一种微型半球非晶合金谐振器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种微型半球非晶合金谐振器及其制备方法，包括一个长方形基底，基底中心部分为一个圆柱形空腔，圆柱形腔正上方是一个半球谐振体，半球谐振体从下到上依次为：玻璃层、离散电极层、绝缘层和非晶合金层；半球谐振体的四周边缘平行地键合在基体的上表面，且半球谐振体的边缘有两层梯状以引出电极线本发明专利技术中所述半球谐振体的四周边缘键合在基底上有着很好的稳定性和抗冲击能力；所述半球谐振体含有非晶合金材料，具有优异的材料特性。本发明专利技术具有工艺步骤简洁，采用常用的成熟微机械加工方法，具有高度对称性，因而可以达到很高的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微机电
的固体波动模态匹配陀螺，具体地，涉及一种微型半球非晶合金谐振器及其制备方法。 
技术介绍
陀螺仪是一种能够敏感载体角度或角速度的惯性器件，在姿态控制和导航定位等领域有着非常重要的作用。随着国防科技和航空、航天工业的发展，惯性导航系统对于陀螺仪的要求也向低成本、小体积、高精度、多轴检测、高可靠性、能适应各种恶劣环境的方向发展。基于MEMS技术的微陀螺仪采用微纳批量制造技术加工，其成本、尺寸、功耗都很低，而且环境适应性、工作寿命、可靠性、集成度与传统技术相比有极大的提高，因而MEMS微陀螺已经成为近些年来MEMS技术广泛研究和应用开发的一个重要方向。 经对现有技术的文献检索发现,中国专利“固体波动陀螺的谐振子及固体波动陀螺”(专利申请号：CN201010294912.6)利用高性能的合金通过机械精密加工的方法制作出具有杯形振子的固体波动陀螺，杯形振子底盘上粘结有压电片作为驱动和检测电极，通过在驱动电极上施加一定频率的电压信号，对杯形振子施加压电驱动力，激励振子产生驱动模态下的固体波，当有杯形振子轴线方向角速度输入时，振子在科氏力作用下向另一简并的检测模态固体波转化，两个简并模态的固体波之间相位相差一定的角度，通过检测杯形振子底盘上检测电极输出电压的变化即可检测输入角速度的变化。 此技术存在如下不足：该固体波动陀螺杯形谐振体体积过大，限制了其在很多必须小体积条件下的应用；杯形振子底盘的压电电极是粘结到杯形振子上的，在高频振动下存在脱落的可能，可靠性不高；陀螺的加工工艺比较复杂，加工成本较高，不适合大批量生产；陀螺驱动模态和检测模态频率分裂较大，致使陀螺的带宽较大，品质因数很难提高；陀螺固定方式不稳定，难以适应需要高可靠性的场合。 
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种微型半球非晶合金谐振器及 其制备方法，本专利技术所述陀螺及其制备方法的加工工艺步骤简洁，采用成熟的微机械加工方法，利于批量生产。 根据本专利技术的一个方面，提供一种微型半球非晶合金谐振器，包括： 一个具有上表面的长方形基底； 一个位于基底中心部分的圆柱形空腔； 一个位于圆柱形空腔正上方的半球谐振体； 其中：所述半球谐振体的四周边缘平行地键合在基底的上表面，且所述半球谐振体的边缘有两层梯状以引出电极线； 所述半球谐振体有四层，从下到上依次为：玻璃层、离散电极层、绝缘层和非晶合金层，其中：所述玻璃层与所述离散电极层构成一个整体的第一半球形泡，所述非晶合金层构成的第二半球形泡，所述第一半球形泡与所述第二半球形泡通过边缘键合，所述第二半球形泡比所述第一半球形泡半径大故在所述第一半球形泡与所述第二半球形泡之间留有间隙。 根据本专利技术的另一个方面，提供一种微型半球非晶合金谐振器的制备方法，所述方法包括： 第一步、在第一基底的上表面形成第一圆柱形空腔； 第二步，在所述第一基底的上表面以及在所述第一圆柱形空腔之上键合玻璃层； 第三步，将第一导电层沉积于所述玻璃层之上； 第四步，对所述第一导电层进行蚀刻以形成离散电极层； 第五步，加热所述第一基底和所述玻璃层并超过所述玻璃层的软化点，以在所述第一圆柱形空腔之上的所述玻璃层内形成第一半球形泡； 第六步，在第二基底的表面上形成第二圆柱形空腔，所述第二基底长度比所述第一基底长度短，所述第二圆柱形空腔的直径比所述第一圆柱形空腔的直径大； 第七步，在所述第二基底的表面之上形成绝缘层，所述绝缘层在所述第二圆柱形空腔上面镂空； 第八步，将非晶合金层键合在所述绝缘层的上表面，所述非晶合金层中间不镂空； 第九步，加热所述第二基底和及所述非晶合金层并超过所述非晶合金层的软化点，以在所述第二圆柱形空腔之上的所述非晶合金层内形成第二半球形泡； 第十步，对所述第二基底进行蚀刻得到没有所述第二基底的所述第二半球形泡； 第十一步，将蚀刻掉所述第二基底的所述第二半球形泡阳极地键合在所述第一基 底上的所述第一半球形泡上，形成具有二层梯状边缘的微型半球非晶合金谐振器陀螺；其中：所述第二半球形泡与所述第一半球形泡之间留有间隙以允许谐振器振动，且所述第二半球形泡边缘长度比所述第一半球形泡边缘长度短以使第一导电层露出边缘引线点以允许引出电极线。 