一种竖直式两面辊型半导体用薄膜同时剥离方法，包括：直立摆放步骤S10，直立装载装置10把处于与地面水平状态的基板直立地立起，使连接基板的顶点的线段之一与重力方向平行地摆放；编带单元附着步骤S20，编带单元移送手段20使加装了粘合带的两个编带单元T1,T2相互相向地同时接近所述基板的两面，附着于贴在基板两面的薄膜F的四角拐角部分；预备剥离步骤S30，编带单元移送手段20使所述编带单元T1,T2同时向相反方向移动，薄膜借助于编带单元而从基板的上侧四角拐角剥离；正式剥离步骤S40，夹持器升降手段40使夹住基板的上侧四角拐角部分的夹持器41上升，从而薄膜从基板剥离。
【技术实现步骤摘要】
半导体用薄膜剥离方法及剥离装置
本专利技术旨在提供利用一对编带单元的半导体用薄膜剥离装置及剥离方法。
技术介绍
印刷电路板(PCB)或半导体制造用基板在其制造工序时，去除沾染于基板表面的污染物质，针对确认了制品有无异常的制品，使保护薄膜附着于基板的上下部表面，使得实现基板面的保护。因此，为了使半导体、电容器、电阻等各种部件能够插入这种基板，需去除附着于基板面的保护薄膜。 作为以往技术，有韩国注册专利第10-1119571号，以往技术是在基板水平放倒的状态下进行薄膜剥离，存在装置的构成增大、剥离所需步骤及构成要素的移送量多的问题。
技术实现思路
(要解决的技术问题) 本专利技术旨在提供一种利用一对编带单元的半导体用薄膜剥离装置及剥离方法，能够减小基板的移送步骤及剥离装置的移送量，使装置小型化、紧凑化，操作性优秀且能够完全剥离。 本专利技术旨在提供一种利用一对编带单元的半导体用薄膜剥离装置及剥离方法，既能够准确地完全剥离基板的保护薄膜，又能够处理30?80cm大小的基板，增加单位时间的作业效率,耐久性优秀。 (解决问题的手段) 一种竖直式两面辊型半导体用薄膜同时剥离方法，包括:直立摆放步骤S10，直立装载装置10把处于与地面水平状态的基板直立地立起，使连接基板的顶点的线段之一与重力方向平行地摆放； 编带单元附着步骤S20，编带单元移送手段20使加装了粘合带的两个编带单元Tl，T2相互相向地同时接近所述基板的两面，附着于贴在基板两面的薄膜F的四角拐角部分； 预备剥离步骤S30，编带单元移送手段20使所述编带单元Tl，T2同时向相反方向移动，薄膜借助于编带单元而从基板的上侧四角拐角剥离； 正式剥离步骤S40，夹持器升降手段使夹住基板的上侧四角拐角部分的夹持器上升，从而薄膜从基板剥离。 (专利技术的效果) 根据本专利技术，提供一种利用一对编带单元的半导体用薄膜剥离装置及剥离方法，能够减小基板的移送步骤及剥离装置的移送量，使装置小型化、紧凑化。 另外，根据本专利技术，提供一种利用一对编带单元的半导体用薄膜剥离装置及剥离方法，既能够准确地完全剥离基板的保护薄膜，又能够处理30?80cm大小的基板，增加单位时间的作业效率，耐久性优秀。 【附图说明】 图1是本专利技术的利用一对编带单元的半导体用薄膜剥离方法流程图。 图2是本专利技术的利用一对编带单元的半导体用薄膜剥离方法概念说明图。 图3是本专利技术的利用一对编带单元的半导体用薄膜剥离装置概念图。 图4是本专利技术的直立装载装置概念图。 图5(a、b、c)是本专利技术的缺口形成单元概念图。 图6是本专利技术的粘合单元及粘合单元移送手段概念图。 〈符号说明〉 10:直立装载装置 20:编带单元移送手段 50:缺口形成单元 51:直线运动型拉毛器 53:旋转型滚花装置 55:非接触式激光 60:薄膜回收辊 T1，T2:编带单元 F:薄膜 【具体实施方式】 下面参照附图，对本专利技术一个实施例的利用一对编带单元的半导体用薄膜剥离方法及剥离装置进行详细说明。