发光二极管晶粒的制造方法技术

一种发光二极管晶粒的制造方法，其包括以下步骤：提供一基板；在该基板表面形成缓冲层；在该缓冲层表面形成过渡层，该过渡层为InGaN材质；继续在该过渡层上生长磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层；对该过渡层进行活化处理，即对该过渡层进行激光照射，该激光的波长大于420nm，且活化温度为1000-1400℃以及将该基板和缓冲层自该磊晶层上分离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件的制造方法，特别涉及一种发光二极管晶粒的制造方 法。
技术介绍
发光二极管（Li曲t血itting Diode, LED)是一种可将电流转换成特定波长范围 的光的半导体元件。发光二极管W其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动 简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。 现有的发光二极管晶粒通常包括蓝宝石基板、缓冲层W及在该缓冲层表面生长的 半导体发光结构。然而上述结构存在W下问题：蓝宝石基板的导热系数较差，使得发光二极 管晶粒的散热性能较差；半导体发光结构所发出的朝向蓝宝石基板一侧的光线在进入蓝宝 石基板后，会被蓝宝石基板所吸收，从而降低发光二极管晶粒的出光效率。因此该蓝宝石基 板需要剥离。 传统的发光二极管晶粒的基板被移除后，磊晶层的表面还具有一缓冲层，常需用 电感式禪合电浆干蚀刻系统（in化ctively coupled plasma, ICP)去除。然而对于垂直结 构的发光二极管晶粒，可能因蚀刻强度控制不当，导致均匀度不佳无法有效地将缓冲层去 除完整，或不小也去除到磊晶层，如此造成后续制造时出现问题，如电性偏高等；另外，蚀刻 过程所需的时间也相对兀长。
技术实现思路
鉴于此，有必要提供一种基板较易剥离的。 一种，其包括W下步骤：提供一基板，该基板为蓝宝石 基板；在该基板表面形成缓冲层；在该缓冲层表面形成过渡层，该过渡层为InGaN材质；继 续在该过渡层上生长磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导 体层；对该过渡层进行活化处理，即对该过渡层进行激光照射，该激光的波长大于420nm， 且活化温度为1000-140(TC ;将该基板和缓冲层自该磊晶层上分离。 与现有技术相比，本专利技术的中，在缓冲层与磊晶层之间 设置一过渡层，且过渡层为InGaN薄膜，通过将温度加热到1000-140(TC，且对其进行激光照 射，该激光的波长大于420nm，导致过渡层被固化分离。如此能够得到单独地磊晶层，避免了 蚀刻不均匀的问题，同时降低了后续制造工序出现问题的风险，且耗时较短，生产效率高。 【附图说明】 图1是本专利技术的中所提供的基板、缓冲层、过渡层和 磊晶层的W意图。 图2是本专利技术的中将基板、缓冲层和过渡层剥离的示 意图。 主要元件符号说明本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管晶粒的制造方法，包括以下步骤：提供一基板；在所述基板表面形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成过渡层，该过渡层为InGaN材质；继续在所述过渡层上生长磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层；对所述过渡层进行活化处理，其中对该过渡层进行激光照射，该激光的波长大于420nm，且活化温度为1000‑1400℃；及将该基板和缓冲层自该磊晶层上分离。

【技术特征摘要】
1. 一种发光二极管晶粒的制造方法，包括w下步骤： 提供一基板； 在所述基板表面形成缓冲层； 在所述缓冲层表面形成过渡层，该过渡层为InGaN材质； 继续在所述过渡层上生长磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及 第二半导体层； 对所述过渡层进行活化处理，其中对该过渡层进行激光照射，该激光的波长大于 420nm，且活化温度为1000-140(TC ;及 将该基板和缓冲层自该磊晶层上分离。2. 如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，该第一半导体层为N 型半导体层，第二半导体层为P型半导体层。3. 如...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨顺贵，洪梓健，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44