二取代硼酸衍生物的制造方法和新型二取代硼酸衍生物技术

本发明专利技术涉及二取代硼酸衍生物的制造方法和新型的二取代硼酸衍生物。根据本发明专利技术的制造方法，通过使通式(1)(式中，Ar和M与说明书和权利要求书为相同含义)所示的化合物与硼酸三叔丁酯反应，然后使反应物水解，从而可以选择性地且以高收率得到通式(2)所示的二取代硼酸衍生物。Ar-M (1)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及选择性地制造二取代硼酸衍生物的方法和新型的二取代硼酸衍生物。
技术介绍
已知二取代硼酸与硼酸同样地能够用于铃木偶联反应(Suzuki-Miyaura reaction)(例如参照专利文献1～3)，特别是电气电子材料和医药领域中有用的有机合成中间体。作为制造二取代硼酸的方法，公开了将芳香族化合物锂化、使其与硼酸三烷基酯反应的方法，例如，使用正丁基锂将2-(1,1-二甲基乙基)-5-苯基-2H-四唑锂化，使其与硼酸三甲酯反应，然后用于水解反应，从而合成双[2-[2-(1,1-二甲基乙基)-2H-四唑-5-基]苯基]二取代硼酸的方法(例如参照专利文献2)。另外，公开了使芳香族格氏试剂与硼酸三烷基酯反应的方法，例如，使3,4-二氯苯基溴化镁与硼酸三甲酯反应，然后用酸处理，从而合成双(3,4-二氯苯基)二取代硼酸的方法(例如参照专利文献3)。该方法中公开了，使用相对于芳香族格氏试剂为1.1当量的硼酸三烷基酯时能生成硼酸，但使用0.7当量的硼酸三烷基酯时，可以以高收率得到二取代硼酸。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特表2011-515335号公报专利文献2：日本特开平6-192240号公报专利文献3：日本特表2009-526826号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，即使使用这些现有技术中公开的制造方法，二取代硼酸的收率也低至45％～57％，存在工业上无法得到满足的问题。本专利技术的课题在于，提供针对上述问题，可以选择性地且以高收率得到二取代硼酸衍生物、工业上能够利用的、简便的制造方法。用于解决问题的方案本专利技术人等为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现：通过使硼酸三叔丁酯与有机金属化合物反应，从而可以选择性地且以高收率得到二取代硼酸，从而完成了本专利技术。即，本专利技术如以下所述。即，本专利技术涉及一种通式(2)所示的二取代硼酸衍生物的制造方法，其特征在于，使通式(1)所示的化合物与硼酸三叔丁酯反应，然后使反应物水解。Ar-M  (1)(式中，Ar为芳香烃环基或芳香族杂环基，M为Li或MgX，而且X为氯原子、溴原子或碘原子)(式中，Ar的含义与前述相同)另外，本专利技术涉及一种通式(3)所示的二取代硼酸衍生物。[式中，Ar’为下述式所示的基团：(此处，m为0或1，A为-O-、-S-或-NR1-，m为0时，A可以进一步为-C(R2)2-，R1为氢原子、碳数1～6的烷基或芳香烃环基，R2可以相同或也可以不同，为氢原子或碳数1～6的烷基；R为碳数1～6的烷基、碳数1～6的烷氧基或碳数3～6的环烷基，n为0～5；为单键或双键，因此包含A的环可以为饱和或不饱和；而且，＊为与B(硼)的原子键，其中，R和＊的取代位置不分别限定于苯环上。)]专利技术的效果根据本专利技术的制造方法，可以选择性地且以高收率、简便地制造特别是电气电子材料和医药领域中有用的有机合成中间体即二取代硼酸衍生物。因此，可以期待本专利技术的制造方法能够在工业上利用。另外，根据本专利技术的制造方法，可以提供目前为止完全没有被报道的、新型二取代硼酸衍生物。附图说明图1为实施例1中得到的双(4-二苯并呋喃)二取代硼酸的1H-NMR谱图数据。图2为实施例1中得到的双(4-二苯并呋喃)二取代硼酸的基于单晶X射线衍射的晶体结构解析的分子结构图(ORTEP图)。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式详细地进行说明。＜二取代硼酸衍生物的制造方法＞本专利技术如下得到通式(2)所示的二取代硼酸衍生物：使通式(1)所示的化合物与硼酸三叔丁酯反应，然后使反应物水解，从而得到。Ar-M  (1)(式中，Ar为芳香烃环基或芳香族杂环基，M为Li或MgX，而且X为氯原子、溴原子或碘原子)(式中，Ar的含义与前述相同)本专利技术中，“芳香烃环基”是指，至少包含1个芳香环的、碳数6～20的单环式或缩合多环式的1价的基团，例如可以举出：苯基、萘基、四氢萘基、蒽基、芘基、茚基、芴基、苊基、菲基或1,8-苯嵌萘基等。