像素结构的制造方法及液晶显示面板的制造方法技术

一种像素结构及液晶显示面板的制造方法，像素结构的制造方法包括在基板上形成通道、栅绝缘层、第一图案化导电层、第一绝缘层与第二图案化导电层，第一图案化导电层包括栅极，第二图案化导电层包括源极与漏极，源极、栅极与漏极电性连接通道，在基板上方形成第二绝缘层以覆盖漏极，在第二绝缘层上形成图案化平坦层，图案化平坦层具有第一接触窗，第一接触窗暴露第二绝缘层，移除部分位于第一接触窗内的第二绝缘层以形成第二接触窗，第二接触窗暴露漏极，在图案化平坦层上形成像素电极，其通过第二接触窗而电性连接漏极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种显示装置的制造方法，且特别是关于一种。
技术介绍
随着显示科技的发展，液晶显示装置已经越来越普及于人们的生活中。在液晶显示技术广泛被应用的同时，人们对于液晶显示技术的品质(例如是广视角、高解析度、低能耗等)的要求也越来越高。近期所发展的液晶显示技术中，具有广视角、高透光率、反应快速等优点的边界电场切换(Fringe Field Switching, FFS)技术也成为发展的主要技术之 O 然而，在解析度提升的同时，也代表着像素结构的缩小。因此各元件所所能配置的区域也随之缩小。如此一来，很容易因为工艺误差而导致非预期中的导电材料被暴露而氧化，最终使得电阻值增加而降低显示装置的显示品质。
技术实现思路
为达到上述目的，本专利技术提供一种像素结构的制造方法，包括:在一基板上形成一通道、一栅绝缘层、一第一图案化导电层、一第一绝缘层与一第二图案化导电层，其中该第一图案化导电层包括一栅极，该第二图案化导电层包括一源极与一漏极，该源极与该漏极电性连接该通道并与该栅极构成一薄膜晶体管；在该基板上方形成一第二绝缘层以覆盖该漏极；在该第二绝缘层上形成一图案化平坦层，其中该图案化平坦层具有一第一接触窗，该第一接触窗暴露该第二绝缘层；移除部分位于该第一接触窗内的该第二绝缘层以形成一第二接触窗，其中该第二接触窗暴露该漏极；以及在该图案化平坦层上形成一像素电极，其中该像素电极通过该第二接触窗而电性连接该漏极。 上述的像素结构的制造方法，其中该像素电极具有多个彼此电性连接之电极条，在形成该图案化平坦层之后与移除部分位于该第一接触窗内的该第二绝缘层之前，更包括:在该图案化平坦层上形成一共用电极；以及在该图案化平坦层上方形成一第三绝缘层，其中该第三绝缘层覆盖该共用电极且具有一第三接触窗，且该第三接触窗暴露该第二接触窗。 上述的像素结构的制造方法，其中该第二接触窗与该第三接触窗为同时形成。 上述的像素结构的制造方法，其中邻近该漏极之一侧表面的该第三绝缘层具有一凸部与该漏极之该侧表面重叠，该第一接触窗暴露出该漏极之该侧表面。 上述的像素结构的制造方法，其中该通道之一侧表面之外侧边至多系切齐于该漏极之该侧表面之外侧边，且该通道之该侧表面不延伸出该第一接触窗之一边缘。 上述的像素结构的制造方法，其中该通道的材料为多晶硅，该第二图案化导电层为钛-铝-钛的复合金属层，该第二绝缘层的材料为氮化硅。 上述的像素结构的制造方法，其中该第二绝缘层的厚度为30纳米至50纳米。 上述的像素结构的制造方法，其中该第一图案化导电层更包括一扫描线，该扫描线连接该栅极，该第二图案化导电层更包括一数据线，该数据线连接该源极。 为达到上述目的，本专利技术还提供一种液晶显示面板的制造方法，包括:以上述的像素结构的制造方法形成多个像素结构；提供一对向基板；以及提供一液晶层于该些像素结构以及该对向基板之间。 上述的液晶显示面板的制造方法，其中各该像素电极具有多个彼此电性连接之电极条，在形成该图案化平坦层之后与移除部分位于该第一接触窗内的该第二绝缘层之前，更包括:在该图案化平坦层上形成一共用电极；以及在该图案化平坦层上方形成一第三绝缘层，其中该第三绝缘层覆盖该共用电极且具有一第三接触窗，且该第三接触窗暴露该第二接触窗，该第二接触窗与该第三接触窗为同时形成，邻近该漏极之一侧表面的该第三绝缘层具有一凸部与该漏极之该侧表面重叠，该第一接触窗暴露出该漏极之该侧表面。 基于上述，在本专利技术的的像素结构与液晶显示面板的制造方法中，因为先形成第二绝缘层再形成像素电极，因此可以确保第二图案化导电层不会被非预期地暴露。如此，第二图案化导电层与像素电极之间有良好的电性连接，进而得到低能耗、显示品质良好的液晶显示面板。 为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。 【附图说明】 图1A至图1E是本专利技术的第一实施例的像素结构的制造流程的俯视示意图； 图2A至图2E是各自对应到图1A至图1E中剖面线11_11’的像素结构的剖面示意图； 图3是本专利技术的另一实施例中像素结构的剖面图； 图4是根据图1E中剖面线12-12’的剖面图； 图5是本专利技术的第一实施例的多个像素结构的示意图； 图6是本专利技术的其他实施例的多个像素结构的示意图； 图7A是本专利技术的第二实施例的像素结构的示意图； 图7B根据图7A中剖面线13_13’的剖面图； 图8是本专利技术的一实施例的液晶显示面板的制造方法所制造的液晶显示面板的剖面图。 