高纯无氧硒真空精馏制备装置制造方法及图纸

技术编号:11120967 阅读:128 留言:0更新日期:2015-03-11 10:07
本实用新型专利技术公开了一种高纯无氧硒真空精馏制备装置,包括相互独立的蒸馏坩埚(1)和冷凝结晶管(2),蒸馏坩埚(1)和冷凝结晶管(2)之间设置杂质阻挡层;杂质阻挡层包括阻挡层外环(3)和内置板(4),其中,所述内置板(4)上放置表面粗糙的石英阻挡环或石英阻挡层(5),硒蒸气通过杂质阻挡层,其中的杂质元素被有效阻挡或吸附过滤,从而大大降低了硒蒸气中的杂质含量,纯化后的硒蒸气在上部的冷凝结晶管(2)中结晶析出,该产品在常温下可以直接从冷凝结晶管中轻松取出,这样既保证了产品质量又严格控制了产品硒中非常低的氧含量,从而大大提高了高纯无氧硒制备的成品合格率,节约生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及高纯无氧硒制备设备领域,具体涉及一种高纯无氧硒真空精馏制备装置
技术介绍
现有的真空精馏制备高纯硒的设备主要包括三温区原料蒸发釜、倾斜式过渡管及产品收集釜。制备高纯硒时,产品釜中的高纯硒必须经过外部加热熔化后从产品收集釜下部的出料口流出,由于该过程是在空气中进行的,导致硒产品含氧量高,达不到制备高纯无氧硒产品的要求。
技术实现思路
针对上述不足,本技术提供一种高纯无氧硒真空精馏制备装置,其生产出的高纯硒无需经过高温熔化即可取出,可严格控制高纯硒产品的含氧量,提高了高纯无氧硒制备的成品合格率。本技术是通过这样的技术方案来实现的:高纯无氧硒真空精馏制备装置,包括相互独立的蒸馏坩埚和冷凝结晶管,蒸馏坩埚和冷凝结晶管之间设置杂质阻挡层,用于对原料硒中的杂质进行阻挡、吸附过滤。所述杂质阻挡层包括阻挡层外环、内置板及阻挡介质,其中,所述内置板上放置表面粗糙的石英阻挡环或石英阻挡层,该阻挡环粗糙表面通过化学腐蚀溶液浸泡处理后获得,其粗糙度可根据需要确定液浸泡处理的具体时间;石英阻挡层可采用石英碎片或石英碎块堆积压制而成。进一步的是,所述阻挡层外环置于蒸馏坩埚上端设置的台阶上。本技术的有益效果是:在相互独立的蒸馏坩埚和冷凝结晶管之间设置表面粗糙的杂质阻挡层,如表面粗糙的石英阻挡环或石英阻挡层,该石英阻挡环或石英阻挡层可有效降阻挡、吸附原料硒中的杂质元素,纯化了从下部蒸发起来的硒蒸气,从而在冷凝结晶管中获得高纯无氧硒产品,该产品在常温下可以直接从冷凝结晶管中轻松取出,且保证了产品质量和非常低的氧含量,从而大大提高了高纯无氧硒制备的成品合格率,节约生产成本。附图说明图1是本技术高纯无氧硒真空精馏制备装置的结构示意简图。图中标记为:蒸馏坩埚1,冷凝结晶管2,阻挡层外环3,内置板4,石英阻挡环或石英阻挡层5,原料硒6。具体实施方式为了更加清楚地理解本技术的目的、技术方案及有益效果,下面结合附图对本技术做进一步的说明,但并不将本技术的保护范围限定在以下实施例中。本专利技术专利技术还可以用来制备高纯无氧碲、高纯无氧镁、高纯无氧锑、高纯无氧砷、高纯无氧锌及高纯无氧镉等其它高纯材料产品。如图1所示,本技术的高纯无氧硒真空精馏制备装置包括相互独立的蒸馏坩埚1和冷凝结晶管2,并且在蒸馏坩埚1和冷凝结晶管2之间设置杂质阻挡层。所述杂质阻挡层包括阻挡层外环3、内置板4和内置板4上放置的表面粗糙的石英阻挡环或石英阻挡层5;阻挡层外环3置于蒸馏坩埚1上端设置的台阶上,原料硒6置于蒸馏坩埚1中。在进行真空精馏时,原料硒6的硒蒸气通过阻挡层外环3和内置板4,尤其是表面粗糙的石英阻挡环或石英阻挡层5对其中的杂质进行阻挡、吸附过滤,从而大大降低了硒蒸气中的杂质含量,纯化后的硒蒸气在上部的冷凝结晶管2中结晶析出,该产品在常温下可以直接从冷凝结晶管2中轻松取出,这样既保证了产品质量又严格控制了成品硒中非常低的氧含量,从而大大提高了高纯无氧硒制备的成品合格率,节约生产成本。本文档来自技高网...

【技术保护点】
高纯无氧硒真空精馏制备装置,包括相互独立的蒸馏坩埚(1)和冷凝结晶管(2),其特征在于:蒸馏坩埚(1)和冷凝结晶管(2)之间设置杂质阻挡层。

【技术特征摘要】
1. 高纯无氧硒真空精馏制备装置,包括相互独立的蒸馏坩埚(1)和冷凝结晶管(2),其特征在于:蒸馏坩埚(1)和冷凝结晶管(2)之间设置杂质阻挡层。
2.如权利要求1所述的高纯无氧硒真空精馏制备装置,其特征在于:所述杂质阻挡层包括...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈直郑林李公权
申请(专利权)人:四川鑫龙碲业科技开发有限责任公司
类型:新型
国别省市:四川;51

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