半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术提出一种半导体器件的形成方法，在形成源/漏极、扩展区、栅介质层、栅极以及虚拟侧墙之后，去除所述虚拟侧墙，接着对所述扩展区进行离子注入处理，接着重新形成侧墙，由于离子注入至扩展区能够扩散至所述栅介质层内，从而能够提高所述栅介质层的可靠性，减少HCI以及NBTI效应，提高半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种。
技术介绍
随着半导体器件特征尺寸的持续缩小，半导体器件需要不断提高性能的同时，传统的制作工艺也遭遇到各种挑战。例如，现有工艺通常使用硅锗(31(?)外延层作为源/漏极，现有技术中为了增加半导体器件反应速度会增加硅锗外延层之间沟道中的应力，然而增加沟道中应力的同时会对影响沟道上方的栅氧化层的可靠性，从而会引起半导体器件热载流子效应(此!:11(31)以及负偏压温度不稳定效应(他职丨?一0188161111)61-81:111-6 1 = 81:8131111:7,8811)0 现有工艺中为了解决！以及他II效应，通常会在半导体器件形成延伸区之后进行？离子注入，从而能够提高栅氧化层的可靠性，从而可以减少此1以及他II效应，现有工艺中形成半导体器件的步骤包括: 提供半导体衬底10，所述半导体衬底10上形成有栅氧化层40以及栅极50，在所述栅极50的两侧的半导体衬底10中形成有源丨漏极20以及延伸区30，如图1所示； 对所述源丨漏极20以及延伸区30进行？离子注入，如图1所示； 对所述源/漏极20以及延伸区30进行热退火工艺处理； 在所述栅极50以及所述栅氧化层40的两侧形成侧墙60，如图2所示； 在所述源丨漏极20以及栅极50的表面形成自对准区70，如图3所示。 在？离子注入之后增加热退火工艺便于？离子扩散至栅氧化层40，能够更好的提高栅氧化层的可靠性，从而可以减少此1以及他II效应。 然而为了能更好的提高半导体器件的整体性能，在形成源/漏极20是通常会伴随着原位掺杂，可以增加沟道的应力，由于原位掺杂的需要达到一定要求的掺杂浓度才能够有显著的效果，因此，就需要在形成源/漏极20时的反应时间较长，进而会导致形成的源/漏极20略高于所述半导体衬底10以及扩展区30，如图4所示；此时，再使用现有技术中的？离子注入便无法使？离子穿透较厚的源/漏极20注入至所述扩展区30。因此便无法提高所述栅氧化层40的可靠性，减少此1以及他II效应。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，能够降低!以及他II效应。 为了实现上述目的，本专利技术提出一种，包括步骤: 提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅介质层、栅极以及虚拟侧墙，所述虚拟侧墙形成以所述栅介质层和栅极的两侧，在所述半导体衬底中形成有源/漏极和扩展区，所述源/漏极采用原位掺杂的方式形成在所述侧墙的两侧，所述扩展区位于所述栅介质层和侧墙的下端； 去除所述虚拟侧墙，暴露出部分所述扩展区； 使用与垂直线呈预定角度的离子束对暴露的扩展区进行离子注入处理； 在所述栅极以及栅介质层的两侧形成侧墙。 进一步的，在对暴露的扩展区进行离子处理之后，形成侧墙之前，使用快速退火工艺对所述源/漏极、扩展区以及栅介质层进行处理。 进一步的，所述退火工艺的温度范围是7001?10001。 进一步的，所述退火工艺的时间范围是308?6008。 进一步的，所述离子束为氟离子束。 进一步的，所述氟离子束的剂量范围是1.0214?1.5215。 进一步的，所述氟离子束的能量范围是51(?25尺。 进一步的，所述预定角度的范围是20。?35。。 进一步的，所述源/漏极和栅极表面形成有自对准区。 进一步的，所述栅介质层的材质为二氧化硅。 进一步的，所述虚拟栅极的材质为氮化硅。 进一步的，所述源/漏极的材质为锗硅。 进一步的，所述源/漏极采用原位掺杂方式掺入硼元素。 进一步的，所述侧墙的材质为碳化硅。 与现有技术相比，本专利技术的有益效果主要体现在:在形成源/漏极、扩展区、栅介质层、栅极以及虚拟侧墙之后，去除所述虚拟侧墙，接着对所述扩展区进行离子注入处理，接着重新形成侧墙，由于离子注入至扩展区能够扩散至所述栅介质层内，从而能够提高所述栅介质层的可靠性，减少此I以及他II效应，提高半导体器件的性能。 【附图说明】 图1至图3为现有技术中形成半导体器件的剖面示意图； 图4为原位掺杂后半导体器件的剖面示意图； 图5为本专利技术一实施例中的流程图； 图6至图11为本专利技术一实施例中形成半导体器件的剖面示意图。 