非易失性半导体存储器器件制造技术

本发明专利技术涉及非易失性半导体存储器器件。一种非易失性半导体存储器器件包括：第一和第二存储器块，在第一方向上互相邻近地设置。所述第一和第二存储器块中的每一个都包括多个位线、被设置为在第二方向上延伸的多个字线以及与所述多个字线中的任一个连接的存储器基元。所述第一存储器块包括与存储器基元的一端连接的第一选择栅极线，以及所述第二存储器块包括相同方式的第二选择栅极线。所述第一选择栅极线的一端的端部包括L-形部分，以及所述第二选择栅极线的一端的端部包括直线部分。在所述第一选择栅极的所述L-形部分上设置第一接触。

【技术实现步骤摘要】
非易失性半导体存储器器件相关申请的交叉引用本申请基于并要求2013年8月29日提交的在先日本专利申请N0.2013-178029的优先权，通过弓I用将其整个内容并入在本文中。
这里描述的实施例一般涉及非易失性半导体存储器器件。
技术介绍
在非易失性半导体存储器器件中，为了降低在存储器栅极电极之间的寄生电容，在一些情况下，在栅极电极之间形成空气间隙。例如，通过在倾向于不掩埋在其间形成有间隙的栅极电极的条件下形成绝缘膜以及在栅极电极之上形成绝缘层以便在其间形成空隙，而形成空气间隙，。 然而，例如，在清洁工艺中使用的化学溶液会进到空气间隙中并且扩展穿过互相连接的空气间隙并与宽范围的存储器基元接触。将这些化学溶液暴露到存储器基元会攻击存储器基元中的一些材料，例如在存储器基元中的布线材料，不期望的暴露会在受影响的存储器基元中引起归因于布线材料的蚀刻的故障(例如，发生布线的断开)。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种具有版图(layout)的存储器件，其中防止了在清洁工艺期间典型使用的化学溶液在形成工艺期间攻击在存储器器件内形成的空气间隙结构中暴露的各存储器器件的部分。 —般地，根据一个实施例，提供了一种非易失性半导体存储器器件，该器件包括互相邻近设置的第一存储器块和第二存储器块。所述第一存储器块和所述第二存储器块中的每一个都包括被设置为在第一方向上延伸的多个位线、被设置为在与所述位线十字相交的第二方向上延伸的多个字线，以及与多个字线连接的存储器基元。所述第一存储器块包括与所述第一存储器块的所述存储器基元的一端连接的第一选择栅极晶体管，并且所述第二存储器块包括与所述第二存储器块的所述存储器基元的一端连接的第二选择栅极晶体管。连接到所述第一选择栅极晶体管的第一选择栅极线和连接到所述第二选择栅极晶体管的第二选择栅极线互相邻近。所述第一选择栅极线的一端的端部包括L-形部分，并且所述第二选择栅极的一端的端部包括直线部分，所述L-形部分在所述端部处具有在第二方向上延伸的第一区域和在第一方向上从所述第一区域延伸的第二区域。在所述第一选择栅极线的L-形部分上设置第一接触，并且在第一方向上从与所述第二选择栅极线背向的所述第一选择栅极线的第一边缘到与所述第一选择栅极线背向的第二选择栅极线的第一边缘的距离与所述L-形部分的宽度相等，其中在第一方向上从所述第一选择栅极线的所述第一边缘到与所述第一选择栅极线的所述第一边缘相对的所述第二区域的第二边缘测量所述览度。 【附图说明】 图1是框图实例，示意性示出了 NAND-型闪速存储器器件的电配置。 图2是平面图实例，示意性示出了存储器基元区域的一部分的版图图形。 图3A是平面图实例，示出了根据第一实施例的NAND-型闪速存储器器件的示意性配置，并且图3B是平面图实例，示意性示出了存储器基元区域的一部分的放大配置。 图4是平面图实例，示出了根据第一实施例的NAND-型闪速存储器器件的版图。 图5A是纵向截面图实例，示出了沿图4的线A-A截取的结构，并且图5B是纵向截面图实例，示出了沿图4的线B-B截取的结构。 图6是透视图实例，示出了图4的区域D的立体结构。 图7是平面图实例，示出了根据第一实施例的NAND-型闪速存储器器件的中间步骤的版图。 图8A是纵向截面图实例，示出了沿图7的线A-A截取的结构，并且图8B是纵向截面图实例，示出了沿图7的线B-B截取的结构，并且。 图9是平面图实例，示出了根据第一实施例的NAND-型闪速存储器器件的中间步骤的版图。 图1OA是纵向截面图实例，示出了沿图9的线A-A截取的结构，并且图1OB是纵向截面图实例，示出了沿图9的线B-B截取的结构。 图11是平面图实例，示出了根据第一实施例的NAND-型闪速存储器器件的中间步骤的版图。 图12A是纵向截面图实例，示出了沿图11的线A-A截取的结构，并且图12B是纵向截面图实例，示出了沿图11的线B-B截取的结构。 