图1是本专利技术的利用一对编带单元的半导体用薄膜剥离方法流程图，图2是本专利技术的利用一对编带单元的半导体用薄膜剥离方法概念说明图，图3是本专利技术的利用一对编带单元的半导体用薄膜剥离装置概念图，图4是本专利技术的直立装载装置概念图，图5(a，b，c)是本专利技术的缺口形成单元概念图，图6是本专利技术的粘合单元及粘合单元移送手段概念图。 如图1至图6所示，在直立摆放步骤SlO中，直立装载装置10把处于与地面水平状态的基板直立地立起，使连接基板的顶点的线段之一与重力方向平行地摆放。在编带单元附着步骤S20中，编带单元移送手段20使加装了粘合带的两个编带单元Tl，T2相互相向地同时接近所述基板的两面，附着于贴在基板两面的薄膜F的四角拐角部分。 在借助于编带单元的预备剥离步骤S30中，编带单元移送手段20使所述编带单元T1，T2同时向相反方向移动，薄膜从基板的上侧四角拐角剥离。此时，为了编带单元Tl，Τ2的后退后进及下降，可以使用图6的实施例中所示的2自由度运动机构，还可以使用沿着特定曲线运动的凸轮机构。关于2自由度直线运动机构或曲线型凸轮机构相关公知技术，这里不再赘述。 在正式剥离步骤S40中，夹持器升降手段40使夹住基板的上侧四角拐角部分的夹持器上升，从而薄膜从基板剥离。如图1或图2所示，优选夹持器的夹住动作在预备剥离步骤30以后进行，但有存在于基板边缘的未附着薄膜的空白区域时，也可以在预备剥离步骤之前夹住。但是，优选夹持器的上升在预备剥离步骤30以后进行。 如图1至图6所示，在本专利技术一个实施例的竖直式两面辊型半导体用薄膜同时剥离方法中，在所述直立摆放步骤SlO之前或在所述直立摆放步骤SlO与编带单元附着步骤S20之间，还可以包括缺口形成步骤S50，缺口形成单元50在附着于所述基板S两侧的薄膜四角拐角部分形成用于辅助薄膜剥离的缺口部。 此时，如图5所示，缺口形成单元50可以包括在由具有进行直线运动而在薄膜上形成缺口的尖锐前端的直线运动型拉毛器51、在外周面上形成有凹凸并借助于接触旋转而在薄膜上形成缺口的旋转型滚花装置53、向缺口形成区域照射激光而形成缺口的非接触式激光55构成的组中选择的一种缺口形成装置。 如图1至图6所示，本专利技术的利用一对编带单元的半导体用薄膜剥离方法还可以包括:编带单元Tl，T2使剥离的薄膜F附着于薄膜回收辊60的步骤S60 ;薄膜回收辊旋转手段70使所述薄膜回收辊60旋转，缠绕回收剥离的薄膜F的步骤S70。 如图1至图6所示，本专利技术的利用一对编带单元的半导体用薄膜剥离装置包括:直立装载装置10，其使处于与地面水平状态的基板旋转，使得四角拐角之一位于上侧，与重力方向平行地直立立起；编带单元Tl，T2，其为一对，将直立装载装置10置于其间并平行地隔开摆放；编带单元移送手段20，其使所述编带单元Tl，T22相互相向地同时接近所述基板的两侧，附着于贴在基板两侧的薄膜F的四角拐角部分，另外，在预备剥离时，移送编带单元Tl，T22远离基板，使薄膜从基板的上侧四角拐角剥离。另外，包括:夹持器，其位于直立装载装置10的上部，夹住基板的最上部四角拐角部分；夹持器升降手段，其与夹持器结合，使所述夹持器上升，从而薄膜从基板剥离。 如图1至图6所示，本专利技术的利用一对编带单元的半导体用薄膜剥离装置优选还包括缺口形成单元50，其在所述编带单元Tl，T2借助于编带单元移送手段20而附着于贴在基板两侧的薄膜F的四角拐角部分之前，在附着于基板两面的薄膜的四角拐角部分形成用于辅助薄膜剥离的缺口部。 