蚀刻液组合物及液晶显示装置用阵列基板的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及蚀刻液组合物及液晶显示装置用阵列基板的制造方法，该方法包括步骤：在基板形成栅极配线；在包含栅极配线的基板形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层形成半导体层；在半导体层形成源极和漏极；形成与漏极连接的像素电极，还包括蚀刻包含钼类金属膜或铜类金属膜的膜而形成电极的步骤，钼合金膜为铌或钨中的一种以上与钼的合金，蚀刻液组合物包括：组合物总重量中百分比为过氧化氢5.0～25.0％；氟化合物0.01～1.0％；唑类化合物0.1～5％；在分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5.0％；磷酸盐化合物0.1～5.0％；多元醇类表面活性剂0.001～5.0％；水剩余量，此外，不含有/无机酸或其盐、脂环族胺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示装置用阵列基板的制造方法及由铌或钨中的一种以上与钥 的合金的钥合金膜及铜类金属膜构成的多层膜用蚀刻液组合物。
技术介绍
作为驱动半导体装置及平板显示装置的电路，代表性的就是薄膜晶体管（thin film transistor,TFT)。在薄膜晶体管的制造过程中，通常在基板的上部形成金属膜作为栅 极和数据配线材料，在该金属膜的选择性区域上形成光刻胶后，将该光刻胶作为掩模来蚀 刻所述金属膜。 通常，作为栅极及数据配线材料，使用导电性好且电阻小的含铜的铜膜或铜合金 膜和与这些膜的表面粘合力优秀的金属氧化物膜。近年来，为了提高薄膜晶体管的性能，作 为金属氧化物膜，使用含有镓氧化物和铟氧化物、锌氧化物或它们的混合物的膜。 -方面，在韩国公开专利公报第10-2010-0090538号中，记载了铜类金属膜的蚀 刻用组合物，该组合物包含过氧化氢（H 2O2)、有机酸及磷酸盐类化合物等。当使用所述蚀刻 用组合物蚀刻铜-钥膜时，能够形成直线性良好的锥形轮廓，但在一次蚀刻钥-铌（Mo-Nb) 的钥类金属膜及铜类金属膜的情况下，蚀刻速度变慢，会出现钥-铌（Mo-Nb)的钥类金属 膜无法被蚀刻或者发生残渣等蚀刻性能极其低下的问题。并且，在韩国公开专利公报第 10-2010-0035250号中，记载了在过氧化氢等中必备地包含有硫酸铵和环己胺的组合物，当 使用所述组合物蚀刻铜/钥-铌（Mo-Nb)的钥类金属膜时，无法实现对铜膜或钥膜的充分 的蚀刻速度，蚀刻特性也会严重低下。 [现有技术文献] [专利文献] 专利文献1 :韩国公开专利公报第10-2010-0090538号 专利文献2 :韩国公开专利公报第10-2010-0035250号
技术实现思路
本专利技术是为了解决所述问题而提出的，本专利技术的目的在于提供一种使用蚀刻液的 液晶显示装置用阵列基板的制造方法，所述蚀刻液能够对钥-铌（Mo-Nb)等的钥类金属膜 及铜类金属膜进行一次蚀刻。 并且，本专利技术的目的在于提供一种在对钥-铌（Mo-Nb)等的钥类金属膜及铜类金 属膜进行一次蚀刻的情况下，也能够提高蚀刻速度和加快工序速度，避免产生残渣，并且随 着铜浓度而保持一定的侧面蚀刻（Side Etch) (μ m)变化量的蚀刻液组合物。 为了达到上述目的，本专利技术提供液晶显示装置用阵列基板的制造方法，所述液晶 显示装置用阵列基板的制造方法包括：步骤a)，在基板上形成栅极配线；步骤b)，在包含所 述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层；步骤c)，在所述栅极绝缘层上形成半导体层；步骤 d)，在所述半导体层上形成源极和漏极；以及步骤e)，形成与所述漏极相连接的像素电极， 所述液晶显示装置用阵列基板的制造方法的特征在于，所述步骤a)或步骤d)包括：通过 对包含钥类金属膜或铜类金属膜的膜进行蚀刻，来形成各电极的步骤，所述钥合金膜为铌 (Nb)或钨（W)中的一种以上与钥的合金，在用于蚀刻的所述蚀刻液组合物中，各组分在组 合物总重量中的重量百分比范围为：A)过氧化氢（H 2O2) 5. O重量百分比?25. O重量百分 t匕；B)氟类化合物0. 