固体摄影装置制造方法及图纸

实施方式的固体摄影装置中，多个像素区域形成为通过元件分离区域分离了的二维阵列状，该固体摄影装置具有：多个微透镜；配设在多个微透镜之下的多个彩色滤光器；配设在多个彩色滤光器之下的多个光电变换部；以及在元件分离区域上且设置在多个微透镜与多个光电变换部之间的磁场发生部。

【技术实现步骤摘要】
固体摄影装置关联申请的参照本申请享受2013年9月10日申请的美国临时专利申请号为61876178的优先权的利益，在本申请中援引该美国临时专利申请的全部内容。
实施方式涉及固体摄影装置。
技术介绍
以往，固体摄影装置被广泛应用为成像传感器。成像传感器搭载于照相机装置等各种装置，近年来，伴随固体摄影装置的高像素化，像素尺寸的缩小化不断发展。 固体摄影装置具有排列为二维阵列状的多个像素区域，针对每个像素区域设置有对光进行聚光微透镜、分开颜色的彩色滤光器、进行光电变换的光电二极管。 像素尺寸的缩小化提高了各像素中的入射距离与聚光口宽度的比率、即纵横比，各像素区域中的光电二极管层等的纵横比也提高，容易产生混色等问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的课题是提供不易产生混色等问题的固体摄影装置。 一实施方式的固体摄影装置将多个像素区域形成为通过元件分离区域分离了的二维阵列状，该固体摄影装置具有:多个微透镜；配设在所述多个微透镜之下的多个彩色滤光器；配设在所述多个彩色滤光器之下的多个光电变换部；在所述元件分离区域上且设置在所述多个微透镜与所述多个光电变换部之间的磁场发生部。 另一实施方式的固体摄影装置是多个像素区域形成为通过元件分离区域分离了的二维阵列状，该固体摄影装置具有:多个微透镜；配设在所述多个微透镜之下的多个彩色滤光器；配设在所述多个彩色滤光器之下的多个光电变换部；以及设置在形成有所述多个光电变换部的层之下、且以向所述层的下方引入在所述光电变换部中进行光电变换了的电荷的方式产生磁场的磁场发生部。 根据上述结构的固体摄影装置，不易产生混色等问题。 【附图说明】 图1是用于说明第I实施方式的固体摄影装置的结构的固体摄影装置的示意性的俯视图。 图2是用于说明与第I实施方式有关的、俯视二维阵列时的固体摄影装置的受光面中的像素排列的图。 图3是沿着图2中的II1-1II线的固体摄影装置I的示意性的部分剖面图。 图4是用于说明与第I实施方式有关的、应用了磁铁时的固体摄影装置I的受光面中的像素排列和磁铁排列的图。 图5是沿着图4中的V-V线的固体摄影装置IA的示意性的部分剖面图。 图6是示出与第I实施方式有关的磁铁18A的例子的图，该磁铁18A包括仅包括N极单极子磁铁18η、和仅包括S极的单极子磁铁18s。 图7是用于说明与第I实施方式有关的、将棒磁铁用作磁场发生部时的、固体摄影装置I的受光面中的像素排列和棒磁铁排列的图。 图8是用于说明与第I实施方式有关的、将多个棒磁铁用作磁场发生部时、在纵方向以及横方向排列并设置所分割出的多个棒磁铁19A时的、固体摄影装置I的受光面中的像素排列和棒磁铁排列的图。 图9是用于说明第2实施方式的固体摄影装置IA的受光面中的像素排列和磁铁排列的图。 图10是沿着图9中的X-X线的固体摄影装置IA的示意性的部分剖面图。 图11是用于说明与第2实施方式有关的、将棒磁铁用作磁场发生部时的固体摄影装置IA的受光面中的像素排列和棒磁铁排列的图。 图12是用于说明与第2实施方式有关的、将多个棒磁铁用作磁场发生部时的、在纵方向以及横方向排列并设置分割出的多个棒磁铁19A时的固体摄影装置IA的受光面中的像素排列和棒磁铁排列的图。 图13是用于说明与第2实施方式有关的、将布线用作磁场发生部时的固体摄影装置IA的受光面中的像素排列和布线的排列的图。 图14是沿着图13中的XIV-XIV线的固体摄影装置IA的示意性的部分剖面图。 【具体实施方式】 实施方式的固体摄影装置将多个像素区域形成为通过元件分离区域分离了的二维阵列状，该固体摄影装置具有:多个微透镜；配设在所述多个微透镜之下的多个彩色滤光器；配设在所述多个彩色滤光器之下的多个光电变换部；以及在所述元件分离区域上且设置在所述多个微透镜与所述多个光电变换部之间的磁场发生部。 实施方式的固体摄影装置将多个像素区域形成为通过元件分离区域分离了的二维阵列状，该固体摄影装置具有:多个微透镜；配设在所述多个微透镜之下的多个彩色滤光器；配设在所述多个彩色滤光器之下的多个光电变换部；以及设置在形成有所述多个光电变换部的层之下、且以向所述层的下方引入在所述光电变换部中被进行光电变换了的电荷的方式产生磁场的磁场发生部。 另外，以下的说明所使用的各图中，因为将各结构要素设为在图面上可识别的程度的大小，所以是使比例尺针对各结构要素的每一个不同的图，本专利技术不仅限于这些图所记载的结构要素的数量、结构要素的形状、结构要素的大小的比率以及各结构要素的相对的位置关系。 (第I实施方式) (固体摄影装置的结构) 根据本实施方式的固体摄影装置，能够减轻混色。特别是，因为像素区域的纵横比增加时混色的影响变大，所以以下说明的固体摄影装置的布线、磁铁等成为有效的混色抑制手段。 图1是用于说明固体摄影装置的结构的固体摄影装置的示意性的俯视图。图2是用于说明俯视二维阵列时的、固体摄影装置的受光面中的像素排列的图。另外，在此，以背面照射型固体摄影装置的例子来说明本实施方式的固体摄影装置。 如图1以及图2所示，固体摄影装置I是在未图示的硅基板上具有摄影区域2的成像传感器，在该摄影区域2中，多个像素区域形成为通过元件分离区域分离了的二维阵列状。在此，摄影区域2中的多个RGB像素排列例如为拜耳排列。 如图2所示，RGB的各像素区域例如具有大致正方形形状，多条布线配设在纵横方向上。在图2中，在纵方向(以下也称作Y方向)延伸设置的多条导电性的布线LL，LR在横方向(以下也称作X方向)排列并配设。同样地，在X方向延伸设置的多条导电性的布线LU，LD在Y方向排列并配设。在图2中，用虚线示出布线LL、LR、LU、LD。 图3是沿着图2中的II1-1II线的固体摄影装置I的示意性的部分剖面图。图3示出蓝(B)、绿(G)以及蓝(B)的3个像素区域的剖面。背面照射型的固体摄影装置I中，从与形成有信号读出回路的半导体基板的一面侧的相反侧的面入射来自被拍摄体的光。在图3中，来自被拍摄体的光L朝向图3的纸面从上方入射到固体摄影装置I的微透镜。 固体摄影装置I具有:具有从入射来自被拍摄体的光L的面朝向硅基板入射光的多个微透镜的微透镜层11、RGB的3色的彩色滤光器层12、绝缘膜13、光电二极管层14以及多层布线层15。 针对每个像素区域设置有与该像素对应的微透镜、彩色滤光器以及光电二极管。多个彩色滤光器配置在多个微透镜之下，多个光电二极管配设在多个彩色滤光器之下。即多个光电二极管配置在多个微透镜之下，透射过对应的微透镜的光入射到作为光电变换部的各光电二极管。图3中示出在蓝色的像素区域设置有微透镜lib、彩色滤光器12b、光电二极管区域14b，在绿色的像素区域设置有微透镜llg、彩色滤光器12g、光电二极管区域Hg。虽然未图示，但在红色的像素区域设置有微透镜llr、彩色滤光器12r、光电二极管区域 14r。 在相邻的两个光电二极管区域间设置有元件分离区域16。图3示出在相邻的光电二极管区域14b、14g间设置有元件分离区域16。 而且，在各像素区域中，读出在光电二极管区域发生的电荷的读出晶体管设置在光电二极管区域的下部。图3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固体摄影装置，多个像素区域形成为通过元件分离区域分离了的二维阵列状，该固体摄影装置具有：多个微透镜；配设在所述多个微透镜之下的多个彩色滤光器；配设在所述多个彩色滤光器之下的多个光电变换部；以及在所述元件分离区域上且设置在所述多个微透镜与所述多个光电变换部之间的磁场发生部。