【具体实施方式】 以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。 请参考图5，在本实施例中，提出一种，包括步骤: 8100:提供半导体衬底100，所述半导体衬底100表面形成有栅介质层400、栅极500以及虚拟侧墙600，所述虚拟侧墙600形成以所述栅介质层400和栅极500的两侧，在所述半导体衬底100中形成有源丨漏极200和扩展区300，所述源丨漏200极采用原位掺杂的方式形成在所述侧墙600的两侧，所述扩展区300位于所述栅介质层400和侧墙600的下端，如图6所示； 其中，所述半导体衬底100可以为单晶硅、多晶硅或者绝缘体上硅；所述栅介质层400的材质为二氧化硅；所述虚拟侧墙600的材质为氮化硅；所述栅极可以为多晶硅或者金属栅；所述源/漏极200为锗硅，并且采用原位掺杂的方式掺入硼；其中，所述源/漏极200和栅极500表面形成有自对准区700，方便后续形成连接线，并能够与连接线有良好的接触，如图6所示。 8200:去除所述虚拟侧墙600，暴露出所述扩展区300，如图7所示； 其中，由于所述扩展区300位于所述虚拟侧墙600之下，因此，为了方便后续离子注入能够注入至所述扩展区300内，需要将所述虚拟侧墙600去除之后，暴露出所述扩展区300。 8300:使用与垂直线呈预定角度^的离子束对暴露的扩展区300进行离子注入处理，如图8所示； 其中，所述离子束为氟离子束，所述氟离子束的剂量范围是1.0214?1.5215，例如是1.2215；所述氟离子束的能量范围是51(?251例如是201所述预定角度^的范围是20。?35。，例如是30。。 在对暴露的扩展区300进行离子处理之后，使用快速退火工艺对所述源/漏极200、扩展区300以及栅介质层400进行处理，便于？离子扩散至栅介质层400内，能够更好的提栅介质层400的可靠性，从而可以减少此1以及他II效应，如图9所示；所述退火工艺的温度范围是7001?10001，例如是8001 ；所述退火工艺的时间范围是308?6008，例如是1008。 8400:在所述栅极500以及栅介质层400的两侧形成侧墙800，如图10和图11所示； 其中，在所述源/漏极200的自对准区700表面、扩展区300以及栅极500的自对准区700的表面形成碳化硅层，接着对所述碳化硅层进行研磨或者刻蚀处理，从而保留在所述扩展区300表面以及栅介质层400、栅极500两侧的侧墙800，暴露出所述自对准区700，便于与后续形成的连接线电连接；由于所述侧墙800的材质为碳化硅，其能够为半导体器件提供一定的应力，有助于提升半导体器件的性能。 综上，在本专利技术实施例提供的中，在形成源/漏极、扩展区、栅介质层、栅极以及虚拟侧墙之后，去除所述虚拟侧墙，接着对所述扩展区进行离子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅介质层、栅极以及虚拟侧墙，所述虚拟侧墙形成于所述栅介质层和栅极的两侧，在所述半导体衬底中形成有源/漏极和扩展区，所述源/漏极采用原位掺杂的方式形成在所述侧墙的两侧，所述扩展区位于所述栅介质层和侧墙的下端；去除所述虚拟侧墙，暴露出部分所述扩展区；使用与垂直线呈预定角度的离子束对暴露的扩展区进行离子注入处理；在所述栅极以及栅介质层的两侧形成侧墙。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，包括步骤: 提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅介质层、栅极以及虚拟侧墙，所述虚拟侧墙形成于所述栅介质层和栅极的两侧，在所述半导体衬底中形成有源/漏极和扩展区，所述源/漏极采用原位掺杂的方式形成在所述侧墙的两侧，所述扩展区位于所述栅介质层和侧墙的下端； 去除所述虚拟侧墙，暴露出部分所述扩展区； 使用与垂直线呈预定角度的离子束对暴露的扩展区进行离子注入处理； 在所述栅极以及栅介质层的两侧形成侧墙。2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在对暴露的扩展区进行离子处理之后，形成侧墙之前，使用快速退火工艺对所述源/漏极、扩展区以及栅介质层进行处理。3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的温度范围是 700。。?1000。。。4.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的时间范围是308?6008。5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31