本发明专利技术公开了一种触摸屏绑定区银浆的保护结构的制备方法，首先在附着于PET基底之上的透明导电层上利用网版图形丝印银浆，形成银浆走线和绑定区银浆焊盘；其次对银浆走线、银浆焊盘和透明导电层进行激光刻蚀；然后在银浆走线和绑定区银浆焊盘上丝印特种绝缘层；再后用贴服机在绑定区银浆焊盘上贴附AFC胶，形成AFC胶层；最后将FPC金手指与绑定区银浆焊盘一一对位并进行热压处理。本发明专利技术方法制备的触摸屏绑定区银浆的保护结构可解决触摸屏绑定区银浆损伤和被空气氧化等问题，特别是针对印刷于碳纳米管、金属网格、银纳米线、石墨烯等材料之上的触摸屏绑定区表面的银浆，可减少银浆因外力而受到损伤或者脱落。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种触摸屏保护结构的制备方法，特别涉及到一种触摸屏绑定区银浆的保护结构的制备方法。
技术介绍
目前，银浆广泛应用于触摸屏中，然而在触摸屏的制程过程中，由于银浆裸露在外，需要解决避免银浆损伤和被空气氧化等问题，特别是针对印刷于碳纳米管、金属网格、银纳米线、石墨烯等材料之上的触摸屏绑定区表面的银浆，由于银浆在这种类型的透明导电膜上的附着力差，因外力而受到损伤或者脱落的风险性更大。针对上述问题，一般采取的措施是在银浆走线上印上绝缘油墨进行保护，但是触摸屏绑定区银浆因为要和FPC金手指等接触导通，所以不能用绝缘油墨保护，仍然裸漏在外。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种触摸屏绑定区银浆的保护结构的制备方法，可以有效解决触摸屏绑定区银浆损伤和被空气氧化等问题。本专利技术的触摸屏绑定区银浆的保护结构包括PET基层、透明导电层、绑定区银浆焊盘、特种绝缘层、导电粒子、ACF胶层和FPC金手指，所述PET基层位于最底部，其上为透明导电层；所述透明导电层之上为特种绝缘层，所述绑定区银浆焊盘位于特种绝缘层内部，并与透明导电层电连接；所述ACF胶层位于特种绝缘层之上；所述导电粒子位于ACF胶层内部；所述FPC金手指位于ACF胶层之上。一种触摸屏绑定区银浆保护结构的制备方法，具体包括以下步骤：1）在附着于PET基底之上的透明导电层上利用网版图形丝印银浆，形成银浆走线和绑定区银浆焊盘；2）对银浆走线、绑定区银浆焊盘和透明导电层进行激光刻蚀；3）在银浆走线和绑定区银浆焊盘上丝印特种绝缘层；4）用贴服机在绑定区银浆焊盘上贴附AFC胶；形成AFC胶层；5）将FPC金手指与绑定区银浆焊盘一一对位并进行热压处理。所述步骤1）所用网版为400-500目聚酯网或不锈钢网，丝印刮胶的邵氏硬度为65-70度，银浆印刷后的固化条件为温度150-160℃，时间15-18min；所述步骤2）中激光刻蚀采用的激光器的波长为1064nm；对银浆走线和绑定区银浆焊盘进行激光刻蚀的激光功率10W，激光脉冲频率为50Hz-85Hz，激光刻蚀线速度为1600mm/s-2000mm/s，刻蚀重复次数为5次-6 次；对透明导电层进行激光刻蚀的激光功率8W，激光脉冲频率为30kHz-110kHz，激光刻蚀线速度为1600mm/s-2000mm/s，刻蚀重复次数为2次-3 次；所述步骤3）中丝印条件是在温度为40-45℃条件下烘烤16-20min ,然后在温度为135-140℃ 条件下进行6-8min固化，所用网版为250-350目聚酯网，丝印刮胶的邵氏硬度为60-65度；所述步骤4）中所用ACF的宽度与绑定区银浆焊盘的宽度相同，长度应覆盖所有的绑定区银浆焊盘，可超出0.4-0.5mm；所述步骤5）中热压条件为温度120-125℃，压力0.17-0.20Mpa，时间22-25s。 与现有技术相比，本专利技术的触摸屏绑定区银浆的保护结构的有益效果在于：可以有效解决触摸屏绑定区银浆损伤和被空气氧化等问题，特别是针对印刷于碳纳米管、金属网格、银纳米线、石墨烯等材料之上的绑定区表面的银浆，可以减少银浆因外力而受到损伤或者脱落。 附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步描述：图1是本专利技术的触摸屏绑定区银浆的保护结构热压处理前的结构示意图；图2是本专利技术的触摸屏绑定区银浆的保护结构热压处理后的结构示意图；图中各个标记所对应的名称分别为：PET基层1、透明导电层2、绑定区银浆焊盘3、特种绝缘层4、导电粒子5、ACF胶层6、FPC金手指7。具体实施方式图1为本专利技术的触摸屏绑定区银浆的保护结构热压处理前的结构示意图，图2为本专利技术的触摸屏绑定区银浆的保护结构热压处理后的结构示意图，如图所示：本实施例的触摸屏绑定区银浆的保护结构包括PET基层1、透明导电层2、绑定区银浆焊盘3、特种绝缘层4、导电粒子5、ACF胶层6和FPC金手指7，所述PET基层1位于最底部，其上为透明导电层2；所述透明导电层2之上为特种绝缘层4，所述绑定区银浆焊盘3位于特种绝缘层4内部，并与透明导电层2电连接；所述ACF胶层6位于特种绝缘层4之上；所述导电粒子5位于ACF胶层6内部；所述FPC金手指7位于ACF胶层6之上。本专利技术的原理是：由于特种绝缘层4的存在，有效预防了触摸屏绑定区银浆损伤和被空气氧化等问题，特别是针对印刷于碳纳米管、金属网格、银纳米线、石墨烯等材料之上的绑定区表面的银浆，可以减少银浆因外力而受到损伤或者脱落。