本发明专利技术公开了一种太阳能电池的制造工艺流程，其采用以下步骤来实现的：（1）硅片切割，材料准备：硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ωcm的p型。（2）去除损伤层：一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。（3）制绒：对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，碱液的温度约80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟，对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀。（4）扩散制结。（5）边缘刻蚀、清洗。（6）沉积减反射层：积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。（7）丝网印刷上下电极。（8）共烧形成金属接触。（9）电池片测试。本发明专利技术提出的一种太阳能电池的制造工艺流程，其设计符合理论，流程简单可行，材料利用率高，不仅极大节省了成本，而且在一定程度上，延长了太阳能电池的使用寿命，具有较大的推广价值。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种太阳能电池的制造工艺流程，其采用以下步骤来实现的：（1）硅片切割，材料准备：硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ωcm的p型。（2）去除损伤层：一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。（3）制绒：对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，碱液的温度约80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟，对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀。（4）扩散制结。（5）边缘刻蚀、清洗。（6）沉积减反射层：积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。（7）丝网印刷上下电极。（8）共烧形成金属接触。（9）电池片测试。本专利技术提出的一种太阳能电池的制造工艺流程，其设计符合理论，流程简单可行，材料利用率高，不仅极大节省了成本，而且在一定程度上，延长了太阳能电池的使用寿命，具有较大的推广价值。【专利说明】 一种太阳能电池的制造工艺流程
本专利技术涉及一种电池制造技术，特别涉及一种太阳能电池的制造工艺流程，属于电池制造
。
技术介绍
太阳电池是一种可以将能量转换的光电元件，其基本构造是运用P型与N型半导体接合而成的。半导体最基本的材料是“硅”，它是不导电的，但如果在半导体中掺入不同的杂质，就可以做成P型与N型半导体，再利用P型半导体有个空穴(P型半导体少了一个带负电荷的电子，可视为多了一个正电荷)，与N型半导体多了一个自由电子的电位差来产生电流，所以当太阳光照射时，光能将硅原子中的电子激发出来，而产生电子和空穴的对流，这些电子和空穴均会受到内建电位的影响，分别被N型及P型半导体吸引，而聚集在两端。此时外部如果用电极连接起来，形成一个回路，这就是太阳电池发电的原理，主要来自于PN行半导体的内建电场驱使电子电洞移动，并收集起来。因此，在电子与电洞移动的路径上的缺陷密度将会对于光电流的产生有绝对的影响简单的说，太阳光电的发电原理，是利用太阳电池吸收0.4μπι?1.Ιμπι波长(针对硅晶)的太阳光，将光能直接转变成电能输出的一种发电方式。 由于太阳电池产生的电是直流电，因此若需提供电力给家电用品或各式电器则需加装直/交流转换器，换成交流电，才能供电至家庭用电或工业用电。
技术实现思路
本专利技术基于现有的太阳能电池的制造技术，采用创新性的科学原理，提出了一种太阳能电池的制造工艺流程，其设计符合理论，流程简单可行，材料利用率高，不仅极大节省了成本，而且在一定程度上，延长了太阳能电池的使用寿命。 本专利技术解决其技术问题采用的技术方案是:一种太阳能电池的制造工艺流程，其采用以下步骤来实现的。 (I)硅片切割，材料准备:所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片(或多晶方形硅片)，硅片的边长一般为l(Tl5cm，厚度约200?350um，电阻率约I Ω.cm的p型(掺硼)。(2)去除损伤层:硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，表面的质量较差，电池制造过程中导致碎片增多，将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约lOum。(3)制绒:是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失，对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约80度，浓度约Γ2%，腐蚀时间约15分钟，对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀。(4)扩散制结:扩散的目的在于形成PN结，普遍采用磷做η型掺杂，在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。 (5)边缘刻蚀、清洗:扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层，周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去，周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品，目前，工业化生产用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅作用，去除含有扩散层的周边，扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。 (6)沉积减反射层:积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。 (7)丝网印刷上下电极:电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤，现在普遍采用丝网印刷法，即通过特殊的印刷机和模版将银浆铝浆(银铝浆)印刷在太阳电池的正背面，以形成正负电极引线。 (8)共烧形成金属接触:晶体硅太阳电池要通过三次印刷金属浆料，传统工艺要用二次烧结才能形成良好的带有金属电极欧姆接触，共烧工艺只需一次烧结，同时形成上下电极的欧姆接触，在太阳电池丝网印刷电极制作中，通常采用链式烧结炉进行快速烧结。 (9)电池片测试:测试的目的是对电池的输出功率进行标定，测试其输出特性，确定组件的质量等级。 本专利技术的有益效果:本专利技术提出的一种太阳能电池的制造工艺流程，其设计符合理论，流程简单可行，材料利用率高，不仅极大节省了成本，而且在一定程度上，延长了太阳能电池的使用寿命，具有较大的推广价值。 【具体实施方式】 下面结合具体实例对本专利技术作进一步说明。 一种太阳能电池的制造工艺流程，其采用以下步骤来实现的。 (I)硅片切割，材料准备:所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片(或多晶方形硅片)，硅片的边长一般为l(Tl5cm，厚度约200?350um，电阻率约I Ω.cm的p型(掺硼)。 (2)去除损伤层:硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，表面的质量较差，电池制造过程中导致碎片增多，将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约lOum。 (3)制绒:是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失，对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约80度，浓度约Γ2%，腐蚀时间约15分钟，对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀。(4)扩散制结:扩散的目的在于形成PN结，普遍采用磷做η型掺杂，在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。 (5)边缘刻蚀、清洗:扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层，周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去，周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品，目前，工业化生产用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅作用，去除含有扩散层的周边，扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。 (6)沉积减反射层:积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。 (7)丝网印刷上下电极:电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤，现在普遍采用丝网印刷法，即通过特殊的印刷机和模版将银浆铝浆(银铝浆)印刷在太阳电池的正背面，以形成正负电极引线。 (8)共烧形成金属接触:晶体硅太阳电池要通过三次印刷金属浆料，传统工艺要用二次烧结才能形成良好的带有金属电极欧姆接触，共烧工艺只需一次烧结，同时形成上下电极的欧姆接触，在太阳电池丝网印刷电极制作中，通常采用链式烧结炉进行快速烧本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种太阳能电池的制造工艺流程，其特征在于：所述的工艺流程是采用以下步骤来实现的：（1）硅片切割，材料准备：所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ω.cm的p型（掺硼）； （2）去除损伤层：硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，表面的质量较差，电池制造过程中导致碎片增多，将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um； （3）制绒：是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失，对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟，对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀； （4）扩散制结：扩散的目的在于形成PN结，普遍采用磷做n型掺杂，在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质；（5）边缘刻蚀、清洗：扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层，周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去，周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品，目前，工业化生产用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅作用，去除含有扩散层的周边，扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃； （6）沉积减反射层：积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率； （7）丝网印刷上下电极：电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤，现在普遍采用丝网印刷法，即通过特殊的印刷机和模版将银浆铝浆（银铝浆）印刷在太阳电池的正背面，以形成正负电极引线； （8）共烧形成金属接触：晶体硅太阳电池要通过三次印刷金属浆料，传统工艺要用二次烧结才能形成良好的带有金属电极欧姆接触，共烧工艺只需一次烧结，同时形成上下电极的欧姆接触，在太阳电池丝网印刷电极制作中，通常采用链式烧结炉进行快速烧结； （9）电池片测试：测试的目的是对电池的输出功率进行标定，测试其输出特性，确定组件的质量等级。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：哈尔滨市宏天锐达科技有限公司，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23
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