模塑料中具有凹槽的集成扇出封装结构制造技术

模塑料中具有凹槽的集成扇出封装结构。一种封装件包括第一管芯和第二管芯。第一管芯包括第一衬底和第一衬底上方的第一金属焊盘。第二管芯包括第二衬底和第二衬底上方的第二金属焊盘。在模塑料中模制第一管芯和第二管芯。模塑料具有介于第一管芯和第二管芯之间的第一部分、以及可形成围绕第一部分的环的第二部分。第一部分和第二部分位于第一管芯的相对侧。第一部分具有第一顶面。第二部分具有高于第一顶面的第二顶面。

【技术实现步骤摘要】
模塑料中具有凹槽的集成扇出封装结构
本专利技术涉及半导体领域，更具体地，涉及模塑料中具有凹槽的集成扇出封装结构。
技术介绍
随着半导体技术的演进，半导体芯片/管芯变得越来越小。与此同时，需要将更多的功能集成在半导体管芯中。因此，半导体管芯需要越来越多数量的I/O焊盘封装在较小的区域内，并且I/O焊盘的密度随着时间迅速增加。因此，半导体管芯的封装变得更困难，其对封装的成品率带来负面的影响。常规的封装技术可被分成两种类别。在第一类别中，先封装晶圆上的管芯再进行切割。这种封装技术具有一些优势特征，如，较高的生产能力和较低的成本。此外，需要较少的底层填料或模塑料。然而，这种封装技术也存在一些缺陷。如上所述，管芯的尺寸变得越来越小，并且各自的封装件只能是扇进型封装件，其中，每个管芯的I/O焊盘被直接限制在各自管芯的表面上方。因管芯的受限区域，由于限制I/O焊盘的间距，导致I/O焊盘的数量也受限制。如果要增大焊盘的间距，可能发生焊料桥接。此外，根据固定球尺寸的要求，焊料球必须具有一定的尺寸，这样进而限制可封装在管芯表面上的焊料球的数量。在封装的另一个类别中，先从晶圆上切割管芯再进行封装，并且只封装“已知良好管芯”。这种封装技术的优势特征是有可能形成扇出封装件，也就是说，管芯上的I/O焊盘可重分布在比管芯大的区域内，因此，可增加封装在管芯的表面上的I/O焊盘的数量。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种封装件，包括：第一管芯，包括第一衬底和第一衬底上方的第一金属焊盘；第二管芯，包括第二衬底；以及模塑料，在其内模制第一管芯和第二管芯，其中，模塑料包括：第一部分，介于第一管芯和第二管芯之间，其中，第一部分包括第一顶面；以及第二部分，其中，第一部分和第二部分位于第一管芯的相对侧，并且其中，第二部分具有高于第一顶面的第二顶面。其中，模塑料的第二部分包含在模塑料的环部分中，其中，环部分围绕模塑料的第一部分、第一管芯以及第二管芯，并且其中，环部分的整个顶面与第二顶面共平面。其中，第一顶面和第二顶面之间的高度差介于约2μm至约35μm之间。其中，第一管芯还包括：钝化层，覆盖第一金属焊盘的边缘部分，并且，第一金属焊盘的中心部分没有被钝化层覆盖，其中，第一顶面与钝化层的顶面大致齐平。其中，第一管芯还包括：钝化层，覆盖第一金属焊盘的边缘部分，并且，第一金属焊盘的中心部分没有被钝化层覆盖，其中，第一顶面高于钝化层的顶面。其中，第一管芯还包括：钝化层，覆盖第一金属焊盘的边缘部分，并且第一金属焊盘的中心部分没有被钝化层覆盖，其中，第一顶面低于钝化层的顶面。该封装件还包括：聚合物层，持续地从与第一管芯重叠的区延伸进与第二管芯重叠的区，其中，第一顶面与聚合物层的底面相接触；第一重布线，穿过聚合物以电连接至第一金属焊盘；第二金属焊盘，位于第二管芯内且位于第二衬底的上方；以及第二重布线，穿过聚合物层以电连接至第二金属焊盘。此外，还提供了一种封装件，包括：第一管芯，包括：第一衬底；第一金属焊盘，位于第一衬底的上方；以及第一钝化层，覆盖第一金属焊盘的边缘部分，并且第一金属焊盘的中心部分没有被第一钝化层覆盖，其中，第一钝化层包括第一顶面；第二管芯，包括：第二衬底；第二金属焊盘，位于第二衬底的上方；以及第二钝化层，覆盖第二金属焊盘的边缘部分，并且，第二金属焊盘的中心部分没有被第二钝化层覆盖，其中，第二钝化层包括第二顶面；模塑料，在其内模制第一管芯和第二管芯，其中，模塑料包括：第一部分，位于第一管芯和第二管芯之间，其中，第一部分包括第三顶面；以及第二部分，形成围绕模塑料的第一部分、第一管芯和第二管芯的环，其中，第二部分具有高于第三顶面的第四顶面。