其中，附图标记: 11-11’、12-12’、13-13’:剖面线 100、400:像素结构 102:缓冲层110:基板 120:通道120S、166S:侧表面 130:栅绝缘层140:第一图案化导电层 142:栅极150:第一绝缘层 152、154:通孔160:源极 161:第一金属层162:第二金属层 163:第三金属层164:第二图案化导电层 166:漏极166T:上表面 170:第二绝缘层172:第二接触窗 180、480:图案化平坦层182、482:第一接触窗 182S:边缘200:薄膜晶体管 210、410:像素电极212:电极条 220:共用电极222:开口 230:第三绝缘层232:第三接触窗 234A、234B:凸部324:导线 340:扫描线360:数据线 500:液晶显不面板510:对向基板 520:液晶层 【具体实施方式】 图1A至图1E是本专利技术的第一实施例的像素结构的制造流程的俯视示意图。图2A至图2E是各自对应到图1A至图1E中剖面线11-11’的像素结构的剖面示意图。需要特别说明的是，图2A至图2E中为了清楚表示像素结构的各个构件，部份的材料层仅绘示其开孔位置来表示。请参照图1A及图2A，在本实施例的像素结构的制造方法中，是先在基板110上形成通道120、栅绝缘层130、第一图案化导电层140、第一绝缘层150与第二图案化导电层164。第二图案化导电层164举例系由第一金属层161、第二金属层162以及第三金属层163依序堆叠而形成,第一金属层161及第三金属层163之材料举例系为钛,第二金属层162之材料举例系为招,第二金属层162位于第一金属层161以及第三金属层163之间并与其接触。 第一图案化导电层140包括栅极142,第二图案化导电层164包括源极160与漏极166，源极160与漏极166电性连接通道120并与栅极构成薄膜晶体管200。在本实施例中，漏极166经由第一绝缘层150上形成的通孔152和通道120电性连接，源极160经由第一绝缘层150上形成的通孔154与通道120电性连接，其中栅绝缘层130亦在上述通孔的对应位置形成通孔来使通道120各自与源极160和漏极166电性连接。本实施例中通道120的材料例如是多晶硅，但也可以是其他半导体材料。在本实施例中，形成通道120之前，基板110上更可以选择性地形成缓冲层102，薄膜晶体管200位于缓冲层102上。缓冲层102可以避免基板110中的离子扩散至通道120而改变其电气特性，以确保薄膜晶体管200的可靠度。另需说明的是，本实施例是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：在一基板上形成一通道、一栅绝缘层、一第一图案化导电层、一第一绝缘层与一第二图案化导电层，其中该第一图案化导电层包括一栅极，该第二图案化导电层包括一源极与一漏极，该源极与该漏极电性连接该通道并与该栅极构成一薄膜晶体管；在该基板上方形成一第二绝缘层以覆盖该漏极；在该第二绝缘层上形成一图案化平坦层，其中该图案化平坦层具有一第一接触窗，该第一接触窗暴露该第二绝缘层；移除部分位于该第一接触窗内的该第二绝缘层以形成一第二接触窗，其中该第二接触窗暴露该漏极；以及在该图案化平坦层上形成一像素电极，其中该像素电极通过该第二接触窗而电性连接该漏极。

【技术特征摘要】
2014.09.29 TW 1031337341.一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括: 在一基板上形成一通道、一栅绝缘层、一第一图案化导电层、一第一绝缘层与一第二图案化导电层，其中该第一图案化导电层包括一栅极，该第二图案化导电层包括一源极与一漏极，该源极与该漏极电性连接该通道并与该栅极构成一薄膜晶体管； 在该基板上方形成一第二绝缘层以覆盖该漏极； 在该第二绝缘层上形成一图案化平坦层，其中该图案化平坦层具有一第一接触窗，该第一接触窗暴露该第二绝缘层； 移除部分位于该第一接触窗内的该第二绝缘层以形成一第二接触窗，其中该第二接触窗暴露该漏极；以及 在该图案化平坦层上形成一像素电极，其中该像素电极通过该第二接触窗而电性连接该漏极。2.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，其中该像素电极具有多个彼此电性连接之电极条，在形成该图案化平坦层之后与移除部分位于该第一接触窗内的该第二绝缘层之前，更包括: 在该图案化平坦层上形成一共用电极；以及 在该图案化平坦层上方形成一第三绝缘层，其中该第三绝缘层覆盖该共用电极且具有一第三接触窗，且该第三接触窗暴露该第二接触窗。3.如权利要求2所述的像素结构的制造方法，其特征在于，其中该第二接触窗与该第三接触窗为同时形成。4.如权利要求3所述的像素结构的制造方法，其特征在于，其中邻近该漏极之一侧表面的该第三绝缘层具有一凸部与该漏极之该侧表面重叠，该第一接触窗暴露出该...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕思慧，李明贤，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71