同时热压处理时由于温度和压力的作用，ACF胶层6中的导电粒子5将刺穿特种绝缘层4，将FPC金手指7和绑定区银浆焊盘3接触导通。一种触摸屏绑定区银浆保护结构的制备方法，具体包括以下步骤：1）在附着于PET基底1之上的透明导电层2上利用网版图形丝印银浆，形成银浆走线和绑定区银浆焊盘3；2）对银浆走线、绑定区银浆焊盘3和透明导电层2进行激光刻蚀；3）在银浆走线和绑定区银浆焊盘3上丝印特种绝缘层4；4）用贴服机在绑定区银浆焊盘3上贴附AFC胶；形成AFC胶层6；5）将FPC金手指7与绑定区银浆焊盘3一一对位并进行热压处理。其特征在于：所述步骤1）所用网版为400-500目聚酯网或不锈钢网，丝印刮胶的邵氏硬度为65-70度，银浆印刷后的固化条件为温度150-160℃，时间15-18min；所述步骤2）中激光刻蚀采用的激光器的波长为1064nm；对银浆走线和绑定区银浆焊盘3进行激光刻蚀的激光功率10W，激光脉冲频率为50Hz-85Hz，激光刻蚀线速度为1600mm/s-2000mm/s，刻蚀重复次数为5次-6 次；对透明导电层2进行激光刻蚀的激光功率8W，激光脉冲频率为30kHz-110kHz，激光刻蚀线速度为1600mm/s-2000mm/s，刻蚀重复次数为2次-3 次；所述步骤3）中丝印条件是在温度为40-45℃条件下烘烤16-20min ,然后在温度为135-140℃ 条件下进行6-8min固化，所用网版为250-350目聚酯网，丝印刮胶的邵氏硬度为60-65度；所述步骤4）中所用ACF的宽度与绑定区银浆焊盘3的宽度相同，长度应覆盖所有的绑定区银浆焊盘3，可超出0.4-0.5mm；所述步骤5）中热压条件为温度120-125℃，压力0.17-0.20Mpa，时间22-25s。最后说明的是，以上实施例仅用以说明本专利技术的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本专利技术进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本专利技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本专利技术技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本专利技术的权利要求范围当中。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种触摸屏绑定区银浆保护结构的制备方法，具体包括以下步骤：在附着于PET基底（1）之上的透明导电层（2）上利用网版图形丝印银浆，形成银浆走线和绑定区银浆焊盘（3）；对银浆走线、绑定区银浆焊盘（3）和透明导电层（2）进行激光刻蚀；在银浆走线和绑定区银浆焊盘（3）上丝印特种绝缘层（4）；用贴服机在绑定区银浆焊盘（3）上贴附AFC胶，形成AFC胶层（6）；将FPC金手指（7）与绑定区银浆焊盘（3）一一对位并进行热压处理； 其特征在于：所述步骤1）所用网版为400‑500目聚酯网或不锈钢网，丝印刮胶的邵氏硬度为65‑70度，银浆印刷后的固化条件为温度150‑160℃，时间15‑18min；所述步骤2）中激光刻蚀采用的激光器的波长为1064nm；对银浆走线和绑定区银浆焊盘（3）进行激光刻蚀的激光功率10W，激光脉冲频率为50Hz‑85Hz，激光刻蚀线速度为1600mm/s‑2000mm/s，刻蚀重复次数为5次‑6 次；对透明导电层（2）进行激光刻蚀的激光功率8W，激光脉冲频率为30kHz‑110kHz，激光刻蚀线速度为1600mm/s‑2000mm/s，刻蚀重复次数为2次‑3 次；所述步骤3）中丝印条件是在温度为40‑45℃条件下烘烤16‑20min ,然后在温度为135‑140℃ 条件下进行6‑8min固化，所用网版为250‑350目聚酯网，丝印刮胶的邵氏硬度为60‑65度；所述步骤4）中所用ACF的宽度与绑定区银浆焊盘（3）的宽度相同，长度应覆盖所有的绑定区银浆焊盘（3），可超出0.4‑0.5mm；所述步骤5）中热压条件为温度120‑125℃，压力0.17‑0.20Mpa，时间22‑25s。...
【技术特征摘要】
1.一种触摸屏绑定区银浆保护结构的制备方法，具体包括以下步骤：
在附着于PET基底（1）之上的透明导电层（2）上利用网版图形丝印银浆，形成银浆走线和绑定区银浆焊盘（3）；
对银浆走线、绑定区银浆焊盘（3）和透明导电层（2）进行激光刻蚀；
在银浆走线和绑定区银浆焊盘（3）上丝印特种绝缘层（4）；
用贴服机在绑定区银浆焊盘（3）上贴附AFC胶，形成AFC胶层（6）；
将FPC金手指（7）与绑定区银浆焊盘（3）一一对位并进行热压处理；
其特征在于：所述步骤1）所用网版为400-500目聚酯网或不锈钢网，丝印刮胶的邵氏硬度为65-70度，银浆印刷后的固化条件为温度150-160℃，时间15-18min；所述步骤2）中激光刻蚀采用的激光器的波长为1064nm；对银浆走线和绑定区银浆焊盘（3）进行...
【专利技术属性】
技术研发人员：弋天宝，余崇圣，潘洪亮，盖川，
申请(专利权)人：重庆墨希科技有限公司，中国科学院重庆绿色智能技术研究院，
类型：发明
国别省市：重庆;85
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