另外，它们可以被不参与反应的、一个以上的任意的取代基所取代。作为这样的取代基，可以举出：碳数1～6的烷基、碳数1～6的烷氧基、碳数3～6的环烷基、碳数6～20的芳基和碳数2～20的杂芳基等。本专利技术中，“芳香族杂环基”是指，至少包含1个芳香族杂环的、碳数2～20的单环式或缩合多环式的1价的基团，作为具体例，可以举出：呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、吡咯基、吲哚基、咔唑基、咪唑基、苯并咪唑基、吡唑基、噁唑基、苯并噁唑基、噻唑基、苯并噻唑基、呋吖基、吡啶基、吡喃基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、氮杂卓基(azepinyl)、喹啉基、吲嗪基(indolizinyl)、噌啉基(cinnolinyl)、喹啉基、咔啉基(carbolinyl)、菲咯啉基(phenanthrolinyl)和咪唑并嘧啶基等。另外，它们可以被不参与反应的、一个以上的任意的取代基所取代。作为这样的取代基，可以举出：碳数1～6的烷基、碳数1～6的烷氧基、碳数3～6的环烷基、碳数6～20的芳基和碳数2～20的杂芳基等。本专利技术中，“碳数1～6的烷基”是指，单独或与其他用语组合时，碳数1～6的、直链状或支链状的脂肪族饱和烃的一价的基团，例如可以举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基等。因此，本专利技术中，“碳数1～6的烷氧基”是指，基团-ORa、且Ra为如上述定义那样的碳数1～6的烷基的基团。本专利技术中，“碳数3～6的环烷基”是指，单独或与其他用语组合时，碳数3～6的、环状的脂肪族饱和烃的一价的基团，例如可以举出：环丙基、环丁基、环戊基、环己基等。另外，本专利技术中，“碳数6～20的芳基”与上述“芳香烃环基”为相同含义，两者可以互换使用。同样地“碳数2～20的杂芳基”与上述“芳香族杂环基”为相同含义，两者可以互换使用。本专利技术的制造方法优选使用通式(1)中的Ar为下述式所示的基团的情况：(此处，m为0或1，A为-O-、-S-或-NR1-，m为0时，A可以进一步为-C(R2)2-，R1为氢原子、碳数1～6的烷基或芳香烃环基，R2可以相同或也可以不同，为氢原子或碳数1～6的烷基；R为碳数1～6的烷基、碳数1～6的烷氧基或碳数3～6的环烷基，n为0～5；为单键或双键，因此包含A的环可以为饱和或不饱和；而且，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通式(2)所示的二取代硼酸衍生物的制造方法，其特征在于，使通式(1)所示的化合物与硼酸三叔丁酯反应，然后使反应物水解，Ar‑M   (1)式中，Ar为芳香烃环基或芳香族杂环基，M为Li或MgX，而且X为氯原子、溴原子或碘原子，式中，Ar的含义与前述相同。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.08.20 JP 2012-1815781.一种通式(2)所示的二取代硼酸衍生物的制造方法，其特征在于，
使通式(1)所示的化合物与硼酸三叔丁酯反应，然后使反应物水解，
Ar-M   (1)
式中，Ar为芳香烃环基或芳香族杂环基，M为Li或MgX，而且X为氯原
子、溴原子或碘原子，
式中，Ar的含义与前述相同。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，通式(1)中的M为Li。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，以相对于通式(1)
所示的化合物1摩尔为0.1摩尔～2.0摩尔的范围使用硼酸三叔丁酯。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的制造方法，其特征在于，在-80℃
～80℃的范围的温度下实施与硼酸三叔丁酯的反应。
5.一种通式(2’)所示的二取代硼酸衍生物：
式中，Ar’为下述式所示的基团：
此处，m为0或1，A为-O-、-S-或-NR1-，m为0时，A可以进一步为-C(R2)
2-，R1为氢原子、碳数1～6的烷基或芳香烃环基，R2可以相同或也可以不同，
为氢原子或碳数1～6的烷基；
R为碳数1～6的烷基、碳数1～6的烷氧基或碳数3～6...

【专利技术属性】
技术研发人员：村上聪，铃木崇之，
申请(专利权)人：玛耐科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP