dummy fin)，该些虚拟鳍片形成于该栅极条的两侧。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该些虚拟鳍片平行于该主动鳍
片。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该些虚拟鳍片的厚度与该主动
鳍片的厚度相同。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该些虚拟鳍片的长度小于该主
动鳍片的长度。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该些虚拟鳍片与该栅极条之间
以一间距(gap)相隔开来，该间距为等于或大于5纳米(nm)。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该主动鳍片区与该虚拟鳍片区
相隔一距离(spacing)，该距离为35～45纳米。
7.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
二虚拟栅极条(dummy gate strip)，分别覆盖该主动鳍片区的相对两端。
8.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪世芳，邱崇益，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71