本实用新型专利技术公开了一种接口装置，包括插板、插座、常断开关电路；其中所述插板的插接端有多个触片，多个触片中至少包括控制触片和电源触片，所述控制触片连接控制电压，所述控制触片的末端距插接端的边缘的距离大于电源触片的末端距插接端的边缘的距离；在所述插座的开口内形成有与所述触片一一对应的多个触点，所述多个触点中包括对应所述控制触片的控制触点、以及对应所述电源触片的电源触点，所述控制触点和电源触点距所述开口面的距离相同；所述电源触点通过所述常断开关电路连接到电源，所述控制触点连接所述常断开关电路的导通触发端。本实用新型专利技术避免了热插拔中的电流波动和放电电弧，提高了插板和插座之间热插拔的可靠性。
【技术实现步骤摘要】
一种接口装置
本技术涉及电路传输领域，特别涉及一种接口装置。
技术介绍
当前的电气设备，尤其是以计算机、互联网、通信等领域所使用的电器设备，大都 因为功能的区分而分解成各种功能的电路板结构，并在边路版之间通过各种接口装置进行 插接，进而实现电路板之间的电路连接。 对于处于工作状态的插接电路来说，往往因为接口中存在电路板的供电以及传输 的数据电流，在突然进行热插拔时，出现瞬间的电流信号波动而产生电流冲击，进而造成电 路器件的损坏，甚至产生电弧造成更大的破坏。但是，对于多组电气设备所组成的庞大系统 来说，当其中的某个电路模块需要进行检测而必须进行插拔，同时又不能影响整个系统的 当前运行时，则必不可少地需要对正在通电工作的电路模块进行热插拔。 例如计算机中，液晶屏模块和主板之间的通过接口进行插接。当计算机处于工作 状态时，对液晶屏模块的热插拔过程，将导致电流信号的波动，进而对液晶屏模块、计算机 主板产生电流冲击，甚至产生电弧，而对液晶屏模块和/或计算机主板造成破坏。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种接口装置，以保证通过该接口装置连接的电路模 块之间进行热插拔时的安全。 本申请的技术方案是这样实现的： -种接口装置，包括插板、插座、常断开关电路；其中： 所述插板具有插接端、并在所述插接端形成有包括多个触片的金手指，所述金手 指的所述多个触片中至少包括控制触片和电源触片，其中，所述控制触片连接控制电压，并 且所述控制触片的末端距所述插接端的边缘的距离大于所述电源触片的末端距所述插接 端的边缘的距离； 所述插座具有供所述插接端进入的开口、并在所述开口内形成有与所述金手指中 所述触片-对应的多个触点，所述多个触点中包括对应所述控制触片的控制触点、以及 对应所述电源触片的电源触点，其中，所述控制触点和所述电源触点距所述开口面的距离 相同； 以及，所述电源触点通过所述常断开关电路连接到电源，并且，所述控制触点连接 所述常断开关电路的导通触发端。 进一步，所述电源包括第一电源和第二电源； 所述电源触点包括至少1个第一电源触点和至少1个第二电源触点。 进一步，所述常断开关电路包括N型金属氧化物半导体场效应晶体管NM0S、第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管PM0S、第二PM0S、第一电阻、第二电阻和第三电阻；其 中， 所述NM0S的栅极通过所述第一电阻连接于所述第二电源，所述NM0S的源极连接 于所述导通触发端，所述NM0S的漏极与所述第二电阻的一端连接； 所述第二电阻的另一端分别与所述第一PM0S的栅极、第二PM0S的栅极连接，并通 过所述第三电阻连接于所述第一电源； 所述第一PM0S的源极连接于所述第一电源，所述第一PM0S的漏极连接于所述第 一电源触点； 所述第二PM0S的源极连接于所述第二电源，所述第二PM0S的漏极连接于所述第 二电源触点。 进一步，所述第一电源电压为5V，所述第二电源电压为3. 3V，所述控制电压为地 电压GND，所述第一电阻为10KQ、第二电阻为1KQ、第三电阻为100KQ。 进一步，所述常断开关电路还包括一端连接于所述第二PM0S的栅极而另一端接 地的第一电容。 进一步，所述第一电容为10yF。 进一步，所述常断开关电路还包括第二电容、第三电容和第四电阻；其中， 所述第二电容的一端、第三电容的一端和第四电阻的一端连接于所述第一PM0S 的漏极，所述第二电容的另一端、第三电容的另一端和第四电阻的另一端接地。 进一步，所述第二电容为10iiF,所述第三电容为100nF,所述第四电阻为10KQ。 进一步，所述常断开关电路还包括第四电容、第五电容和第五电阻； 所述第四电容的一端、第五电容的一端和第五电阻的一端连接于所述第二PM0S 的漏极，所述第四电容的另一端、第五电容的另一端和第五电阻的另一端接地。 进一步，所述第四电容为10iiF，所述第五电容为100nF，所述第五电阻为10KQ。 从上述方案可以看出，本技术的口装置中，由于所述控制触片的末端距所述 插接端的边缘的距离大于所述电源触片接的末端距所述插接端的边缘的距离，同时所述控 制触点和所述电源触点距所述开口面的距离相同，进而在所述插板插入插座时，电源触片 率先与电源触点接触，而控制触片后与控制触点接触，在控制触片与控制触点接触时通过 常断开关电路开启对电源触点进而对电源触片的供电，在所述插板拔出插座时，控制触片 率先控制触点分离，进而通过常断开关电路停止对电源触点以及电源触片的供电，进而在 之后电源触片与电源触点是在断电的情况下分离的。