与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果： 1、加工工艺步骤简洁，采用成熟的微机械加工方法，利于批量生产； 2、构成谐振体的第一半球形泡和第二半球形泡有着类似的加工方法，且具有高度对称性，可以使谐振体达到优良的性能； 3、第二半球形泡的边缘长度小于和第一半球形泡的边缘长度，可以方便的引出电极线； 4、谐振体的四周边缘键合固定在基底上，有着很高的稳定性和抗冲击能力； 5、谐振体含有非晶合金材料，具有金属和玻璃两种材料的优异性能，能适应更复杂的工作环境。 附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显： 图1A为根据一个实施例的半球形谐振器陀螺仪的俯视图； 图1B为根据一个实施例的半球形谐振器陀螺仪的三维视图； 图2A-2J为一实施例所述微型半球非晶合金谐振器的制备方法的工艺流程图； 图3为为图2C描述内容的三维透视图； 图4为所述第一半球形泡5和所述第二半球形泡10的大小关系； 图5为根据图2A-2J的工艺制作的半球形谐振器陀螺仪的截面侧视图； 图中：1为第一长方体基底，2为第一圆柱形空腔，3为玻璃层，4为离散电极层，5为第一半球形泡，6为第二长方体基底，7为第二圆柱形空腔，8为连续电极层，9为非晶合金层，10为第二半球形泡，11为引线点，12为半球谐振体。 具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本专利技术，但不以任何形式限制本专利技术。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于 本专利技术的保护范围。 如图1A-1B所示，本实施例提供一种微型半球非晶合金谐振器，包括： 一个具有上表面的长方形基底； 一个位于基底中心部分的圆柱形空腔； 一个位于圆柱形空腔正上方的半球谐振体； 其中：所述半球谐振体的四周边缘平行地键合在基底的上表面，且所述半球谐振体的边缘有两层梯状以引出电极线； 所述半球谐振体有四层，从下到上依次为：玻璃层、离散电极层、绝缘层和非晶合金层，其中：所述玻璃层与所述离散电极层构成一个整体的第一半球形泡，所述非晶合金层构成的第二半球形泡，所述第一半球形泡与所述第二半球形泡通过边缘键合，所述第二半球形泡比所述第一半球形泡半径大故在所述第一半球形泡与所述第二半球形泡之间留有间隙。 本实施例中，所述基底的上表面中心限定了所述圆柱形空腔的中心。 本实施例中，所述圆柱形空腔与所述半球谐振体的中心重合。 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微型半球非晶合金谐振器，其特征在于，包括：一个具有上表面的长方形基底；一个位于基底中心部分的圆柱形空腔；一个位于圆柱形空腔正上方的半球谐振体；其中：所述半球谐振体的四周边缘平行地键合在基底的上表面，且所述半球谐振体的边缘有两层梯状以引出电极线；所述半球谐振体有四层，从下到上依次为：玻璃层、离散电极层、绝缘层和非晶合金层，其中：所述玻璃层与所述离散电极层构成一个整体的第一半球形泡，所述非晶合金层构成的第二半球形泡，所述第一半球形泡与所述第二半球形泡通过边缘键合，所述第二半球形泡比所述第一半球形泡半径大故在所述第一半球形泡与所述第二半球形泡之间留有间隙。

【技术特征摘要】
1.一种微型半球非晶合金谐振器，其特征在于，包括：
一个具有上表面的长方形基底；
一个位于基底中心部分的圆柱形空腔；
一个位于圆柱形空腔正上方的半球谐振体；
其中：所述半球谐振体的四周边缘平行地键合在基底的上表面，且所述半球谐
振体的边缘有两层梯状以引出电极线；
所述半球谐振体有四层，从下到上依次为：玻璃层、离散电极层、绝缘层和非
晶合金层，其中：所述玻璃层与所述离散电极层构成一个整体的第一半球形泡，所述
非晶合金层构成的第二半球形泡，所述第一半球形泡与所述第二半球形泡通过边缘键
合，所述第二半球形泡比所述第一半球形泡半径大故在所述第一半球形泡与所述第二
半球形泡之间留有间隙。
2.根据权利要求1所述的一种微型半球非晶合金谐振器，其特征在于，所述基底
的上表面中心限定了所述圆柱形空腔的中心，所述圆柱形空腔与所述半球谐振体的中心
重合。
3.根据权利要求1所述的一种微型半球非晶合金谐振器，其特征在于，所述基
底的材料为硅。
4.根据权利要求1所述的一种微型半球非晶合金谐振器，其特征在于，所述玻
璃层为低热膨胀系数的玻璃材料。
5.根据权利要求1所述的一种微型半球非晶合金谐振器，其特征在于，所述非晶
合金层为具有玻璃特性的非晶合金。
6.根据权利要求1所述的一种微型半球非晶合金谐振器，其特征在于，所述离
散电极层的材料为可伐合金。
7.一种权利要求1-6任一项所述的微型半球非晶合金谐振器的制备方法，其特
征在于，所述方法包括：
第一步、在第一基底的上表面形成第一圆柱形空腔；
第二步，在所述第一基底的上表面以及在所述第一圆柱形空腔之上键合玻璃层；
第三步，将第一导电层沉积于所述玻璃层之上；
第四步，对所述第一导电层进行蚀刻以形成离散电极层；
第五步，加热所述第一基底和所述玻璃层并超过所述玻璃层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张卫平，邢亚亮，唐健，刘亚东，汪濙海，成宇翔，孙殿竣，陈文元，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：上海;31