微米级半导体器件的封装方法及形成的封装结构技术

本发明专利技术公开了一种微米级半导体器件的封装方法，包括：提供表面具有多个导体柱的晶园的准备步骤；在加入涂覆材料的步骤之后进行的去除部分涂覆材料层的步骤；其改进在于：加入涂覆材料的步骤为：贴着准备步骤后形成的晶片的起伏表面，通过喷胶设备喷涂涂覆材料并形成吻合该起伏表面的形状的涂覆材料层。同时，本发明专利技术还提供了一种以此形成的微米级半导体器件的封装结构。相较于现有技术，本发明专利技术工艺步骤减少，材料的用量降低，并解决了浪费材料的问题，同时还可以方便对涂覆材料层厚度的控制；另外各导体柱之间扩大的体积，可以方便倒装焊完成后填料的填充,降低导体柱之间短路的发生。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
微米级半导体器件的封装方法，包括：提供表面具有多个导体柱的晶片的准备步骤；在加入涂覆材料的步骤之后进行的去除部分涂覆材料层的步骤；其特征在于：所述加入涂覆材料的步骤为：贴着所述准备步骤后形成的所述晶片的起伏表面，通过喷胶设备喷涂涂覆材料并形成吻合所述起伏表面的形状的涂覆材料层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴勇军，
申请(专利权)人：吴勇军，
类型：发明
国别省市：湖南;43