其中，模塑料的第一部分的相对端持续地连接至模塑料的第二部分，并且其中，第一部分和第二部分由相同的材料形成。其中，第三顶面齐平于或低于第一顶面和第二顶面中的一个。该封装件还包括：聚合物层，持续地从与第一管芯重叠的区延伸进与第二管芯重叠的区，其中，第三顶面与聚合物层的底面相接触；第一重布线，穿过聚合物层以电连接至第一金属焊盘；以及第二重布线，穿过聚合物层以电连接至第二金属焊盘。其中，第一顶面和第二顶面与聚合物层的底面相接触。其中，第一管芯和第二管芯具有不同的结构。其中，第四顶面高于第三顶面，差值介于约2μm至约35μm之间。此外，还提供了一种方法，包括：在载体上方设置第一管芯，其中，第一管芯包括第一衬底和位于第一衬底上方的第一金属焊盘；在载体上方设置第二管芯，其中，第二管芯包括第二衬底和位于第二衬底上方的第二金属焊盘；在模塑料中模制第一管芯和第二管芯；研磨模塑料；在研磨之后，开槽模塑料的第一部分，其中，第一部分介于第一管芯和第二管芯之间，并且其中，模塑料的第二部分没有被开槽；以及重布线形成于第一金属焊盘和第二金属焊盘的上方且电连接至第一金属焊盘和第二金属焊盘。其中，通过激光钻孔进行开槽。其中，开槽之后，模塑料的第一部分的底部没有被去除。其中，第一保护膜和第二保护膜分别覆盖第一管芯和第二管芯，其中，当露出第一保护膜和第二保护膜时，停止研磨，并且其中，方法还包括：研磨之后，去除第一保护膜和第二保护膜以分别露出第一管芯和第二管芯，其中，去除之后，露出第一金属焊盘和第二金属焊盘。该方法还包括：形成重布线之后，电连接件形成于重布线的上方且电连接至重布线；以及进行管芯切割以形成包括第一管芯、第二管芯、以及模塑料的第一和第二部分的封装件。该方法还包括从载体上解接合第一管芯、第二管芯、以及模塑料。附图说明为了更全面地理解实施例及其优点，现将结合附图所进行的描述作为参考，其中：图1至图12A是根据一些示例性实施例的制造集成扇出(InFO)封装件的中间阶段的截面图；以及图12B示出了根据一些示例性实施例的InFO封装件的俯视图。具体实施方式下面，详细讨论本专利技术各实施例的制造和使用。然而，应该理解，实施例提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的概念。所讨论的具体实施例仅仅示出了制造和使用本专利技术的具体方式，而不用于限制本专利技术的范围。根据各种示例性实施例提供了包括扇出重布线的集成扇出(InFO)封装件及其形成方法。示出了形成InFO封装件的中间阶段。讨论了实施例的变化。贯穿各种视图和示出的实施例，相同的参考符号用于指代相同的元件。图1至图12A是根据一些示例性实施例的制造封装件结构的中间阶段的截面图。参照图1，提供了载体20，并且聚合物基极层22层压在载体20上。载体20可以是底版玻璃载体、底版陶瓷载体等。聚合物基极层22可由AjinomotoBuildupFilm(ABF)、聚酰亚胺、聚苯并恶唑(PBO)、苯并环丁烯(BCB)、焊料抗蚀(SR)膜、管芯附着膜(DAF)等，但是可使用其他类型的聚合物。聚合物基极层22具有平顶面。图2示出了设置在聚合物基极层22上方的器件管芯100和200。在一些实施例中，附加粘接层(未示出)设置在器件管芯100和200的每个的下方，以将器件管芯100和200分别粘接至聚合物基极层22。在可选实施例中，没有设置附加粘接层，并且器件管芯100和200与聚合物基极层22相接触。器件管芯100和200可以是其内包括有逻辑晶体管的逻辑器件管芯。