液晶显示器的阵列基板制造技术
【技术实现步骤摘要】
液晶显示器的阵列基板
本专利技术涉及一种液晶显示器，尤其涉及一种液晶显示器的阵列基板。
技术介绍
目前，显示器市场上的边缘电场（pringe Field Switching, FF巧型液晶显示器 广受欢迎。该边缘场电场型液晶显示器是在阵列基板上形成像素电极与公共电极，对该像 素电极与该公共电极之间施加电压，使之产生边缘电场W在与该阵列基板基本平行的面内 驱动液晶分子。该种液晶显示器具有广视角、低色偏及高开口率的特性。 近年来，市场对显示器的分辨率的要求越来越高。为了提高分辨率，需提高液晶显 示器阵列基板的像素密度。然而，像素密度越大，存储电容值则越小，存储电容的不足将引 起液晶显示器的质量下降，例如在显示画面中产生闪烁（flicker)或串扰（cross-talk)等 不良现象。 现有技术中阵列基板的存储电容由公共电极、像素电极及夹设于两者之间的绝缘 层构成，其电容按如下公式计算： CsT= e A/d 上述公式中，CsT表示存储电容值，e表示绝缘层的介电常数，A表示像素电极与公共电 极的有效面积，d表示绝缘层的厚度。因此，该存储电容的电容值CsT与有效面积A成正比， 与厚度d成反比。为了实现高分辨率，先前技术的做法是减薄绝缘层的厚度，然而，由于制 程控能力有限，并不能过度减薄绝缘层的厚度。
技术实现思路
鉴于W上内容，有必要提供一种液晶显示器阵列基板，其可W在提高阵列基板分 辨率的情况下，增大存储电容值。 本专利技术提供一种液晶显示器的阵列基板，包括一存储电容，该存储电容包括一第 一公共电极、一设置在该第...
【技术保护点】
一种液晶显示器的阵列基板，包括一存储电容，该存储电容包括一第一公共电极、一设置在该第一公共电极上的第一保护层与一设置在第一保护层上的像素电极，其改良在于：该存储电容还包括一设置在像素电极上的第二保护层与一设置在第二保护层上的第二公共电极，该第二公共电极具有多数个狭缝，且与该第一公共电极电连接。
【技术特征摘要】
2013.08.30 TW 1021311901. 一种液晶显不器的阵列基板，包括一存储电容，该存储电容包括一第一公共电极、 一设置在该第一公共电极上的第一保护层与一设置在第一保护层上的像素电极，其改良在 于：该存储电容还包括一设置在像素电极上的第二保护层与一设置在第二保护层上的第二 公共电极，该第二公共电极具有多数个狭缝，且与该第一公共电极电连接。2. 如权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板，其特征在于：该阵列基板还包括一基 板、一薄膜晶体管设置于该基板上、一钝化层覆盖该薄膜晶体管与该基板，以及一平坦层覆 盖该钝化层。3. 如权利要求2所述的液晶显示器的阵列基板，其特征在于：该存储电容位于该平坦 层上。4. 如权利要求2所述的液晶显示器的阵列基板，其特征在于：该平坦层与该钝化层具 有第一开孔以露出部分薄膜晶体管，该第一公共电极具有第二开孔，该第二开孔位于第一 开孔上方且大于第一开孔，该第一保护层具有第三开孔，该第三开孔位于该第一开孔与该 第二开孔中并露出部分该薄膜晶体管。5. 如权利要求4所述的液晶显示器的阵列基板，其特征在于：该像素电极通过该第三 开孔与该薄膜晶体管电连接。6. 如权利要求4所述的液晶显示器的阵列基板，其特征在于：该第...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡五柳，高逸群，林欣桦，施博理，李志隆，
申请(专利权)人：业鑫科技顾问股份有限公司，新光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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