如图5所示，缺口形成单元50可以是在由具有进行直线运动而在薄膜上形成缺口的尖锐前端的直线运动型拉毛器51、在外周面上形成有凹凸并借助于接触旋转而在薄膜上形成缺口的旋转型滚花装置53、向缺口形成区域照射激光而形成缺口的非接触式激光55构成的组中选择的一种。 如图4所示，就本专利技术的竖直式两面辊型半导体用薄膜同时剥离装置而言，直立装载装置10包括:一侧支撑辊框架11，其配置得使支撑辊r平行地构成一个平面；另一侧支撑辊框架12，其配置得使支撑辊r平行地构成一个平面，与所述一侧支撑辊框架11隔开并平行地配本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体用薄膜剥离方法，其特征在于，包括：直立摆放步骤(S10)，直立装载装置(10)把处于与地面水平状态的基板直立地立起，使连接基板的顶点的线段之一与重力方向平行地摆放；编带单元附着步骤(S20)，编带单元移送手段(20)使加装了粘合带的两个编带单元(T1,T2)相互相向地同时接近所述基板的两面，附着于贴在基板两面的薄膜(F)的四角拐角部分；预备剥离步骤(S30)，编带单元移送手段(20)使所述编带单元(T1,T2)同时向相反方向移动，薄膜借助于编带单元而从基板的上侧四角拐角剥离；正式剥离步骤(S40)，夹持器升降手段(40)使夹住基板的上侧四角拐角部分的夹持器上升，从而薄膜从基板剥离。
【技术特征摘要】
1.一种半导体用薄膜剥离方法，其特征在于，包括: 直立摆放步骤(SlO)，直立装载装置(10)把处于与地面水平状态的基板直立地立起，使连接基板的顶点的线段之一与重力方向平行地摆放； 编带单元附着步骤(S20)，编带单元移送手段(20)使加装了粘合带的两个编带单元(T1，T2)相互相向地同时接近所述基板的两面，附着于贴在基板两面的薄膜(F)的四角拐角部分； 预备剥离步骤(S30)，编带单元移送手段(20)使所述编带单元(Τ1，Τ2)同时向相反方向移动，薄膜借助于编带单元而从基板的上侧四角拐角剥离； 正式剥离步骤(S40)，夹持器升降手段(40)使夹住基板的上侧四角拐角部分的夹持器上升，从而薄膜从基板剥离。2.根据权利要求1所述的半导体用薄膜剥离方法，其特征在于， 在所述直立摆放步骤(SlO)之前， 或在所述直立摆放步骤(SlO)与编带单元附着步骤(S20)之间，包括缺口形成步骤(S50)， 缺口形成单元(50)在附着于所述基板(S)两侧的薄膜四角拐角部分形成用于辅助薄膜剥离的缺口部。3.根据权利要求2所述的半导体用薄膜剥离方法，其特征在于， 所述缺口形成单元(50)包括在由 具有进行直线运动而在薄膜上形成缺口的尖锐前端的直线运动型拉毛器(51)、 在外周面上形成有凹凸并借助于接触旋转而在薄膜上形成缺口的旋转型滚花装置(53)、 向缺口形成区域照射激光而形成缺口的非接触式激光(55)构成的组中选择一种构成缺口形成装置。4.根据权利要求1所述的半导体用薄膜剥离方法，其特征在于，还包括: 所述编带单元(Τ1，Τ2)使剥离的薄膜(F)附着于薄膜回收辊(60)的步骤(S60)； 薄膜回收辊旋转手段(70)使所述薄膜回收辊￠0)旋转，缠绕回收所述剥离的薄膜(F)的步骤(S70)。5.一种半导体用薄膜同时剥离装置，其特征在于，包括: 直立装载装置(...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵爱圣，
申请(专利权)人：尼米仪器株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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