01重量百分比?I. 0重量百分比；C)唑类化合物0. 1重量百分比?5 重量百分比；D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0. 1重量百分比?5. 0重 量百分比；E)磷酸盐类化合物0. 1重量百分比?5. 0重量百分比；F)多元醇类表面活性剂 0. 001重量百分比?5. 0重量百分比；以及G)水剩余量，除了所述成分之外，所述蚀刻液组 合物不包含有机酸或有机酸盐、无机酸或无机酸盐或脂环族胺。 本专利技术提供铌（Nb)或钨（W)中的一种以上与钥的合金和铜类金属膜的蚀刻液组 合物，其中，各组分在组合物总重量中的重量百分比范围为：A)过氧化氢（H 2O2) 5.0重量百 分比?25. 0重量百分比；B)氟类化合物0. 01重量百分比?I. 0重量百分比；C)唑类化合 物0. 1重量百分比?5重量百分比；D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物 0. 1重量百分比?5. 0重量百分比；E)磷酸盐类化合物0. 1重量百分比?5. 0重量百分比； F)多元醇类表面活性剂0. 001重量百分比?5. 0重量百分比；以及G)水剩余量，除了所述 成分之外，所述蚀刻液组合物不包含有机酸或有机酸盐、无机酸或无机酸盐或脂环族胺。 根据本专利技术的蚀刻液组合物，在对钥-铌（M0-Nb)等的钥类金属膜及铜类金属膜 进行一次蚀刻的情况下，也能够提高蚀刻速度和加快工序速度，避免产生残渣，并且随着铜 浓度而保持一定的侧面蚀刻（Side Etch) (μ m)变化量。 【附图说明】 图1是在使用实施例2的蚀刻液组合物蚀刻铜/钥铌（Cu/M〇Nb)双层膜质的金属 膜后，利用扫描电子显微镜（SEM，Hitach S-4700)来观察图像的结果。 图2是在使用比较例4的蚀刻液组合物蚀刻铜/钥铌（Cu/M〇Nb)双层膜质的金属 膜后，利用扫描电子显微镜（SEM，Hitach S-4700)来观察图像的结果。 图3是在使用比较例5的蚀刻液组合物蚀刻铜/钥铌（Cu/M〇Nb)双层膜质的金属 膜后，利用扫描电子显微镜（SEM，Hitach S-4700)来观察图像的结果。 图4是在使用比较例7的蚀刻液组合物蚀刻铜/钥铌（Cu/M〇Nb)双层膜质的金属 膜后，利用扫描电子显微镜（SEM，Hitach S-4700)来观察图像的结果。 图5是在使用比较例9的蚀刻液组合物蚀刻铜/钥铌（Cu/M〇Nb)双层膜质的金属 膜后，利用扫描电子显微镜（SEM，Hitach S-4700)来观察图像的结果。 图6是在使用比较例10的蚀刻液组合物蚀刻铜/钥铌（Cu/M〇Nb)双层膜质的金 属膜后，利用扫描电子显微镜（SEM，Hitach S-4700)来观察图像的结果。 【具体实施方式】 本专利技术涉及蚀刻液组合物及利用该组合物的液晶显示装置用阵列基板的制造方 法，所述蚀刻液组合物在由用于形成薄膜晶体管阵列配线的铜/钥合金构成的双层膜膜质 中，能够以优秀的蚀刻特性，对上部铜金属膜和铌（Nb)或钨（W)中的一种以上与钥的合金 的钥合金膜进行一次蚀刻。 具体而言，本专利技术提供液晶显示装置用阵列基板的制造方法，所述液晶显示装置 用阵列基板的制造方法包括：步骤a)，在基板上形成栅极配线；步骤b)，在包含所述栅极配 线的基板上形成栅极绝缘层；步骤c)，在所述栅极绝缘层上形成半导体层；步骤d)，在所述 半导体层上形成源极和漏极；以及步骤e)，形成与所述漏极相连接的像素电极，所述液晶 显示装置用阵列基板的制造方法的特征在于，所述步骤a)或步骤d)包括：通过对包含作为 铌（Nb)或钨（W)中的一种以上与钥的合金的钥类金属膜及铜类金属膜的多层膜进行蚀刻， 来形成各电极的步骤，用于蚀刻的所述蚀刻液组合物包括：A)过氧化氢（H 2O2) ;B)氟类化合 物；C)唑类化合物；D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物；E)磷酸盐类化合 物；F)多元醇类表面活性剂；以及G)水。 