中继器光纤‑同轴电缆单元制造技术

一种光同轴电缆单元(OCU)包括用于接收和传送光信号的光PHY以及用于接收和传送同轴电缆信号的同轴电缆PHY。该OCU还包括用于将第一连续比特流从光PHY提供到同轴电缆PHY以及将第二连续比特流从同轴电缆PHY提供到光PHY的介质无关接口。第一连续比特流对应于所接收的光信号和所传送的同轴电缆信号，而第二连续比特流对应于所接收的同轴电缆信号和所传送的光信号。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】中继器光纤-同轴电缆单元
本专利技术的各实施例大体涉及通信系统，具体涉及包括光部分和同轴电缆部分两者 的通信系统。 相关技术背景 以太网无源光网络（EPON)协议可扩展到电缆设施中的同轴（同轴电缆）链路上。 实现在同轴电缆链路上的EPON协议被称为EPoC。在同轴电缆线缆设施上实现EPoC网络或 类似网络呈现显著的挑战。例如，EPON兼容系统传统上使用频分双工（FDD)来实现全双工 通信。然而，电缆运营商可能期望使用时分双工（TDD)而不是FDD来在同轴电缆线路终端 和同轴电缆网络单元之间通信。 附图简述 本专利技术各实施例是作为示例来解说的，且不旨在受附图中各图的限制。 图IA是根据一些实施例的同轴网络的框图。 图IB是根据一些实施例的包括光链路和同轴电缆链路两者的网络的框图。 图2解说根据一些实施例的如在同轴电缆线路终端处测得的时分双工的上行流 和下行流传送的定时。 图3是根据一些实施例的其中同轴电缆线路终端通过同轴电路链路被耦合至同 轴电缆网络单元的系统的框图。 图4提供根据一些实施例的其中在PHY级实现TDD方案的系统中的数据传送的高 级别图示。 图5A是根据一些实施例的耦合于全双工MAC的TDD PHY中的子层的框图。 图5B示出根据一些实施例的在图5A的各子层之间提供的下行流信号。 图6A是根据一些实施例的耦合于全双工MAC的TDD PHY中的子层的框图。 图6B示出根据一些实施例的在图6A的各子层之间提供的上行流信号。 图7A是根据一些实施例的耦合于全双工MAC的TDD PHY中的子层的框图。 图7B示出根据一些实施例的在传送时在图7A的各子层之间提供的信号。 图8A是根据一些实施例的耦合于全双工MAC的TDD PHY中的子层的框图。 图8B示出根据一些实施例的在传送时在图8A的各子层之间提供的信号。 图9A是根据一些实施例的耦合于全双工MAC的TDD PHY中的子层的框图。 图9B示出根据一些实施例的在接收时在图9A的各子层之间提供的信号。 图10解说根据一些实施例的实现TDD的OFDM PHY的操作。 图11是根据一些实施例的其中带有全双工MAC和同轴电缆TDD PHY的同轴电缆 线路终端耦合于带有全双工MAC和同轴电缆TDD PHY的同轴电缆网络的系统的框图。 图12解说根据一些实施例的图11的系统中的下行流传送。 图13A是根据一些实施例的被实现为中继器的光同轴电缆单元的框图。 图13B解说根据一些实施例的图13A的光同轴电缆单元的光PHY中的比特流。 图13C解说根据一些实施例的图13A的光同轴电缆单元的同轴电缆PHY所传送的 OFDM码元。 图14是根据一些实施例的包括光链路和同轴电缆链路两者且还包括被实现为图 13A的中继器的光同轴电缆单元的网络的框图。 图15是示出根据一些实施例的数据通信方法的流程图。 相同的附图标记贯穿附图和说明书引述对应的部件。 详细描述 公开了其中将光同轴电缆单元（OCU)实现为中继器的实施例。该OCU中的光物理 层设备（PHY)可耦合于该OCU中的同轴电缆PHY而无需居间的媒体访问控制器（MAC)。 在一些实施例中，0⑶包括用于接收和传送光信号的光PHY以及用于接收和传送 同轴电缆信号的同轴电缆PHY。该0⑶还包括用于将第一连续比特流从光PHY提供到同轴 电缆PHY以及将第二连续比特流从同轴电缆PHY提供到光PHY的介质无关接口。第一连续 比特流对应于所接收的光信号和所传送的同轴电缆信号，而第二连续比特流对应于所接收 的同轴电缆信号和所传送的光信号。 在一些实施例中，一种数据通信的方法在OCU中执行。在该方法中，光信号在光 PHY中被接收和传送。同轴电缆信号在同轴电缆PHY中被接收和传送。与所接收的光信号 和所传送的同轴电缆信号相对应的第一连续比特流通过介质无关接口从光PHY被提供到 同轴电缆PHY。