透明导电结构与包含该透明导电结构的电容式触摸屏制造技术

本申请提供了一种透明导电结构与包含该透明导电结构的电容式触摸屏。该透明导电结构包括透明导电膜，该透明导电膜包括：第一高折导电层、第一钝化层、金属层、第二钝化层、第二高折导电层，第一钝化层设置在第一高折导电层的表面上，金属层设置在第一钝化层的远离第一高折导电层的表面上，第二钝化层设置在金属层的远离第一钝化层的表面上，第二高折导电层设置在第二钝化层的远离金属层的表面上。具有上述结构的透明导电膜的第一高折导电层、第一钝化层、金属层、第二钝化层与第二高折导电层之间实现了间隙掺杂，使透明导电结构的方阻值减小，导电性能提高；另外，通过调节透明导电膜的厚度，使其对光的反射率降到最低，进而使其透光率达到最大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及触摸屏领域，具体而言，涉及一种透明导电结构与包含该透明导电结构的电容式触摸屏。
技术介绍
近年来，随着半导体制造技术的突飞猛进，诸如光电池、平面显示器、LED照明、触摸屏等新器件迅速发展起来并大量运用到我们的日常生活中。这些新器件都要用到透明导电膜作为受光面或者是发光面电极。如果能提高这些器件中的透明导电膜的透光率，则光电池能增加对光的吸收从而转换出更多的电量、发光器件在不增加能耗的情况下可以增加亮度、触摸屏能提高亮度与清晰度；同样，如果能减小透明导电膜的电阻率，则可以减少光电池与发光器件的传输损耗，提高能源利用率、提高器件的灵敏度。目前ITO(掺锡氧化铟Indium Tin Oxide)膜仍是透明导电膜中最常用的材料，因此，提高ITO膜的导电性，同时提高其透光率是光电材料工程师追求的目标之一。例如，申请号为201220623869.8的中国专利申请中提出了一种复合折射率ITO膜，通过不同厚度设置以及折射率的差异，适应不同工作状态下对光学电学性能的要求。通过控制薄膜生长时氩气和氧气比值，使上层ITO膜与下层ITO膜具有不同的折射率，得到了较低的方块电阻和较大透光率的ITO膜。申请号为201220623869.8的中国专利申请中提出了一种基材/SiO2/ITO三层结构，方块电阻值为100Ω左右，提高了薄膜的透光率和降低了电阻率。目前，同时提高ITO膜的透光率与方阻值存在矛盾：为了增大ITO膜的透光率，应当减小ITO膜的厚度，但为了减小ITO膜的方阻值，应当增加ITO膜的厚度。现有技术中折中考虑这两方面，ITO膜的透光率在90％以下，其方阻在100Ω～200Ω范围内，当其应用在平面显示器、LED照明、触摸屏等光电器件时，会使器件出现灵敏度下降、驱动难度大等问题。例如当其应用于大尺寸电容式触摸屏应用领域时，因为ITO膜是靠刻蚀线路传输电信号的，尺寸增大时，线电阻会成比例增加，这样会造成ITO膜出现末端信号衰变，边缘感应的灵敏度下降及扫描电压增加而无法工作。另外，无论是ITO膜还是Metal mesh导电膜对氧气或水汽的阻隔效率很低，容易发生氧化或老化的现象，经检测通常用的ITO膜或Metal mesh导电膜，水汽阻隔率<10-2g/m2.day，降低了使用该ITO膜的器件的寿命，例如达不到触摸屏使用50000小时的寿命要求，现有的做法是将导电膜贴合在玻璃上以提高水汽阻隔率，然而这样制得的触摸屏较厚、不易弯折；同时由于OLED对空气中的水汽或氧气较敏感，要求水汽阻隔率>10-6g/m2.day，而现有技术中ITO膜或Metal mesh的水汽阻隔率远大于10-6g/m2.day，所以现有技术中ITO膜或Metal mesh不能应用于OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)或AMOLED(Active Matrix/Organic Light-Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体面板)等触摸显示屏或柔性触摸屏。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种透明导电结构与包含该透明导电结构的电容式触摸屏，以解决现有技术中透明导电结构方阻值大、透光率低的问题。为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种透明导电结构，该透明导电结构包括：第一高折导电层、第一钝化层、金属层、第二钝化层、第二高折导电层，第一钝化层设置在上述第一高折导电层的表面上，金属层设置在上述第一钝化层的远离上述第一高折导电层的表面上，第二钝化层设置在上述金属层的远离上述第一钝化层的表面上，第二高折导电层设置在上述第二钝化层的远离上述金属层的表面上。进一步地，形成上述第一钝化层和上述第二钝化层的材料为抗氧化金属材料。进一步地，上述第一钝化层和上述第二钝化层的材料相同或不同，上述抗氧化金属材料为锌或钛。进一步地，上述第一钝化层与上述第二钝化层的厚度相同，上述厚度在1nm～10nm之间，优选在1nm～5nm之间。进一步地，上述金属层的厚度为6nm～12nm。