进阶修正方法技术

本发明专利技术公开了一种进阶修正方法。该方法包括：提供目标布局图形；接着，以修正模型修正目标布局图形，以取得修正图形；之后，对修正图形进行仿真模拟，以取得模拟轮廓；其后，在模拟轮廓上建立多个离标评估点，再比较仿真轮廓与目标布局图形，并取得各个离标评估点的多个风险加权值；继之，将各个离标评估点的风险加权值加总所得到的风险加总值由高至低排序成处理顺序；将目标布局图形加以辨认及分类归纳成多个图形区块；其后，依据处理顺序，调整修正图形，使调整后的修正图形的仿真轮廓收敛且接近目标布局图形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种图形修正方法，且特别是关于一种。
技术介绍
在集成电路（Integrated Circuit, 1C)蓬勃发展的今日，元件缩小化与集成化是 必然的趋势，也是各界积极发展的重要课题，而在整个半导体工艺中，光刻可W说是最举足 轻重的步骤之一，因此掩模图案转移（transfer)至晶圆（wafer)上的精确性，便占有非常 重要的地位。若图案的转移不正确，贝ij会影响芯片上的关键尺寸把ritical Dimension, CD) 的容忍度（tolerance)，降低曝光的分辨率。 随着集成度（integration)的逐渐提高，元件尺寸逐渐缩小，元件与元件之间的 距离也必须缩小，因此造成在光刻步骤中，图案转移有可能收到光线的影响而产生偏差，也 就是所谓的光学邻近效应的ptical Proximity Effect, 0P巧。而形成光学邻近效应的因 素是当光束透过掩模上的图案投影在芯片上时，一方面由于光束会产生散射现象而使得光 束被扩大。另一方面，光束会透过芯片表面的光刻胶层再经由芯片的半导体基底反射回来， 产生干涉的现象，因此会重复曝光，而改变在光刻胶层上实际的曝光量。 光学邻近效应修正法（Optical Proximity Correction, 0PC)的目的就是用W消 除因邻近效应所造成的关键尺寸偏差现象。然而，W目前所采用的光学邻近效应修正法修 正后，仍然会有一部分的图形无法符合目标布局图形。目前该一些无法符合目标布局图形 必须在建立离标点之后通过人工逐一比对与修正。然而，晶圆上的离标点多达数百万个，通 过人工比对与修正的方式，不仅耗费人力与成本，而且必须花费长时间才可完成。
技术实现思路
本专利技术提出一种，可W取代人工的方式，在短时间内使经由修正后 的修正图型的仿真轮廓有效收敛且接近目标布局图形。 本专利技术实施例的，可W使经由调整后的修正图型的仿真轮廓有效收 敛且接近目标布局图形。 本专利技术提供一种，包括提供目标布局图形，接着，对目标布局图形施 W分段及建立多个评估点，再W修正模型修正目标布局图形，W取得修正图形。之后，对修 正图形进行仿真模拟，W取得模拟轮廓。其后，在目标布局图形上的每一评估点计算仿真轮 廓与目标布局图形的差异，当差异值大于所设定的标准值时，所对应的评估点即被归类成 离标评估点，接着依据影响仿真轮廓偏离目标布局图形的多个影响因子W及多个预设条件 范围，W取得各个离标评估点的多个风险加权值。继之，将各个离标评估点的风险加权值加 总，W得到各个离标评估点的风险加总值。之后，将离标评估点的风险加总值由高至低排序 成处理顺序。其后，将目标布局图形加W辨认及分类归纳成多个图形区块。依据处理顺序， 调整修正图形，使调整后的修正图形的仿真轮廓收敛且接近目标布局图形。 依照本专利技术一实施例所述，上述取得各个离标评估点的风险加权值的方法更包括 建立查询表w及查询查询表来取得，查询表具有影响因子w及对应的预设条件范围的风险 加权值的信息。 依照本专利技术一实施例所述，上述影响因子包括离标程度（off-target level)、目 标关键尺寸、片段类型W及直线长度。离标程度为离标评估点与目标布局图形的多个目标 点的偏差值。 依照本专利技术一实施例所述，上述离标程度愈大、目标关键尺寸愈小或直线长度愈 长，则风险加权值愈大。 