与所接收的同轴电缆信号和所传送的光信号相对应的第二连续比特流通过 该介质无关接口从同轴电缆PHY被提供到光PHY。 在以下描述中，阐述了众多具体细节（诸如具体组件、电路、和过程的示例），以提 供对本公开的透彻理解。同样，在以下描述中并且出于解释目的，阐述了具体的命名以提供 对本专利技术各实施例的透彻理解。然而，对于本领域技术人员将明显的是，可以不需要这些具 体细节就能实践本专利技术各实施例。在其他实例中，以框图形式示出公知的电路和设备以避 免混淆本公开。如本文所使用的，术语耦合意指直接连接到、或通过一个或多个居间组 件或电路来连接。本专利技术各实施例不应被解释为限于本文描述的具体示例，而是在其范围 内包括由所附权利要求所限定的所有实施例。 图IA是根据一些实施例的同轴电缆网络100(例如，EPoC网络）的框图。网络100 包括经由同轴电缆链路耦合至多个同轴电缆网络单元（CNU) 140-1、140-2和140-3的同轴 电缆线路终端（CLT) 162(也称为同轴电缆链路终端）。各同轴电缆链路可以是无源同轴电 缆、或还可以包括一个或多个放大器和/或均衡器。这些同轴电缆链路组成电缆设施150。 在一些实施例中，CLT 162位于电缆设施150的头端处且CNU 140-1、140-2和140-3位于 相应用户的房屋处。 CLT 162 向 CNU 140-1、140-2 和 140-3 传送下行流信号并从 CNU 140-1、140-2 和 140-3接收上行流信号。在一些实施例中，CNU 140-1、140-2和140-3-1中的每一个接收 由CLT 110传送的每个分组并丢弃并非被定址到该CNU的分组。CNU140-1、140-2和140-3 在由CLT 162指定的调度时间来传送上行流信号。例如，CLT 162向CNU 140-U140-2和 140-3传送控制消息（例如，GATE (选通）消息），该控制消息指定相应CNU 140-U140-2和 140-3可传送上行流信号的相应将来时间。 在一些实施例中，CLT 162是也被耦合至光线路终端（OLT) 110的光-同轴电缆单 元（0⑶)130-1或130-2的一部分，如图IB中所示。图IB是根据一些实施例的包括光链路 和同轴电缆链路两者的网络105的框图。网络105包括经由相应光纤链路被耦合至多个光 网络单元（ONU) 120-1和120-2的OLT 110 (也称为光链路终端）。OLT 110也经由相应的 光纤链路被耦合至多个〇⑶130-1和130-2。0⑶有时也被称为光纤同轴电缆单元（F⑶)、 介质转换器、或同轴电缆介质转换器（CMC)。 每个 OCU 130-1 和 130-2 包括与 CLT 162 耦合的 ONU 160。ONU 160 从 0LT110 接 收下行流分组传输并将其提供给CLT 162, CLT 162将这些分组转发给其电缆设施150 (例 如，电缆设施 150-1 或 150-2)上的 CNU 140 (例如，CNU 140-4 和 140-5,或者 CNU 140-6、 140-7和140-8)。在一些实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光同轴电缆单元，包括：用于接收和传送光信号的光物理层设备(PHY)；用于接收和传送同轴电缆信号的同轴电缆PHY；以及用于将第一连续比特流从所述光PHY提供到所述同轴电缆PHY以及将第二连续比特流从所述同轴电缆PHY提供到所述光PHY的介质无关接口，其中所述第一连续比特流对应于所接收的光信号和所传送的同轴电缆信号，而所述第二连续比特流对应于所接收的同轴电缆信号和所传送的光信号。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.06.21 US 61/662,888;2012.06.21 US 61/662,884;1. 一种光同轴电缆单兀，包括： 用于接收和传送光信号的光物理层设备（PHY); 用于接收和传送同轴电缆信号的同轴电缆PHY ;以及 用于将第一连续比特流从所述光PHY提供到所述同轴电缆PHY以及将第二连续比特流 从所述同轴电缆PHY提供到所述光PHY的介质无关接口， 其中所述第一连续比特流对应于所接收的光信号和所传送的同轴电缆信号，而所述第 二连续比特流对应于所接收的同轴电缆信号和所传送的光信号。