进一步地，上述第一高折导电层与上述第二高折导电层的光学厚度相等，上述第一高折导电层和上述第二高折导电层的光学厚度总和为0.8～2.0个光学单位。进一步地，上述第一高折导电层与上述第二高折导电层的折射率均大于2。进一步地，上述透明导电结构还包括透明基材层，上述透明基材层设置在上述第一高折导电层的远离上述第一钝化层的表面上。进一步地，上述透明基材层为柔性透明基材层，优选为PET材料层。进一步地，上述透明导电结构还包括水汽阻隔层，上述水汽阻隔层设置在透明基材层的远离上述第一高折导电层的表面上。进一步地，上述水汽阻隔层包括：第一薄膜，设置在上述透明基材层的远离上述第一高折导电层的表面上；第二薄膜，设置在上述第一薄膜的远离上述透明基材层的表面上；保护膜，设置在上述第二薄膜的远离上述第一薄膜的表面上。进一步地，上述第一薄膜的厚度在10nm～100nm之间。进一步地，上述第一薄膜为无机氧化物，优选为ITO材料。进一步地，上述第二薄膜为无机氧化物，优选为Al2O3或SiO2。进一步地，上述保护膜为PET膜。根据本专利技术的另一方面，提供了一种电容式触摸屏，包括透明导电结构，上述透明导电结构为上述的透明导电结构。进一步地，上述透明导电结构为两个，分别为第一透明导电结构和第二透明导电结构，上述电容式触摸屏还包括透明胶层，上述第一透明导电结构和上述第二透明导电结构设置在上述透明胶层的相对两个表面上，且各上述透明导电结构的上述透明导电膜设置在上述透明胶层上，当所述透明导电结构还包括水汽阻隔层时，上述第一透明导电结构的上述水汽阻隔层被基板代替。应用本专利技术的技术方案，上述结构的透明导电结构中的透明导电膜的第一高折导电层、第一钝化层、金属层、第二钝化层与第二高折导电层实现间隙掺杂，即金属层间隙掺杂到第一高折导电层与第二高折导电层之间，使透明导电结构的电阻率减小、方阻值减小，进而使得透明导电结构的导电性能提高；另外，由于在相同厚度时，本申请中多层膜结构的透明导电膜的电阻率较小，导电率较大，透光率也得到提高；而且本领域技术人员可以通过调节透明导电膜厚度，使透明导电膜对光的反射率降低，进而使得透明导电膜的透光率增大。附图说明构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1示出了本申请一种优选的透明导电膜的结构剖面图；图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电结构，包括透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜包括：第一高折导电层；第一钝化层，设置在所述第一高折导电层的表面上；金属层，设置在所述第一钝化层的远离所述第一高折导电层的表面上；第二钝化层，设置在所述金属层的远离所述第一钝化层的表面上；第二高折导电层，设置在所述第二钝化层的远离所述金属层的表面上。

【技术特征摘要】
1.一种透明导电结构，包括透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜包括：
第一高折导电层；
第一钝化层，设置在所述第一高折导电层的表面上；
金属层，设置在所述第一钝化层的远离所述第一高折导电层的表面上；
第二钝化层，设置在所述金属层的远离所述第一钝化层的表面上；
第二高折导电层，设置在所述第二钝化层的远离所述金属层的表面上。
2.根据权利要求1所述的透明导电结构，其特征在于，形成所述第一钝化层和所述第二钝
化层的材料为抗氧化金属材料。
3.根据权利要求2所述的透明导电结构，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层
的材料相同或不同，所述抗氧化金属材料为锌或钛。
4.根据权利要求2所述的透明导电结构，其特征在于，所述第一钝化层与所述第二钝化层
的厚度相同，所述厚度在1nm～10nm之间，优选在1nm～5nm之间。
5.根据权利要求1所述的透明导电结构，其特征在于，所述金属层为金层或银层。
6.根据权利要求5所述的透明导电结构，其特征在于，所述金属层的厚度为6nm～12nm。
7.根据权利要求1所述的透明导电结构，其特征在于，所述第一高折导电层与所述第二高
折导电层的光学厚度相等，所述第一高折导电层和所述第二高折导电层的光学厚度总和
为0.8～2.0个光学单位。
8.根据权利要求1所述的透明导电结构，其特征在于，所述第一高折导电层与所述第二高
折导电层的折射率均大于2。
9.根据权利要求1所述的透明导电结构，其特征在于，所述透明导电结构还包括透明基材
层，所述透明基材层设置在所述第一高折导电层的远离所述第一钝化层的表面上。
10.根据权利要求9所述的透明导电结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：解金库，于甄，陈西宝，丁晓峰，高建聪，
申请(专利权)人：张家港康得新光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32