发光二极管封装方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管封装方法，包括如下步骤：（1）至少提供一个基板，并在基板上开设用于容纳LED芯片的凹腔；（2）在凹腔的腔底和腔壁镀上反射膜层，反射膜层为镍银合金，厚度为45～50nm；（3）固晶工序，通过真空溅射方式在凹腔的腔底部的反射膜层上成型厚度为0.01～0.18mm的导热层，放置LED芯片于导热层上，并进行焊接，其中焊接的温度为260～280℃；（4）在LED芯片的上方设置扩散增光层；（5）在扩散增光层上设置封装胶层，封装胶层的上表面为呈圆弧状。本发明专利技术发光二极管封装方法中，由于设置有导热层，因此能够具有较好的导热性能，且设置有扩散增光层，能让更多的光线照射出表面封装胶层外，提高透光率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉LED封装
，尤其涉及一种。
技术介绍
随着LED (发光二极管)照明技术的不断发展，LED的生产规模在不断扩大，LED的封装技术是其在生产制造过程中的关键的一环。LED封装是指发光芯片的封装，相比集成电路封装有较大不同。LED的封装不仅要求能够保护灯芯，而且还要能够透光。所以LED的封装对封装材料有特殊的要求。 因此，亟需一种。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种。 为了实现上述目的，本专利技术提供一种，包括如下步骤: (I)至少提供一个基板，并在所述基板上开设用于容纳LED芯片的凹腔； (2)在所述凹腔的腔底和腔壁镀上反射膜层，所述反射膜层为镍银合金，厚度为45 ?50nm ； (3)固晶工序，通过真空溅射方式在所述凹腔的腔底部的反射膜层上成型厚度为0.01?0.18mm的导热层，放置LED芯片于所述导热层上，并进行焊接，其中焊接的温度为260 ?280。。； (4)在所述LED芯片的上方设置扩散增光层； (5)在所述扩散增光层上设置封装胶层，所述封装胶层的上表面为呈圆弧状。 所述反射膜层为镍银合金，且厚度为48nm。 所述扩散增光层为透明硅胶内包覆有玻璃微珠的结构。 所述表面封装胶层的上表面为弧形结构。 与现有技术相比，本专利技术中，由于设置有所述导热层，因此能够具有较好的导热性能，且设置有所述扩散增光层，能让更多的光线照射出所述表面封装胶层外，提高透光率。 通过以下的描述并结合附图，本专利技术将变得更加清晰，这些附图用于解释本专利技术的实施例。 【附图说明】 图1为本专利技术的流程框图。 图2为根据如图1所示的制作出的发光二极管的结构示意图。【具体实施方式】 现在参考附图描述本专利技术的实施例，附图中类似的元件标号代表类似的元件。如上所述，如图1和2所示，本专利技术提供的100，包括如下步骤: SOOl至少提供一个基板，并在所述基板上开设用于容纳LED芯片的凹腔； S002在所述凹腔的腔底和腔壁镀上反射膜层，所述反射膜层为镍银合金，厚度为45 ?50nm ； S003固晶工序，通过真空溅射方式在所述凹腔的腔底部的反射膜层上成型厚度为0.01?0.18mm的导热层，放置LED芯片于所述导热层上，并进行焊接，其中焊接的温度为260 ?280。。； S004在所述LED芯片的上方设置扩散增光层； S005在所述扩散增光层上设置封装胶层，所述封装胶层的上表面为呈圆弧状。 如图2所示，根据本专利技术提供的100，所封装出的发光二极管的结构不意图，其包括:基板1、LED芯片2、反射膜层3、导热层4、扩散增光层5及表面封装胶层6，所述基板I上开设有用于安装所述LED芯片2的凹腔(图上未标识)，所述凹腔为呈倒圆台形状，且所述凹腔的底部设置有所述导热层4，所述导热层4的厚度为0.01?0.18mm，所述LED芯片2设置在所述导热层4的上表面，所述基板I的上表面及所述凹腔的腔壁均设置有所述反射膜层3，所述反射膜层3的厚度为45?50nm，所述导热层4为设置在所述反射膜层3上，所述扩散增光层5设置在所述LED芯片2上表面，并将所述LED芯片2覆盖，所述表面封装胶层6覆盖封装于所述扩散增光层6上表面。 所述反射膜层3为镍银合金，且厚度为48nm。 所述扩散增光层为透明硅胶内包覆有玻璃微珠的结构。 所述表面封装胶层的上表面为弧形结构。 结合图1和2，本专利技术中，由于设置有所述导热层，因此能够具有较好的导热性能，且设置有所述扩散增光层，能让更多的光线照射出所述表面封装胶层外，提高透光率。 以上所揭露的仅为本专利技术的优选实施例而已，当然不能以此来限定本专利技术之权利范围，因此依本专利技术申请专利范围所作的等同变化，仍属本专利技术所涵盖的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）至少提供一个基板，并在所述基板上开设用于容纳LED芯片的凹腔；（2）在所述凹腔的腔底和腔壁镀上反射膜层，所述反射膜层为镍银合金，厚度为45～50nm；（3）固晶工序，通过真空溅射方式在所述凹腔的腔底部的反射膜层上成型厚度为0.01～0.18mm的导热层，放置LED芯片于所述导热层上，并进行焊接，其中焊接的温度为260～280℃；（4）在所述LED芯片的上方设置扩散增光层；（5）在所述扩散增光层上设置封装胶层，所述封装胶层的上表面为呈圆弧状。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装方法，其特征在于，包括如下步骤: (O至少提供一个基板，并在所述基板上开设用于容纳LED芯片的凹腔； (2)在所述凹腔的腔底和腔壁镀上反射膜层，所述反射膜层为镍银合金，厚度为45?50nm ； (3)固晶工序，通过真空溅射方式在所述凹腔的腔底部的反射膜层上成型厚度为0.0l?0.18mm的导热层，放置LED芯片于所述导热层上，并进行焊接，其中焊接的温度为260 ?280。。； ...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈燕章，
申请(专利权)人：深圳市力维登光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44