【技术实现步骤摘要】
一种强流中子发生装置
本专利技术涉及一种氘氘(或氘氚)反应产生中子的装置，主要应用于中子相关研究、如探伤、材料分析等方向，涉及核物理、材料分析、矿物勘探等方面。
技术介绍
中子是一种电中性的粒子，具有质子相同的质量，它在很多核反应中扮有重要的角色，许多核素可以俘获中子，生产活化产物，进而放出T射线，它是中子活化分析的基础。中子活化分析在石油等多种资源的勘探、材料元素含量的分析、安防爆炸物的探测等方面有重要作用。 自由中子半衰期比较短(10分钟11秒)，因此只能现制现用。在实验室中，最常用的中子源是某些衰变时释放中子的核素。比如锎-252(半衰期为2.65年)的自发裂变，100个原子中有3个锎原子核裂变时会释放中子，每次裂变会平均产生3.7个中子；还有直接将核反应堆产生的中子引出，用于相关的研究。前者价格昂贵，后者只有在一些特定的地方才能获得。 采用离子源加速氘离子进行氘氘反应或氘氚反应获得中子是一种价格低廉、安全可靠的方法，目前这种装置通常采用潘宁离子源，主要是由于其具有体积小，结构简单的特点。但这种离子源寿命较低，产生的离子束很小，最大只有几百微安，对于一些实验或分析工作，效率很低。本专利技术采用微波离子源作为中子发生器离子的产生和加速装置，引出粒子束可以达到几十到上百毫安，中子产生效率大大提高。
技术实现思路
本专利技术提供了一种价格相对低廉、安全可靠的强流中子发生装置。 本专利技术采用的技术方案是: I)装置采用全密闭结构，微波离子源主体、水冷氢气吸附靶、涡轮分子泵等装置与外界均没有气体交换。 2)工作时，离...
【技术保护点】
一种采用微波离子源产生并加速氘离子，利用氘氘(或氘氚)反应产生强流中子的装置。如图1所示，氘(或氚)吸附在低温冷却靶上面，由微波离子源产生氘离子，经过高压加速打到冷却靶上，与冷却靶吸附的氘(或氚)原子发生核反应，产生中子。
【技术特征摘要】
1.一种采用微波离子源产生并加速氘离子，利用氘氘(或氘氚)反应产生强流中子的装置。如图1所示，氘(或氚)吸附在低温冷却靶上面，由微波离子源产生氘离子，经过高压加速打到冷却靶上，与冷却靶吸附的氘(或氚)原子发生核反应，产生中子。2.根据权利I所述方法，微波离子源采用2.45GHz微波，磁场由永磁体或螺线管线圈产生。3.根据权利I所述方法，氘气吸附在靶上面，靶体低温冷却。4...
【专利技术属性】
技术研发人员：明建川，
申请(专利权)人：常州博锐恒电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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