本实用新型专利技术提供一种金氧半场效晶体管热阻测试装置和测试板，其中，装置包括：电压源、第一电流源、第二电流源、二极管和电压测量装置；所述电压源的正负极分别连接被测金氧半场效晶体管的栅极和源极；所述第一电流源的正负极分别连接所述被测金氧半场效晶体管的漏极和源极；所述第二电流源的正极通过所述二极管连接所述被测金氧半场效晶体管的漏极，其中，所述第二电流源的负极连接源极，所述二极管的负极连接漏极；所述电压测量装置正负极分别连接所述被测金氧半场效晶体管的源极和漏极。通过在第二电流源和被测金氧半场效晶体管之间加入二极管，可以屏蔽第二电流源的泄露信号对测试信号的干扰，从而无需串联焊接两个测试器件，提高测试效率。
【技术实现步骤摘要】
金氧半场效晶体管热阻测试装置和测试板
本技术涉及热阻测试
，特别是涉及一种金氧半场效晶体管热阻测试装置和金氧半场效晶体管热阻测试板。
技术介绍
随着MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管)向更小巧轻薄、更高功率密度方向发展，器件单位体积内的热量也相应增加，如果不能有效地将热量释放出去，将会影响器件性能，因此，现今对金氧半场效晶体管的散热性能提出了更高要求。而表征器件散热性能的关键指标是热阻，从而对于金氧半场效晶体管热阻测试的需求增大。 现有的金氧半场效晶体管热阻测试中，通过电压源提供栅压、同时给漏源施加正向电流使器件充分发热，然后给漏、源间的反向二极管施加测试电流并采集反向二极管结压，得到器件结温，从而得到芯片到参考点的热阻。在测试时，对于正向电流泄露信号干扰测试信号的现象，会采用串联两个相同金氧半场效晶体管，一个为辅助金氧半场效晶体管另一个为待测金氧半场效晶体管的方法来消除。利用辅助金氧半场效晶体管与待测金氧半场效晶体管串联的方法，虽然解决了泄漏信号对测试信号干扰的问题，但需要同时焊接两个器件，效率比较低，而且也不适用于同个电路里具有多个金氧半场效晶体管的场合。 由此可见，上述金氧半场效晶体管热阻测试需要同时焊接两个金氧半场效晶体管器件，效率比较低。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有金氧半场效晶体管热阻测试效率比较低的问题，提供一种金氧半场效晶体管热阻测试装置和金氧半场效晶体管热阻测试板。 一种金氧半场效晶体管热阻测试装置，包括: 电压源、第一电流源、第二电流源、二极管和电压测量装置； 所述电压源的正负极分别连接被测金氧半场效晶体管的栅极和源极； 所述第一电流源的正负极分别连接所述被测金氧半场效晶体管的漏极和源极； 所述第二电流源的正极通过所述二极管连接所述被测金氧半场效晶体管的漏极，其中，所述第二电流源的负极连接源极，所述二极管的负极连接漏极； 所述电压测量装置分别连接所述被测金氧半场效晶体管的源极和漏极； 所述电压源用于向所述被测金氧半场效晶体管的栅极施加正向电压，所述第一电流源用于向所述被测金氧半场效晶体管提供由源极到漏极方向的反向电流；所述第二电流源通过所述二极管向所述被测金氧半场效晶体管提供单向的加热电流，所述二极管用于屏蔽所述第二电流源的泄漏信号；所述电压测量装置用于测量所述被测金氧半场效晶体管漏极和源极之间的反向二极管的结压。 上述金氧半场效晶体管热阻测试装置通过在第二电流源和被测金氧半场效晶体管之间加入二极管，在加热阶段时不影响所述第二电流源向所述被测金氧半场效晶体管的漏极提供加热电流，而在测试阶段，所述二极管可以屏蔽所述第二电流源的泄露信号对测试信号的干扰，可以提高测试的准确性，同时无需串联焊接两个被测金氧半场效晶体管，可以适用同个电路有多个金氧半场效晶体管的情况，从而使得测试效率比较高。 一种金氧半场效晶体管热阻测试板，包括: 栅极焊接口，漏极焊接口，源极焊接口、第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘和所述二极管； 所述栅极焊接口与所述金氧半场效晶体管的栅极连接，所述漏极焊接口与所述金氧半场效晶体管的漏极连接，所述源极焊接口与所述金氧半场效晶体管的源极连接； 所述栅极焊接口通过传输线连接所述第一焊盘，所述第一焊盘连接所述电压源正极； 所述漏极焊接口通过所述传输线连接所述二极管的负极，所述二极管的正极通过所述第二焊盘连接所述第二电流源正极； 所述漏极焊接口通过所述传输线连接所述第三焊盘，所述第三焊盘连接所述第一电流源正极； 所述漏极焊接口通过所述传输线连接所述第四焊盘，所述第四焊盘连接所述电压测量装置正极； 所述源极焊接口通过所述传输线连接所述第五焊盘，所述第五焊盘连接所述电压测量装置负极； 所述源极焊接口通过传输线分别连接所述电压源负极、第二电流源负极、第一电流源负极。 上述金氧半场效晶体管热阻测试板提供所述栅极焊接口、漏极焊接口、源极焊接口、第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘，利用该测试板可以使得对金氧半场效晶体管热阻测量更便捷和快速，提高测试效率。 