2. 如权利要求1所述的光同轴电缆单元，其特征在于： 所述光PHY用于使用频分双工来接收和传送所述光信号；以及 所述同轴电缆PHY用于使用时分双工来接收和传送所述同轴电缆信号。3. 如权利要求1所述的光同轴电缆单元，其特征在于，所述介质无关接口包括用于缓 冲所述第一和第二连续比特流的比特缓冲器。4. 如权利要求3所述的光同轴电缆单元，其特征在于，所述比特缓冲器包括用于丢弃 所述第一连续比特流中不是定址到耦合于所述同轴电缆PHY的同轴电缆网络单元的分组 的协调子层。5. 如权利要求4所述的光同轴电缆单元，其特征在于，所述协调子层用于用空闲帧来 取代被丢弃的分组。6. 如权利要求1所述的光同轴电缆单元，其特征在于，所述同轴电缆PHY包括： 用于从所述介质无关接口接收所述第一连续比特流并向所述介质无关接口提供所述 第二连续比特流的第一子层；以及 用于在第一多个时间窗口期间传送与所述第一连续比特流相对应的同轴电缆信号并 在区别于所述第一多个时间窗口的第二多个时间窗口期间接收与所述第二连续比特流相 对应的同轴电缆信号的第二子层。7. 如权利要求6所述的光同轴电缆单元，其特征在于： 所述第一子层包括物理编码子层（PCS); 所述第二子层包括物理介质依赖子层（PMD);以及 所述同轴电缆PHY进一步包括耦合在所述PCS和所述PMD之间的物理介质附接子层 (PMA)。8. 如权利要求6所述的光同轴电缆单元，其特征在于，所述第一子层包括： 用于生成基于所述第一连续比特流且对应于所传送的同轴电缆信号的第三比特流的 一个或多个层；以及 用于适配所述第三比特流的速率并在与其间所述第二子层不传送的时间相对应的位 置中将填充比特插入所述第三比特流的时分双工适配器，所述时间包括所述第二多个时间 窗口。9. 如权利要求8所述的光同轴电缆单元，其特征在于： 所述第一多个时间窗口的时间窗口具有第一历时； 所述第二多个时间窗口的时间窗口具有第二历时； 第三历时的保护间隔将所述第一和第二多个时间窗口的各相应时间窗口分开；以及 所述时分双工适配器用于将所述第三比特流的速率按一因子适配，所述因子等于所述 第一历时与所述第一、第二和第三历时之和的比。10. 如权利要求6所述的光同轴电缆单元，其特征在于，所述第一子层包括： 用于接收与所接收的同轴电缆信号相对应的第四比特流并通过适配所述第四比特流 的速率并从所述第四比特流删除填充比特来生成第五比特流的时分双工适配器，其中所述 填充比特位于所述第四比特流中与其间所述第二子层不接收的时间相对应的位置中，所述 时间包括所述第一多个时间窗口；以及 用于基于所述第五比特流来生成第二连续比特流的一个或多个层。11. 如权利要求10所述的光同轴电缆单元，其特征在于： 所述第一多个时间窗口的时间窗口具有第一历时； 所述第二多个时间窗口的时间窗口具有第二历时； 第三历时的保护间隔将所述第一和第二多个时间窗口的各相应时间窗口分开；以及 所述时分双工适配器用于将所述第四比特流的速率按一因子适配，所述因子等于所述 第二历时与所述第一、第二和第三历时之和的比。12. 如权利要求6所述的光同轴电缆单元，其特征在于： 所述第一子层用于基于所述第一连续比特流生成第三比特流；以及 所述第二子层包括： 用于通过适配所述第三比特流的速率并在与其间所述第二子层不传送的时间相对应 的位置中将空隙插入所述第三比特流中来生成经适配的比特流的速率适配器，所述时间包 括所述第二多个时间窗口；以及 用于将所述经适配的比特流转换为同轴电缆信号以进行传送的一个或多个层。13. 如权利要求6所述的光同轴电缆单元，其特征在于，所述第二子层包括： 用于将所接收的同轴电缆信号转换为第四比特流的一个或多个层，所述第四比特流在 与其间所述第二子层不接收的时间相对应的位置中具有空隙，所述时间包括所述第一多个 时间窗口；以及 用于适配所述第四比特流的速率并从所述第四比特流移除所述空隙的速率适配器。14. 一种数据通信的方法，包括： 在光同轴电缆单...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·皮埃茨，N·瓦兰尼斯，J·蒙托约，A·加拉瓦格里拉，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US