尤其，用于本专利技术的蚀刻液组合物用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，包括：步骤a)，在基板上形成栅极配线；步骤b)，在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层；步骤c)，在所述栅极绝缘层上形成半导体层；步骤d)，在所述半导体层上形成源极和漏极；以及步骤e)，形成与所述漏极相连接的像素电极，其中，所述步骤a)或步骤d)包括：通过对包含钼类金属膜或铜类金属膜的膜进行蚀刻，来形成各电极的步骤，所述钼合金膜为铌或钨中的一种以上与钼的合金，用于蚀刻的所述蚀刻液组合物包括：占组合物总重量中的重量百分比为：A)过氧化氢5.0重量百分比～25.0重量百分比；B)氟化合物0.01重量百分比～1.0重量百分比；C)唑类化合物0.1重量百分比～5重量百分比；D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1重量百分比～5.0重量百分比；E)磷酸盐化合物0.1重量百分比～5.0重量百分比；F)多元醇类表面活性剂0.001重量百分比～5.0重量百分比；以及G)水剩余量，除了所述成分之外，所述蚀刻液组合物不包含有机酸或有机酸盐、无机酸或无机酸盐或脂环族胺。

【技术特征摘要】
2013.08.27 KR 10-2013-0101901;2014.06.30 KR 10-2011. 一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，包括： 步骤a)，在基板上形成栅极配线； 步骤b)，在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层； 步骤C)，在所述栅极绝缘层上形成半导体层； 步骤d)，在所述半导体层上形成源极和漏极；W及 步骤e)，形成与所述漏极相连接的像素电极， 其中，所述步骤a)或步骤d)包括；通过对包含钢类金属膜或铜类金属膜的膜进行蚀 亥IJ，来形成各电极的步骤， 所述钢合金膜为魄或鹤中的一种W上与钢的合金， 用于蚀刻的所述蚀刻液组合物包括：占组合物总重量中的重量百分比为；A)过氧化氨 5.0重量百分比?25.0重量百分比曲氣化合物0.01重量百分比?1.0重量百分比；C)哇 类化合物0. 1重量百分比?5重量百分比；D)在一个分子内具有氮原子和駿基的水溶性化 合物0. 1重量百分比?5. 0重量百分比；巧磯酸盐化合物0. 1重量百分比?5. 0重量百分 比；巧多元醇类表面活性剂0. 001重量百分比?5. 0重量百分比；W及G)水剩余量，除了所 述成分之外，所述蚀刻液组合物不包含有机酸或有机酸盐、无机酸或无机酸盐或脂环族胺。2. 根据权利要求1所述的液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其中，所述液晶显示 装置用阵列基板为薄膜晶体管阵列基板。3. 根据权利要求1所述的液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其中，用于蚀刻的所 述蚀刻液组合物，W 15?30身/sec的速度蚀刻钢类金属膜，W 70?120為/sec的速度蚀刻铜 类金属膜。4. 一种蚀刻液组合物，用于由魄或鹤中的一种W上与钢的合金的钢合金膜及铜类金属 胺构成的多层胺，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：李恩远，李智娟，权五柄，崔容硕，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR