【技术实现步骤摘要】
—种测量等离子体室放出的电子量的方法
本专利技术是,安全可控的得到中和靶面上的正离子所需要的合适的电子流。
技术介绍
集成电路制造技术及工艺是关乎国计民生的战略性工程,对保障国家安全和增强综合国力具有重大战略意义,是一种高新技术产业。集成电路芯片制造概括的来讲就是将元器件做在极小半导体芯片上的过程。通常情况下,要完成集成电路芯片的制造过程需要数十种工艺设备的数百道工序。一条工艺线主要有曝光、刻蚀、离子注入、氧化、镀膜等工艺,这些工艺多次循环往复进行。离子注入技术与常规热掺杂工艺相比具有高精度的剂量均匀性与重复性,横向扩散小等优点。离子注入克服了常规工艺的限制,提高了电路的集成度、速度、成品率和寿命,降低了成本和功耗,因此离子注入机广泛用于掺杂工艺,当代VLS1、ULSI等工艺重要特征之一就是“全离子注入”。离子注入对控制半导体的掺杂剖面,结深,保证器件各项电参数非常重要。 经过对低能大束流项目的指标参数和工艺要求分析,但由于工艺技术代和工艺特点不同,为了中和靶面上的正离子,所以需要得到合适的电子流,通过PFG Emiss1ncurrent测得不同弧流下的采样值,从而测得此时的电子量,然后可以调节PFG自身的灯丝电压和弧压,从而产生更多的电子去中和靶面上的正离子,得到更高质量的产品。
技术实现思路
本专利技术针对,采用采样隔离和控制电路。 本专利技术通过以下技术方案实现: 1.,其图1工作流程框图包括:PFG电子发生器(I)、PFG EMISS1N CURRENT电子测量装置(2)、PSI控制器(3)、灯丝电压(4)、弧 ...
【技术保护点】
一种测量等离子体室放出的电子量的方法,其图1工作流程框图包括:PFG电子发生器(1)、PFG EMISSION CURRENT电子测量装置(2)、PSI控制器(3)、灯丝电压(4)、弧压(5)。PFG EMISSION CURRENT原理图图2说明了测量装置原理。其中包括采样电阻、放大器AD8221、同相放大器、电压跟随器电路组成。此方法检测PFG电子发生器溢出的电子情况。
【技术特征摘要】
1.一种测量等离子体室放出的电子量的方法,其图1工作流程框图包括:?%电子发生器(1)、??6 £118810^⑶尺腳丁电子测量装置(2)、?81控制器(3)、灯丝电压(4)、弧压(5)。??6 £118810^⑶册册I原理图图2说明了测量装置原理。其中包括采样电阻、放大器八08221、同相放大器、电压跟随器电路组成。此方法检测?%电子发生器溢出的电子情况。2.如权利要求1所述一种测量等离子体室放出的电子量的方法,其特征在于,其中所述的采样电阻的大小,控制输出的值的取值量程公式I = 1吨秘洱=此电...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁振理,
申请(专利权)人:北京中科信电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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