【技术特征摘要】
2013.09.10 US 61/876,1781.一种固体摄影装置，多个像素区域形成为通过元件分离区域分离了的二维阵列状，该固体摄影装置具有: 多个微透镜； 配设在所述多个微透镜之下的多个彩色滤光器； 配设在所述多个彩色滤光器之下的多个光电变换部；以及 在所述元件分离区域上且设置在所述多个微透镜与所述多个光电变换部之间的磁场发生部。2.根据权利要求1所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述磁场发生部以从各微透镜朝向各光电变换部引入光电子的方式产生磁场。3.根据权利要求1所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述磁场发生部是设置在邻接的两个像素区域间的一对布线。4.根据权利要求3所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述固体摄影装置还具备设置在各彩色滤光器与各像素区域间的、至少包括2层的绝缘膜， 所述一对布线形成在相互不同的所述绝缘膜的层。5.根据权利要求4所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述一对布线以在所述多个像素区域间在纵方向以及横方向延伸的方式设置多条， 所述绝缘膜具有:第I层，设置有在所述纵方向延伸的一对布线；以及与所述第I层不同的第2层,该第2层设置有在所述横方向延伸的一对布线。6.根据权利要求3所述的固体摄影装置，其特征在于， 所述一对布线以在所述多个像素区域间在纵方向或横方向中的至少一个方向延伸的方式设置多条， 在各像素区域中，以夹着所述各像素区域的方式设置有所述一对布线的一方的布线和另一方的布线。7.根据权利要求3所述的固体摄影装置，其特征在于， 在所述一对布线中，电流在相互相反的方向上流过。8.根据权利要求3所述的固体摄影装置，其特征在于， 在俯视所述二维阵列时，所述一对布线的至少一部分设置为与设置在相邻的光电二极管间的元件分离区域重叠。9.根据权利要求1所述的固体摄影...

【专利技术属性】
技术研发人员：濑田渉二，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP