具有多个发光结构的发光元件制造技术

本发明专利技术公开一种具有多个发光结构的发光元件，其包含一第一半导体层；一第一发光结构与一第二发光结构，位于第一半导体层之上；一第一电极，位于第一半导体层之上；一第二电极，位于第一发光结构之上；以及一第一沟槽，位于第一发光结构与第二发光结构之间，曝露第一半导体层，其中第一电极与第二电极不位于第一沟槽之中。

【技术实现步骤摘要】
具有多个发光结构的发光元件
本专利技术涉及一种发光元件，特别是涉及一种具有多个发光结构的发光元件。
技术介绍
如图1A所示,光电元件,例如发光二极管I (Light-emitting D1de ；LED),目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。此外，上述的LEDl可与其他元件组合连接以形成一发光装置。图1B为现有的发光装置结构示意图，如图1B所示，一发光装置10包含一具有一电路120的次载体(submount) 12 ；一焊料14 (solder)位于上述次载体12上，通过此焊料14将LEDl固定于次载体12上并使LEDl与次载体12上的电路120形成电连接；以及一电连接结构16，以电连接LEDl的电极11/13与次载体12上的电路120 ;其中，上述的次载体12可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一发光兀件，其包含一第一半导体层；一第一发光结构与一第二发光结构，位于第一半导体层之上；一第一电极，位于第一半导体层之上；一第二电极，位于第一发光结构之上；以及一第一沟槽，位于第一发光结构与第二发光结构之间，曝露第一半导体层，其中第一电极与该第二电极不位于第一沟槽之中。 本专利技术还提供一发光元件，包含一第一半导体层；一第一发光结构与一第二发光结构，位于第一半导体层之上；多个第一电极，位于第一半导体层之上；多个第二电极，位于第一半导体层之上；多个电绝缘部，位于多个第二电极与第一半导体层之间；以及一第一沟槽，位于第一发光结构与第二发光结构之间，曝露第一半导体层，其中第一电极与第二电极不位于第一沟槽之中。 本专利技术又提供一发光兀件，包含一第一半导体层；一第一发光结构与一第二发光结构，位于第一半导体层之上，其中第一发光结构及第二发光结构通过一第一桥接部连接；一第一沟槽，位于第一发光结构与第二发光结构之间，曝露第一半导体层；一第二沟槽，不平行于第一沟槽，曝露第一半导体层，其中第二沟槽包含一第一区及一第二区；一第二桥接部位于第一区及第二区之间；一第一电极，位于第一沟槽之中；以及一第二电极，包含一打线部与多个延伸部自打线部延伸，其中多个延伸部之一位于第二桥接部之上。 【附图说明】 图1A绘示现有LED的上视示意图； 图1B绘示现有的发光装置结构示意图； 图2A绘示本申请案一实施例的发光元件的上视示意图； 图2B绘示图2A绘示的发光元件的剖面示意图； 图2C?图2D绘示本申请案另一实施例的发光元件的制造流程图； 图2E标示本申请案实施例的发光元件与现有LED的效率； 图3A绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图； 图3B绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图； 图4A绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图； 图4B绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图； 图4C绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图； 图5A绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图； 图5B绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图； 图6绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图； 图7本申请案一实施例的灯泡分解示意图。 符号说明 I LED 10发光装置 11、13 电极 12次载体 120 电路 14 焊料 16 电连接结构 2、2，、3、3，、4、4，、5、5，、6 发光元件 20 基板 200图案化上表面 21第一电极 2IA第一打线区 21B第一延伸部 22发光叠层 220第一半导体层 221第一上表面 222主动层 223 第一侧边 224第二半导体层 225 第二侧边 23第二电极 23A第二打线区 23B第二延伸部 24透明导电层 25、41、50、60 第一沟槽 27、43、62 第二沟槽 30、40、54 第一桥接部 31、45、52 第三沟槽 32电绝缘层 33第四沟槽 42第二桥接部 431第一区 432第二区 451第三区 452第四区 47、64 曝露部 51第一连接线 53第二连接线 7灯泡 71灯罩 72透镜 73载体 74照明模块 75灯座 76散热槽 77连结部 78电连结器 【具体实施方式】 本专利技术的实施例会被详细地描述，并且绘制于附图中，相同或类似的部分会以相同的号码在各附图以及说明出现。 图2A绘示本申请案一实施例的发光元件的上视示意图，图2B绘示沿图2A的AA剖面线所视的发光元件的剖面示意图。如图2B所示，一发光元件2具有一基板20 发光叠层22,位于基板20之上；以及一透明导电层24位于发光叠层22之上,其中发光叠层22具有一第一半导体层220、一主动层222与一第二半导体层224依序形成于基板20之上。一第一沟槽25形成于透明导电层24与发光叠层22之中，曝露第一半导体层220的一第一上表面221，使得第一半导体层220以上的发光叠层22与透明导电层24分离形成一第一发光结构X与一第二发光结构Y。换言之，第一发光结构X与第二发光结构Y具有共同的第一半导体层220，但在第一半导体层220不同的区域之上具有各自的主动层222、第二半导体层224与透明导电层24。如图2A所示，第二沟槽27分别形成于第一发光结构X与第二发光结构Y之中，曝露第一上表面221。第一电极21位于第二沟槽27之中的第一上表面221之上，第二电极23位于透明导电层24之上。第一沟槽25位于第一发光结构X与第二发光结构Y之间，第一电极21与第二电极23皆位于第一沟槽25之外，即无电极位于第一沟槽25之中，使电流可以分别均勻地于第一发光结构X与第二发光结构Y扩散，提升发光兀件2的发光效率，如图2E所示。由上视图观之，第一发光结构X与第二发光结构Y具有相同的外观图案。以本实施例为例，相同的外观图案具有相同尺寸的长方形结构，以及相同的电极设计与对称的电极放置位置，有利于电流平均分布以及后续打线制作工艺的对位辨识。 第一电极21及/或第二电极23用以接受外部电压，可由透明导电材料或金属材料所构成。透明导电材料包含但不限于氧化铟锡(Ι--)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ΑΤ0)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铟钨(IWO)、氧化锌(ZnO)、砷化铝镓(AlGaAs)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、磷砷化镓(GaAsP)、氧化铟锌(IZO)或类钻碳薄膜(DLC)。金属材料包含但不限于铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Pt)、铅(Pb)、锌(Zn)、镉(Cd)、锑(Sb)、钴(Co)或上述材料的合金等。第一电极21具有一第一打线部21Α与自第一打线部21Α延伸的多个第一延伸部21Β，第二电极23具有一第二打线部23Α与自第二打线部23Α延伸的多个第二延伸部23Β，其中第一打线部21Α与第二打线部23Α用以作为后续打线制作工艺的打线位置，多个第一延本文档来自技高网...

【技术保护点】
一发光元件，包含︰第一半导体层；第一发光结构与第二发光结构，位于该第一半导体层之上；第一电极，位于该第一半导体层之上；第二电极，位于该第一发光结构之上；以及第一沟槽，位于该第一发光结构与该第二发光结构之间，曝露该第一半导体层，其中该第一电极与该第二电极不位于该第一沟槽之中。

【技术特征摘要】
1.一发光元件，包含: 第一半导体层； 第一发光结构与第二发光结构，位于该第一半导体层之上； 第一电极，位于该第一半导体层之上； 第二电极，位于该第一发光结构之上；以及 第一沟槽，位于该第一发光结构与该第二发光结构之间，曝露该第一半导体层，其中该第一电极与该第二电极不位于该第一沟槽之中。2.如权利要求1所述的发光元件，还包含第二沟槽，位于该第一发光结构之中，曝露该第一半导体层，其中该第一电极位于该第二沟槽之中。3.如权利要求1所述的发光元件，还包含: 另一第二电极，位于该第二发光结构之上； 第二沟槽，位于该第二发光结构之中；以及 另一第一电极，位于该第二沟槽之中。4.如权利要求3所述的发光兀件,其中该第一发光结构与该第二发光结构以俯视观之包含相同的图案。5.如权利要求1所述的发光元件，其中该第二半导体层包含一侧边，其中该侧边距离该第一电极约60微米至100微米。6.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一沟槽空间上分隔该第一发光结构与该第二发光结构。7.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一发光结构与该第二发光结构各包含: 主动层，位于该第一半导体层之上； 第二半导体层，位于该主动层之上；以及 透明导电层，位于该第二半导体层之上。8.如权利要求1所述的发光兀件，其中该第一电极包含多个第一延伸部，该第二电极包含多个第二延伸部，其中一该第一延伸部位于二该第二延伸部之间。9.如权利要求1所述的发光兀件，其中该第一电极包含第一打线部，该第二电极包含第二打线部，该第二半导体层包含第一侧边与远离该第一侧边的第二侧边；其中该第一打线部邻近该第一侧边，该第二打线部邻近该第二侧边。10.如权利要求9所述的发光元件，其中该第一打线部与第一侧边包含一间距，该间距为该第一打线部的尺寸。11.如权利要求3所述的发光元件，还包含一电连接线，连接二该第一电极。12.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧震，张峻玮，吴致纬，王圣智，蔡欣玫，蔡佳珍，张全成，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71