依照本专利技术一实施例所述，上述片段类型包括转角（Ved)、直线（Run)、线末 (Line end)或其组合，且直线的风险加权值大于转角的风险加权值，且转角的风险加权值 大于线末的风险加权值。 依照本专利技术一实施例所述，上述，更包括建立多个特定图层，其中各 特定图层分别储存目标布局图形、修正图形、仿真轮廓W及离标评估点的信息。 依照本专利技术一实施例所述，上述调整修正图形的步骤是进行至离标评估点减少至 一预定值W下或为零。 依照本专利技术一实施例所述，上述调整修正图形的步骤是进行至离标评估点的该些 风险加总值下降至一预定值W下或为零。 本专利技术提供一种，包括提供目标布局图形，接着，对目标布局图形施 W分段及建立多个评估点，再W修正模型修正目标布局图形，W取得修正图形。之后，对修 正图形进行仿真模拟，W取得模拟轮廓。其后，在目标布局图形上的每一评估点计算仿真轮 廓与目标布局图形的差异，当差异值大于所设定的标准值时，所对应的评估点即被归类成 离标评估点。接着依据影响仿真轮廓偏离目标布局图形的多个影响因子W及多个预设条件 范围，W取得各个离标评估点的多个风险加权值。继之，将各个离标评估点的风险加权值加 总，W得到各个离标评估点的风险加总值。将目标布局图形加W辨认及分类与归纳成多个 图形区块。依据规则，取得各个图形区块的区块风险加总值，其中规则与各个图形区块中的 离标评估点的风险加总值有关。将区块风险加总值由高至低排序成处理顺序。依据处理顺 序，调整修正图形，使调整后的修正图形的仿真轮廓收敛且接近目标布局图形。 依照本专利技术一实施例所述，上述规则包括W各个图形区块中的离标评估点中的最 高风险加总值来决定区块风险加总值。 依照本专利技术一实施例所述，上述规则包括W各个图形区块中的所有离标评估点的 风险加总值的总和来决定区块风险加总值。 依照本专利技术一实施例所述，上述将具有离标评估点的目标布局图形分类与归纳成 图形区块的方法包括：将具有离标评估点的该目标布局图形扩张特定范围后得到多个分割 区域，且每一分割区域内图形定义为局部图形；W及依照分割区域内所含的局部图形，分类 与归纳成图形区块。 依照本专利技术一实施例所述，上述取得各个离标评估点的风险加权值的方法更包括 建立查询表W及查询查询表来取得，查询表具有影响因子W及对应的预设条件范围的风险 加权值的信息。 依照本专利技术一实施例所述，上述影响因子包括离标程度、目标关键尺寸、片段类型 W及直线长度。离标程度为离标评估点与目标布局图形的多个目标点的偏差值。 依照本专利技术一实施例所述，上述离标程度愈大、目标关键尺寸愈小或直线长度愈 长，则风险加权值愈大。 依照本专利技术一实施例所述，上述片段类型包括转角、直线、线末或其组合，且直线 的风险加权值大于转角的风险加权值，且转角的风险加权值大于线末的风险加权值。 依照本专利技术一实施例所述，上述，更包括建立多个特定图层，其中各 特定图层分别储存目标布局图形、修正图形、仿真轮廓、离标评估点W及离标程度达到一预 定值W上的离标评估点的信息。 依照本专利技术一实施例所述，上述在目标布局图形上建立离标评估点的步骤是在将 目标布局图形分类与归纳成图形区块之前进行。 依照本专利技术一实施例所述，上述在目标布局图形上建立离标评估点的步骤是在将 模拟轮廓分类与归纳成图形区块之后进行，且上述调整修正图形的步骤是进行至该些离标 评估点减少至一预定值W下或为零。 依照本专利技术一实施例所述，上述调整修正图形的步骤是进行至整个或部分图形区 块的区块风险加总值下降至一预定值W下或为零。 本专利技术实施例的，依照风险加总值的高低来决定离标评估点的处理 顺序，可W在短时间内使模拟轮廓有效收敛且接近目标布局图形。 