【附图说明】 图1为一实施例金氧半场效晶体管热阻测试装置结构示意图； 图2为一实施例金氧半场效晶体管热阻测试板结构示意图； 图3为另一实施例金氧半场效晶体管热阻测试板结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图对本技术的金氧半场效晶体管热阻测试装置和金氧半场效晶体管热阻测试板的【具体实施方式】作详细描述。 请参阅图1，图1为一实施例金氧半场效晶体管热阻测试装置结构示意图。 一种金氧半场效晶体管热阻测试装置，包括: 电压源110、第一电流源120、第二电流源130、二极管140和电压测量装置150 ； 所述电压源110的正负极分别连接被测金氧半场效晶体管的栅极和源极； 所述第一电流源120的正负极分别连接所述被测金氧半场效晶体管的漏极和源极； 所述第二电流源130的正极通过所述二极管140连接所述被测金氧半场效晶体管的漏极，其中，所述第二电流源130的负极连接源极，所述二极管140的负极连接漏极； 所述电压测量装置150分别连接所述被测金氧半场效晶体管的源极和漏极； 所述电压源110用于向所述被测金氧半场效晶体管的栅极施加正向电压，所述第一电流源120用于向所述被测金氧半场效晶体管提供由源极到漏极方向的反向电流；所述第二电流源130通过所述二极管140向所述被测金氧半场效晶体管提供单向的加热电流，所述二极管140用于屏蔽所述第二电流源130的泄漏信号；所述电压测量装置150用于测量所述被测金氧半场效晶体管漏极和源极之间的反向二极管的结压。 上述金氧半场效晶体管热阻测试装置通过在第二电流源130和被测金氧半场效晶体管之间加入二极管140，在加热阶段时不影响所述第二电流源130向所述被测金氧半场效晶体管的漏极提供加热电流，而在测试阶段，所述二极管140可以屏蔽所述第二电流源130的泄露信号对测试信号的干扰，可以使得测试准确性比较高，同时也可以适用同个电路有多个金氧半场效晶体管的场合从而使得测试效率比较高。 在一实施例中，所述电压源可以为30V电压源。 所述电压源采用30V的电压源可以更快的使金氧半场效晶体管沟道打开。 在一实施例中，所述第一电流源可以为10mA电流源。 所述第一电流源采用10mA电流源，所述10mA电流源提供的反向电流不会造成因反向电流过小而测不到反向二极管的结压的结果。 在一实施例中，所述第二电流源可以为5A电流源。 所述第二电流源采用5A电流源可以使得对金氧半场效晶体管加热的效率更高。 请参阅图2，图2为一实施例金氧半场效晶体管热阻测试板结构示意图。 一种金氧半场效晶体管热阻测试板，包括: 栅极焊接口 310，漏极焊接口 320，源极焊接口 330、第一焊盘340、第二焊盘350、第三焊盘360、第四焊盘370、第五焊盘390和所述二极管380 ； 所述栅极焊接口 310与所述金氧半场效晶体管的栅极连接，所述漏极焊接本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种金氧半场效晶体管热阻测试装置，其特征在于，包括：电压源、第一电流源、第二电流源、二极管和电压测量装置；所述电压源的正负极分别连接被测金氧半场效晶体管的栅极和源极；所述第一电流源的正负极分别连接所述被测金氧半场效晶体管的漏极和源极；所述第二电流源的正极通过所述二极管连接所述被测金氧半场效晶体管的漏极，其中，所述第二电流源的负极连接源极，所述二极管的负极连接漏极；所述电压测量装置分别连接所述被测金氧半场效晶体管的源极和漏极；所述电压源用于向所述被测金氧半场效晶体管的栅极施加正向电压，所述第一电流源用于向所述被测金氧半场效晶体管提供由源极到漏极方向的反向电流；所述第二电流源通过所述二极管向所述被测金氧半场效晶体管提供单向的加热电流，所述二极管用于屏蔽所述第二电流源在测试时产生的泄漏信号；所述电压测量装置用于测量所述被测金氧半场效晶体管漏极和源极之间的反向二极管的结压。
【技术特征摘要】
1.一种金氧半场效晶体管热阻测试装置，其特征在于，包括: 电压源、第一电流源、第二电流源、二极管和电压测量装置； 所述电压源的正负极分别连接被测金氧半场效晶体管的栅极和源极； 所述第一电流源的正负极分别连接所述被测金氧半场效晶体管的漏极和源极； 所述第二电流源的正极通过所述二极管连接所述被测金氧半场效晶体管的漏极，其中，所述第二电流源的负极连接源极，所述二极管的负极连接漏极； 所述电压测量装置分别连接所述被测金氧半场效晶体管的源极和漏极； 所述电压源用于向所述被测金氧半场效晶体管的栅极施加正向电压，所述第一电流源用于向所述被测金氧半场效晶体管提供由源极到漏极方向的反向电流；所述第二电流源通过所述二极管向所述被测金氧半场效晶体管提供单向的加热电流，所述二极管用于屏蔽所述第二电流源在测试时产生的泄漏信号；所述电压测量装置用于测量所述被测金氧半场效晶体管漏极和源极之间的反向二极管的结压。2.根据权利要求1所述的金氧半场效晶体管热阻测试装置，其特征在于，所述电压源为30V电压源。3.根据权利要求1所述的金氧半场效晶体管热阻测试装置，其特征在于，所述第一电流源为10mA电流源。4.根据权利要求1所述的金...
【专利技术属性】
技术研发人员：李汝冠，周斌，何小琦，游金程，曾畅，廖雪阳，
申请(专利权)人：工业和信息化部电子第五研究所，
类型：新型
国别省市：广东;44
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