一种LED照明驱动用比较器制造技术

技术编号:11147693 阅读:88 留言:0更新日期:2015-03-15 02:24
本实用新型专利技术在于提供一种LED照明驱动用比较器,包括1个电流漏,5个P型MOS管和3个N型MOS管,本实用新型专利技术结构合理,通过1个电流漏,5个P型MOS管和3个N型MOS管的连接组合实现了电压比较,另外由于结构简单,电子元件的安装变得简便,而且功耗明显减少。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及微电子
,尤其涉及一种LED照明驱动用比较器
技术介绍
LED驱动电路有两个方面的指标,一是尽可能保持恒流特性,尤其在电源电压发生±15%的变动时,仍应能保持输出电流在±10%的范围内变动;二是驱动电路应保持较低的自身功耗,这样才能使LED 的系统效率保持在较高水平。具体到比较器,尤其是电压比较器,其本身是用于保持电路恒流的结构,所以除了改进其比较功能外还应该进一步解决电路本身功耗的问题。现有技术中的比较器大多采用电阻和电感的组合来达到比较电压的效果,这样的技术方案存在两个不足,一是电子元件多种多样不利于电路的快速安装,二是电阻、电感功耗相比MOS管要更大。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本技术在于提供一种电子元件种类少且电路功耗小的比较器。为实现上述目的,本技术通过下述技术方案予以实现 :一种LED照明驱动用比较器,包括1个电流漏,5个P型MOS管和3个N型MOS管,其特征为:第零P型MOS管MP0的漏极、第零P型MOS管MP0的栅极、电流源I的输入端、第四P型MOS管MP4的栅极与第一P型MOS管MP1的栅极连接;第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的源极与第三P型MOS管MP3的源极连接;输入端口VP与第三P型MOS管MP3的栅极连接;反向输入端口VN与第二P型MOS管MP2的栅极连接;第二P型MOS管MP2的漏极、第零N型MOS管MN0的栅极、第零N型MOS管MN0的漏极与第一N型MOS管MN1的栅极连接;第三P型MOS管MP3的漏极、第一N型MOS管MN1的漏极与第二N型MOS管MN2的栅极连接;第四P型MOS管MP4的漏极、第二N型MOS管MN2的漏极与输出端Vout连接;第零P型MOS管MP0的源极、第一P型MOS管MP1的源极、第四P型MOS管MP4的源极与电源VDD连接;第零N型MOS管MN0的源极、第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极、电流源I的流出端与地线GND连接。本技术的有益效果为:本技术结构合理,通过1个电流漏,5个P型MOS管和3个N型MOS管的连接组合实现了电压比较,另外由于结构简单,电子元件的安装变得简便,而且功耗明显减少。附图说明图1为本技术的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步详细地描述。如图1所示,一种LED照明驱动用比较器,包括1个电流漏,5个P型MOS管和3个N型MOS管,其特征为:第零P型MOS管MP0的漏极、第零P型MOS管MP0的栅极、电流源I的输入端、第四P型MOS管MP4的栅极与第一P型MOS管MP1的栅极连接;第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的源极与第三P型MOS管MP3的源极连接;输入端口VP与第三P型MOS管MP3的栅极连接;反向输入端口VN与第二P型MOS管MP2的栅极连接;第二P型MOS管MP2的漏极、第零N型MOS管MN0的栅极、第零N型MOS管MN0的漏极与第一N型MOS管MN1的栅极连接;第三P型MOS管MP3的漏极、第一N型MOS管MN1的漏极与第二N型MOS管MN2的栅极连接;第四P型MOS管MP4的漏极、第二N型MOS管MN2的漏极与运放的输出端Vout连接;第零P型MOS管MP0的源极、第一P型MOS管MP1的源极、第四P型MOS管MP4的源极与电源VDD连接;第零N型MOS管MN0的源极、第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极、电流源I的流出端与地GND连接。上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理和最佳实施例,在不脱离本技术精神和范围的前提下,本技术还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED照明驱动用比较器,包括1个电流漏,5个P型MOS管和3个N型MOS管,其特征为: 第零P型MOS管(MP0)的漏极、第零P型MOS管(MP0)的栅极、电流源(I)的输入端、第四P型MOS管(MP4)的栅极与第一P型MOS管(MP1)的栅极连接;第一P型MOS管(MP1)的漏极、第二P型MOS管(MP2)的源极与第三P型MOS管(MP3)的源极连接;输入端口(VP)与第三P型MOS管(MP3)的栅极连接;反向输入端口(VN)与第二P型MOS管(MP2)的栅极连接;第二P型MOS管(MP2)的漏极、第零N型MOS管(MN0)的栅极、第零N型MOS管(MN0)的漏极与第一N型MOS管(MN1)的栅极连接;第三P型MOS管(MP3)的漏极、第一N型MOS管(MN1)的漏极与第二N型MOS管(MN2)的栅极连接;第四P型MOS管(MP4)的漏极、第二N型MOS管(MN2)的漏极与输出端(Vout)连接;第零P型MOS管(MP0)的源极、第一P型MOS管(MP1)的源极、第四P型MOS管(MP4)的源极与电源(VDD)连接;第零N型MOS管(MN0)的源极、第一N型MOS管(MN1)的源极、第二N型MOS管(MN2)的源极、电流源(I)的流出端与地线(GND)连接。...

【技术特征摘要】
1. 一种LED照明驱动用比较器,包括1个电流漏,5个P型MOS管和3个N型MOS管,其特征为: 
第零P型MOS管(MP0)的漏极、第零P型MOS管(MP0)的栅极、电流源(I)的输入端、第四P型MOS管(MP4)的栅极与第一P型MOS管(MP1)的栅极连接;第一P型MOS管(MP1)的漏极、第二P型MOS管(MP2)的源极与第三P型MOS管(MP3)的源极连接;输入端口(VP)与第三P型MOS管(MP3)的栅极连接;反向输入端口(VN)与第二P型MOS管(MP2)的栅极连接;第二P型MOS管(MP2)的漏极、第零N型MOS管(MN0)的栅极、...

【专利技术属性】
技术研发人员:林美玉王晓飞
申请(专利权)人:广州市力驰微电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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