在一些示例性实施例中，将器件管芯100和200设计用于移动应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装件，包括：第一管芯，包括第一衬底和所述第一衬底上方的第一金属焊盘；第二管芯，包括第二衬底；以及模塑料，在其内模制所述第一管芯和所述第二管芯，其中，所述模塑料包括：第一部分，介于所述第一管芯和所述第二管芯之间，其中，所述第一部分包括第一顶面；以及第二部分，其中，所述第一部分和所述第二部分位于所述第一管芯的相对侧，并且其中，所述第二部分具有高于所述第一顶面的第二顶面。

【技术特征摘要】
2013.09.13 US 14/026,7421.一种封装件，包括：第一管芯，包括第一衬底和所述第一衬底上方的第一金属焊盘；第二管芯，包括第二衬底；以及模塑料，在其内模制所述第一管芯和所述第二管芯，其中，所述模塑料包括：第一部分，介于所述第一管芯和所述第二管芯之间，其中，所述第一部分包括第一顶面；以及第二部分，其中，所述第一部分和所述第二部分位于所述第一管芯的相对侧，并且其中，所述第二部分具有高于所述第一顶面的第二顶面，其中，所述模塑料的第二部分包含在所述模塑料的环部分中，其中，所述环部分围绕所述模塑料的第一部分、所述第一管芯以及所述第二管芯，并且其中，所述环部分的整个顶面与所述第二顶面共平面。2.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第一顶面和所述第二顶面之间的高度差介于2μm至35μm之间。3.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第一管芯还包括：钝化层，覆盖所述第一金属焊盘的边缘部分，并且，所述第一金属焊盘的中心部分没有被所述钝化层覆盖，其中，所述第一顶面与所述钝化层的顶面齐平。4.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第一管芯还包括：钝化层，覆盖所述第一金属焊盘的边缘部分，并且，所述第一金属焊盘的中心部分没有被所述钝化层覆盖，其中，所述第一顶面高于所述钝化层的顶面。5.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第一管芯还包括：钝化层，覆盖所述第一金属焊盘的边缘部分，并且所述第一金属焊盘的中心部分没有被所述钝化层覆盖，其中，所述第一顶面低于所述钝化层的顶面。6.根据权利要求1所述的封装件，还包括：聚合物层，持续地从与所述第一管芯重叠的区延伸进与所述第二管芯重叠的区，其中，所述第一顶面与所述聚合物层的底面相接触；第一重布线，穿过所述聚合物以电连接至所述第一金属焊盘；第二金属焊盘，位于所述第二管芯内且位于所述第二衬底的上方；以及第二重布线，穿过所述聚合物层以电连接至所述第二金属焊盘。7.一种封装件，包括：第一管芯，包括：第一衬底；第一金属焊盘，位于所述第一衬底的上方；以及第一钝化层，覆盖所述第一金属焊盘的边缘部分，并且所述第一金属焊盘的中心部分没有被所述第一钝化层覆盖，其中，所述第一钝化层包括第一顶面；第二管芯，包括：第二衬底；第二金属焊盘，位于所述第二衬底的上方；以及第二钝化层，覆盖所述第二金属焊盘的边缘部分，并且，所述第二金属焊盘的中心部分没有被所述第二钝化层覆盖，其中，所述第二钝化层包括第二顶面；模塑料，在其内模制所述第一管芯和所述第二管芯，其中，所述模塑料包括：第一部分，位于所述第一管芯和所述第二管芯之间，其中，所述第一部分包括第三顶面；以及第...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡柏豪，郑礼辉，洪瑞斌，林俊成，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71