半导体封装件及其制造方法技术

提供了一种半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括：基板，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；半导体芯片，安装于基板的第一表面上；以及包封构件，包封半导体芯片，并包括形成有微细结构的外表面，微细结构具有微米级别的尺寸，其中，微细结构包括突起和与突起相邻地设置的凹陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，更具体地涉及一种包封构件具有设置在其外表面上的微细结构的。
技术介绍
半导体封装件通常包括芯片和包封并保护芯片的包封构件，例如环氧模塑料(EMC) ο传统的环氧模塑料包括固化的环氧树脂和诸如氧化硅的填充料。随着芯片的功能越来越强大，对半导体封装件的散热的要求越来越高，然而传统的环氧模塑料的散热能力受到限制。 传统的环氧模塑料可能具有平面的(例如，平坦光滑的)结构，散热能力有限。此夕卜，大型的半导体封装件可能具有设置在包封构件表面上的金属盖以改善散热，然而，金属盖的使用使得半导体封装件的厚度增大，并使得工艺复杂化且成本提高。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种具有提高的散热能力的。 本专利技术的另一目的在于提供一种具有提高的散热能力并且其包封构件在固化之后即具有标记作用的。 本专利技术的又一目的在于提供一种厚度不会增加的。 本专利技术的再一目的在于提供一种制造工艺简化并且制造成本降低的。 根据本专利技术的半导体封装件包括:基板，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；半导体芯片，安装于基板的第一表面上；以及包封构件，包封半导体芯片，并包括形成有微细结构的外表面，微细结构具有微米级别的尺寸，其中，微细结构包括突起和与突起相邻地设置的凹陷。 根据本专利技术的一方面，包封构件的外表面包括基本上面对基板的第一表面的上表面和将包封构件的上表面连接到基板的第一表面的侧表面，包封构件的上表面和侧表面中的至少一者形成有微细结构。 根据本专利技术的一方面，微细结构包括交替地布置的多个突起和多个凹陷。 [0011 ] 根据本专利技术的一方面，突起和凹陷中的每个具有棱柱、棱锥、棱台、圆柱、圆锥、圆台或不规则立体形状。 根据本专利技术的一方面，每个突起具有0.25至40的高宽比，每个凹陷具有0.25至40的深宽比。 根据本专利技术的一方面，突起具有20 μ m-80 μ m的高度，凹陷具有20 μ m-80 μ m的深度，凹陷具有2 μ m-?ο μ m的宽度，突起包括位于上表面的中心区域的突起和位于上表面的中心区域周边的多个突起，位于上表面的中心区域的突起具有20 μ m-80 μ m的宽度，位于上表面的中心区域周边的多个突起中的每个具有2μ---10μπ?的宽度，位于上表面的中心区域的突起用作标记图案。 根据本专利技术的一方面，突起具有20 μ m-80 μ m的高度，凹陷具有20 μ m-80 μ m的深度，突起具有2 μπι-10 ym的宽度，凹陷包括位于上表面的中心区域的凹陷和位于上表面的中心区域周边的多个凹陷，位于上表面的中心区域的凹陷具有20 μ m-80 μ m的宽度，位于上表面的中心区域周边的多个凹陷中的每个具有2μπι-10μπι的宽度，位于上表面的中心区域的凹陷用作标记图案。 根据本专利技术的一方面，所述半导体封装件还包括设置在基板的第二表面上的外部连接端子。 根据本专利技术的半导体封装件的制造方法包括:提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基板；将半导体芯片安装于基板的第一表面上；将其上安装有半导体芯片的基板置于模具中；将包封构件前体施用到基板的第一表面和半导体芯片上以包封半导体芯片，并在包封构件前体的上表面上按压模塑带，其中，模塑带的按压包封构件前体的上表面的表面形成有微细结构，模塑带的微细结构具有微米级别的尺寸并包括凹陷和与凹陷相邻地设置的突起；将包封构件前体在预定的固化温度下保持预定的时间，使得包封构件前体固化以形成包封构件，包封构件包括形成有微细结构的上表面，包封构件的微细结构具有微米级别的尺寸并包括突起和与突起相邻地设置的凹陷；以及去除模具和模塑带。 根据本专利技术的一方面，模塑带的微细结构包括交替地布置的多个突起和多个凹陷。 根据本专利技术的一方面，模塑带的微细结构的突起和凹陷中的每个具有棱柱、棱锥、棱台、圆柱、圆锥、圆台或不规则立体形状。 根据本专利技术的一方面，模塑带的微细结构的每个突起具有0.25至40的高宽比，模塑带的微细结构的每个凹陷具有0.25至40的深宽比。 根据本专利技术的一方面，包封构件的微细结构的突起具有20 μ m-80 μ m的高度，包封构件的微细结构的凹陷具有20 μπι-80 ym的深度，包封构件的微细结构的凹陷具有2 μm-10 μm的宽度，包封构件的微细结构的突起包括位于上表面的中心区域的突起和位于上表面的中心区域周边的多个突起，位于上表面的中心区域的突起具有20μπι-80μπι的宽度，位于上表面的中心区域周边的多个突起中的每个具有2 μ m-?ο μ m的宽度，位于上表面的中心区域的突起用作标记图案。 根据本专利技术的一方面，包封构件的微细结构的突起具有20μπι-80μπι的高度，包封构件的微细结构的凹陷具有20 μπι-80 ym的深度，包封构件的微细结构的突起具有2 μ m-?ο μ m的宽度，包封构件的微细结构的凹陷包括位于上表面的中心区域的凹陷和位于上表面的中心区域周边的多个凹陷，位于上表面的中心区域的凹陷具有20 μ m-80 μ m的宽度，位于上表面的中心区域周边的多个凹陷中的每个具有2 μ m-?ο μ m的宽度，位于上表面的中心区域的凹陷用作标记图案。 根据本专利技术的一方面，所述方法还包括在基板的第二表面上设置外部连接端子。 【附图说明】 通过下面结合附图对实施例的描述，本专利技术的以上和/或其它方面和优点将变得清楚且更容易理解，在附图中: 图1是示出根据本专利技术示例性实施例的半导体封装件的示意性剖视图。 图2是示出根据本专利技术示例性实施例的半导体封装件中包括的包封构件的局部放大剖视图。 图3是示出根据本专利技术示例性实施例的半导体封装件中包括的包封构件的示意性俯视图。 图4和图5是示出制造根据本专利技术示例性实施例的半导体封装件的方法的示意性剖视图。 【具体实施方式】 在下文中，将参照附图来更充分地描述本专利技术，在附图中示出了本专利技术的实施例。本专利技术可以以许多不同的方式来实施，而不应该被理解为局限于这里阐述的实施例。在附图中，为了清晰起见，可夸大层和区域的尺寸。 图1是示出根据本专利技术示例性实施例的半导体封装件的示意性剖视图。图2是示出根据本专利技术示例性实施例的半导体封装件中包括的包封构件的局部放大剖视图。图3是示出根据本专利技术示例性实施例的半导体封装件中包括的包封构件的示意性俯视图。参照图1、图2和图3，根据本专利技术示例性实施例的半导体封装件1000包括基板1100、安装在基板1100上的半导体芯片1200以及包封半导体芯片1200的包封构件1300，包封构件1300包括形成有微细结构的外表面。微细结构具有微米级别(例如，I μπι-100μπι)的尺寸，例如，微米级别的高度、深度、宽度、长度、厚度、跨度等。 基板1100可以是印刷电路板(PCB)。基板1100具有第一表面(例如，上表面)1110和与第一表面1110相对(或背对第一表面1110)的第二表面(例如，下表面)1120。基板1100可包括设置在第一表面1110上的第一焊盘(未示出)、设置在第二表面1120上的第二焊盘(未示出)以及设置在基板1100的内部以将第一焊盘与第二焊盘电连接的内部引线。 半导体芯片1200具有主动面和与主动面相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，其特征在于，所述半导体封装件包括：基板，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；半导体芯片，安装于基板的第一表面上；以及包封构件，包封半导体芯片，并包括形成有微细结构的外表面，微细结构具有微米级别的尺寸，其中，微细结构包括突起和与突起相邻地设置的凹陷。

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，其特征在于，所述半导体封装件包括: 基板，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面； 半导体芯片，安装于基板的第一表面上；以及 包封构件，包封半导体芯片，并包括形成有微细结构的外表面，微细结构具有微米级别的尺寸， 其中，微细结构包括突起和与突起相邻地设置的凹陷。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，包封构件的外表面包括基本上面对基板的第一表面的上表面和将包封构件的上表面连接到基板的第一表面的侧表面，包封构件的上表面和侧表面中的至少一者形成有微细结构。3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，微细结构包括交替地布置的多个突起和多个凹陷。4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，突起和凹陷中的每个具有棱柱、棱锥、棱台、圆柱、圆锥、圆台或不规则立体形状。5.根据权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，每个突起具有0.25至40的高宽比，每个凹陷具有0.25至40的深宽比。6.根据权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，突起具有204111-80 VIII的高度，凹陷具有20賴-80賴的深度， 凹陷具有2 0111-10 VIII的宽度， 突起包括位于上表面的中心区域的突起和位于上表面的中心区域周边的多个突起，位于上表面的中心区域的突起具有20 V 111-80 V III的宽度，位于上表面的中心区域周边的多个突起中的每个具有2 V 111-10 V III的宽度， 位于上表面的中心区域的突起用作标记图案。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉传，
申请(专利权)人：三星半导体中国研究开发有限公司，三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：江苏;32