这样可以保证在插板和插座的插拔过 程中，不会导致电源触片和电源触点带电接触所带来的放电电弧，提高了插板和插座之间 热插拔的可靠性，保证了通过本技术接口装置连接的电路模块之间进行热插拔时的安 全。 【附图说明】 图1为本技术接口装置的A面结构示意图； 图2为本技术接口装置的B面结构示意图； 图3为本技术接口装置的常断开关电路的电路结构实施例示意图。 【具体实施方式】 为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实 施例，对本技术作进一步详细说明。 如图1、图2所示，本技术的接口装置包括插板1、插座2和常断开关电路3。 其中，插板1分为A、B两面，插板1具有插接端10、并在所述插接端形成有包括多个触片11 的金手指，所述触片11分布于插板1的A、B两面，所述金手指的多个触片11中至少包括控 制触片111和电源触片112(电源触片112可以为除了控制触片111以外的触片中的任意 1个或者多个），其中，所述控制触片111连接控制电压，并且所述控制触片111的末端110 距所述插接端10的边缘的距离大于所述电源触片112的末端距所述插接端10的边缘的 距离。所述插座2具有供所述插接端10进入的开口 20,并在所述开口 20内形成有与所述 金手指中所述触片11--对应的多个触点21，所述多个触点21中包括对应所述控制触片 111的控制触点211、以及对应所述电源触片112的电源触点212,其中，所述控制触点211 和所述电源触点212距所述开口 20面的距离相同。所述电源触点212通过一常断开关电 路3连接到电源4,并且，所述控制触点211连接所述常断开关电路3的导通触发端31。 对于电气设备中插接的电路模块来说，一般都会具有多种电源电压的输入，据此 本技术的一个实施例中，所述电源包括所述电源包括第一电源和第二电源进而可为采 用本技术接口装置进行插接的电路模块提供两种电源；配合所述第一电源和第二电 源，所述电源触点212包括至少1个第一电源触点2121和至少1个第二电源触点2122。 图3是本技术的接口装置中所采用的常断开关电路3的电路结构实施例示意 图。 所述常断开关电路3包括NMOS(N型金属氧化物半导体场效应晶体管， N-Mental-〇xide_Semiconductor)NMl、第一PM0S(P型金属氧化物半导体场效应晶体管， P-Mental-〇xide-S本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种接口装置，其特征在于，包括插板、插座、常断开关电路；其中：所述插板具有插接端、并在所述插接端形成有包括多个触片的金手指，所述金手指的所述多个触片中至少包括控制触片和电源触片，其中，所述控制触片连接控制电压，并且所述控制触片的末端距所述插接端的边缘的距离大于所述电源触片的末端距所述插接端的边缘的距离；所述插座具有供所述插接端进入的开口、并在所述开口内形成有与所述金手指中所述触片一一对应的多个触点，所述多个触点中包括对应所述控制触片的控制触点、以及对应所述电源触片的电源触点，其中，所述控制触点和所述电源触点距所述开口面的距离相同；以及，所述电源触点通过所述常断开关电路连接到电源，并且，所述控制触点连接所述常断开关电路的导通触发端。
【技术特征摘要】
1. 一种接口装置，其特征在于，包括插板、插座、常断开关电路；其中： 所述插板具有插接端、并在所述插接端形成有包括多个触片的金手指，所述金手指的 所述多个触片中至少包括控制触片和电源触片，其中，所述控制触片连接控制电压，并且所 述控制触片的末端距所述插接端的边缘的距离大于所述电源触片的末端距所述插接端的 边缘的距离； 所述插座具有供所述插接端进入的开口、并在所述开口内形成有与所述金手指中所 述触片-对应的多个触点，所述多个触点中包括对应所述控制触片的控制触点、以及对 应所述电源触片的电源触点，其中，所述控制触点和所述电源触点距所述开口面的距离相 同； 以及，所述电源触点通过所述常断开关电路连接到电源，并且，所述控制触点连接所述 常断开关电路的导通触发端。2. 根据权利要求1所述的接口装置，其特征在于： 所述电源包括第一电源和第二电源； 所述电源触点包括至少1个第一电源触点和至少1个第二电源触点。3. 根据权利要求2所述的接口装置，其特征在于，所述常断开关电路包括N型金属氧化 物半导体场效应晶体管NMOS、第一 P型金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS、第二PMOS、第 一电阻、第二电阻和第三电阻；其中， 所述NMOS的栅极通过所述第一电阻连接于所述第二电源，所述NMOS的源极连接于所 述导通触发端，所述NMOS的漏极与所述第二电阻的一端连接； 所述第二电阻的另一端分别与所述第一PMOS的栅极、第二PMOS的栅极连接，并通过所 述第三电阻连接于所述第一电源； 所述第一 PMOS的源极连接于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：阮桂龙，黄节泵，韩泽胜，
申请(专利权)人：杭州海康威视数字技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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