图13是平面图实例，示出了根据第一实施例的NAND-型闪速存储器器件的中间步骤的版图。 图14A是纵向截面图实例，示出了沿图13的线A-A截取的结构，并且图14B是纵向截面图实例，示出了沿图13的线B-B截取的结构。 图15是平面图实例，示出了根据第一实施例的NAND-型闪速存储器器件的中间步骤的版图。 图16A是纵向截面图实例，示出了沿图15的线A-A截取的结构，并且图16B是纵向截面图实例，示出了沿图15的线B-B截取的结构。 图17是平面图实例，示出了根据第一实施例的NAND-型闪速存储器器件的中间步骤的版图。 图18A是纵向截面图实例，示出了沿图17的线A-A截取的结构，并且图18B是纵向截面图实例，示出了沿图17的线B-B截取的结构。 图19是平面图实例，示出了根据第一实施例的NAND-型闪速存储器器件的中间步骤的版图。 图20A是纵向截面图实例，示出了沿图19的线A-A截取的结构，并且图20B是纵向截面图实例，示出了沿图19的线B-B截取的结构。 图21是平面图实例，示出了根据第一实施例的NAND-型闪速存储器器件的中间步骤的版图。 图22A是纵向截面图实例，示出了沿图21的线A-A截取的结构，并且图22B是纵向截面图实例，示出了沿图21的线B-B截取的结构。 图23是平面图实例，示出了根据第一实施例的NAND-型闪速存储器器件的中间步骤的版图。 图24A是纵向截面图实例，示出了沿图23的线A-A截取的结构，并且图24B是纵向截面图实例，示出了沿图23的线B-B截取的结构。 图25是平面图实例，示出了根据第一实施例的NAND-型闪速存储器器件的中间步骤的版图。 图26A是纵向截面图实例，示出了沿图25的线A-A截取的结构，并且图26B是纵向截面图实例，示出了沿图25的线B-B截取的结构。 图27是平面图实例，示出了根据第二实施例的NAND-型闪速存储器器件的版图。 图28是平面图实例，示出了根据第三实施例的NAND-型闪速存储器器件的版图。 图29是平面图实例，示出了根据第四实施例的NAND-型闪速存储器器件的设计。 图30是沿图29的线C-C截取的纵向截面图实例。 【具体实施方式】 (第一实施例) 下文中，将参考图1到26B描述第一实施例。示意性示出了附图以及厚度和平面尺寸之间的关系、每一层的厚度比率等不必与实际值一致。另外，上、下，右和左方向示出了当在随后将要描述的半导体衬底的电路形成表面侧被设定为上侧时的相对方向，并且不必与具有重力加速度方向作为参考的实例一致。在后面的描述中，为了便于描述使用了 XYZ正交坐标系。在该坐标系中，相对于半导体衬底的表面平行并且互相正交的两个方向设定为X方向和Y方向，其中字线WL延伸的方向设定为X方向而垂直于X方向且位线BL延伸的方向设定为Y方向。垂直于X方向和Y方向两个方向的方向被设定为Z方向。另外,通过将NAND-型闪速存储器器件作为非易失性半导体存储器器件的实例进行实施例的描述，并且适当提及了可切换技术。 图1是框图实例，示意性示出了 NAND-型闪速存储器器件的电配置。如图1中所示，NAND-型闪速存储器器件I包括存储器基元阵列A本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性半导体存储器器件，包括：第一存储器块和第二存储器块，在第一方向上互相邻近地设置，其中所述第一存储器块和所述第二存储器块中的每一个都包括被设置为在所述第一方向上延伸的位线、被设置为在与所述位线十字相交的第二方向上延伸的字线，以及连接到所述字线的存储器基元，所述第一存储器块包括第一选择栅极晶体管，所述第一选择栅极晶体管连接到所述第一存储器块的所述存储器基元的端部，所述第二存储器块包括第二选择栅极晶体管，所述第二选择栅极晶体管连接到所述第二存储器块的所述存储器基元的端部，连接到所述第一选择栅极晶体管的第一选择栅极线和连接到所述第二选择栅极晶体管的第二选择栅极线互相邻近，所述第一选择栅极线的端部包括L‑形部分，所述L‑形部分在所述端部处具有在所述第二方向上延伸的第一区域和在所述第一方向上从所述第一区域延伸的第二区域，第一接触，设置在所述第一选择栅极线的所述L‑形部分上，以及在所述第一方向上从与所述第二选择栅极线背向的所述第一选择栅极线的第一边缘到与所述第一选择栅极线背向的所述第二选择栅极线的第一边缘的距离等于所述L‑形部分的宽度，其中在所述第一方向上从所述第一选择栅极线的所述第一边缘到与所述第一选择栅极线的所述第一边缘相对的所述第二区域的第二边缘测量所述宽度。...