本专利技术实施例的，通过将模拟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种进阶修正方法，包括：提供一目标布局图形(Target layout pattern)；对该目标布局图形施以分段及建立多个评估点；以一修正模型修正该目标布局图形以取得一修正图形；对该修正图形进行一仿真模拟，以取得一模拟轮廓(simulation contour)；在该目标布局图形上的每一评估点计算该仿真轮廓与该目标布局图形的一差异，当该差异值大于所设定的一标准值时，所对应的该评估点即被归类成一离标评估点(off‑target evaluation point)；依据影响该仿真轮廓偏离该目标布局图形的多个影响因子以及多个预设条件范围，以取得各个离标评估点的多个风险加权值；将各个离标评估点的这些风险加权值加总，以得到各个离标评估点的一风险加总值；将这些离标评估点的这些风险加总值由高至低排序成一处理顺序；将该目标布局图形加以辨认及分类归纳成多个图形区块；以及依据该处理顺序，调整该修正图形，使调整后的该修正图形的该仿真轮廓收敛且接近该目标布局图形。

【技术特征摘要】
2013.08.28 US 61/870,7881. 一种进阶修正方法，包括： 提供一目标布局图形（Target layout pattern); 对该目标布局图形施以分段及建立多个评估点； 以一修正模型修正该目标布局图形以取得一修正图形； 对该修正图形进行一仿真模拟，以取得一模拟轮廓（simulation contour); 在该目标布局图形上的每一评估点计算该仿真轮廓与该目标布局图形的一差异， 当该差异值大于所设定的一标准值时，所对应的该评估点即被归类成一离标评估点 (off-target evaluation point)； 依据影响该仿真轮廓偏离该目标布局图形的多个影响因子以及多个预设条件范围，以 取得各个离标评估点的多个风险加权值； 将各个离标评估点的这些风险加权值加总，以得到各个离标评估点的一风险加总值； 将这些离标评估点的这些风险加总值由高至低排序成一处理顺序； 将该目标布局图形加以辨认及分类归纳成多个图形区块；以及 依据该处理顺序，调整该修正图形，使调整后的该修正图形的该仿真轮廓收敛且接近 该目标布局图形。2. 根据权利要求1所述的进阶修正方法，其中取得各个离标评估点的这些风险加权值 的方法更包括建立一查询表以及查询该查询表来取得，该查询表具有这些影响因子以及对 应的这些预设条件范围的这些风险加权值的信息。3. 根据权利要求2所述的进阶修正方法，其中这些影响因子包括： 一离标程度（off-target level)，其中该离标程度为这些离标评估点与该目标布局图 形的偏差值； 一目标关键尺寸（target CD size); 一片段类型（dissection type);以及 一直线长度（run length)。4. 根据权利要求3所述的进阶修正方法，其中该离标程度愈大、该目标关键尺寸愈小 或该直线长度愈长，则该风险加权值愈大。5. 根据权利要求3所述的进阶修正方法，其中该片段类型包括转角（Vert)、直线 (Run)、线末（Line end)或其组合，且该直线的该风险加权值大于该转角的该风险加权值， 且该转角的该风险加权值大于该线末的该风险加权值。6. 根据权利要求1所述的进阶修正方法，更包括建立多个特定图层，其中各该特定图 层分别储存该目标布局图形、该修正图形、该仿真轮廓以及这些离标评估点的信息。7. 根据权利要求1所述的进阶修正方法，其中该修正模型包括光学邻近效应修正模 型。8. 根据权利要求1所述的进阶修正方法，其中该调整该修正图形的步骤是进行至这些 离标评估点的数目减少至一定值以下或为零。9. 根据权利要求1所述的进阶修正方法，其中该调整该修正图形的步骤是进行至这些 离标评估点的这些风险加总值下降至一定值以下或为零。10. -种进阶修正方法，包括： 提供一目标布局图形； 对该目标布局图形施以分段及建立多个评估点； 以一修正模型修正该目标布局图形以取得一修正图形； 对该修正图形进行一仿真模拟，以取得一模拟轮廓； 在该目标布局图形上的每一评估点计算该仿真轮廓与该目标布局图形的差异，当该 差异值大于所设定的...

【专利技术属性】
技术研发人员：宣崇德，胡哲明，罗招龙，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71