【技术特征摘要】
2013.08.29 JP 2013-1780291.一种非易失性半导体存储器器件，包括: 第一存储器块和第二存储器块，在第一方向上互相邻近地设置，其中所述第一存储器块和所述第二存储器块中的每一个都包括被设置为在所述第一方向上延伸的位线、被设置为在与所述位线十字相交的第二方向上延伸的字线，以及连接到所述字线的存储器基元， 所述第一存储器块包括第一选择栅极晶体管，所述第一选择栅极晶体管连接到所述第一存储器块的所述存储器基元的端部， 所述第二存储器块包括第二选择栅极晶体管，所述第二选择栅极晶体管连接到所述第二存储器块的所述存储器基元的端部， 连接到所述第一选择栅极晶体管的第一选择栅极线和连接到所述第二选择栅极晶体管的第二选择栅极线互相邻近， 所述第一选择栅极线的端部包括L-形部分，所述L-形部分在所述端部处具有在所述第二方向上延伸的第一区域和在所述第一方向上从所述第一区域延伸的第二区域， 第一接触，设置在所述第一选择栅极线的所述L-形部分上，以及在所述第一方向上从与所述第二选择栅极线背向的所述第一选择栅极线的第一边缘到与所述第一选择栅极线背向的所述第二选择栅极线的第一边缘的距离等于所述L-形部分的宽度，其中在所述第一方向上从所述第一选择栅极线的所述第一边缘到与所述第一选择栅极线的所述第一边缘相对的所述第二区域的第二边缘测量所述宽度。2.根据权利要求1的器件，还包括: 第一字线分割区域，分割所述字线， 其中所述第一字线分割区域被设置在所述第二存储器块中，并且在所述第二方向上位于所述第二存储器块的所述存储器基元和所述第一接触之间。3.根据权利要求1的器件，其中: 所述第二选择栅极线的端部包括直线部分， 所述第一选择栅极线的另一端部包括直线部分，以及 所述第二选择栅极线的另一端部包括L-形部分，其中所述第二选择栅极的所述L-形部分在所述端部处具有在与所述第二方向相对的第三方向上延伸的第一区域以及在与所述第一方向相对的第四方向上从所述第二选择栅极的所述第一区域延伸的第二区域。4.根据权利要求1的器件,其中: 所述第二选择栅极线的端部包括直线部分， 所述第一选择栅极线的另一端部包括直线部分， 所述第二选择栅极的另一端部包括L-形部分，以及 其中所述第一选择栅极线和所述第二选择栅极线具有点对称。5.根据权利要求1的器件，还包括: 选择栅极分割区域，设置在所述第一选择栅极线和所述第二选择栅极线之间。6.根据权利要求5的器件，还包括: 第一字线分割区域，其分割所述字线，其中所述第一字线分割区域设置在所述第二存储器块中，并且 其中所述第一字线分割区域与所述选择栅极分割区域接触。7.根据权利要求1的器件，其中所述第一接触至少设置于在所述第一方向上与所述第一选择栅极线的所述第一边缘相比更靠近所述第一选择栅极线的所述第二区域的所述第二边缘的位置。8.根据权利要求1的器件， 其中所述第二选择栅极线的端部包括直线部分，以及 至少在所述第二选择栅极线的所述直线部分中提供第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：新田博行，奥村祐介，说田雄二，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP