图案化的导电薄膜、其制造方法及触控面板技术

本发明专利技术公开一种图案化的导电薄膜，包括导电的互连纳米结构薄膜层。导电的互连纳米结构薄膜层具有互相邻接的第一区与第二区，其中第一区的导电度是第二区的导电度的至少1000倍以上。本揭露实施例的图案化的导电薄膜不会留下目视可见的蚀刻痕，提升光学质量。可以利用导电性调节处理使导电薄膜图案化，因此可以减少光掩膜的使用，减少成本的支出。可以减少使用化学品，降低环境的污染。

【技术实现步骤摘要】
图案化的导电薄膜、其制造方法及触控面板
本揭露是有关于一种图案化的导电薄膜及其制造方法与应用。
技术介绍
透明导电薄膜可应用的领域很广，包含触控式屏幕、软性显示器、LCD面板、OLED照明和太阳能电池等等，其中又以触控面板的市场最大。目前透明导电层的市场几乎由铟锡氧化物(ITO)独占，但不论是铟材料的欠缺、中大尺寸面板ITO成本和电阻过高、以及对软性面板的需求都指向须寻找ITO的替代材料。纳米银线材料所使用的银含量不高，因此，仍有透明的效果，且导电性比ITO中的铟高100倍，并可为液体型态涂料。因此，纳米银线是未来应用于触控元件透明导电薄膜极具优势的替代材料。不仅于导电性与价格上有竞争性，尤其是对软性面板设计的需求，纳米银线于使用或应用上提供更大的弹性。随着智能型手机、平板计算机等触控产品需求持续扩张，透明导电膜市场规模增加，纳米银导电材料将有机会以其成本较低、导电性优及具可挠曲性的优势，成为下一世代透明导电膜的主要材料之一。目前，纳米银线薄膜图案化方式可以使用一般光刻蚀刻工艺来进行纳米结构薄膜图案化；然而，此方法易留下目视可见的蚀刻痕，而影响光学质量。再者，使用一般蚀刻工艺来进行纳米结构薄膜图案化需使用蚀刻剂等化学品，因此，成本较高。另外，使用一般蚀刻的方式来进行纳米结构薄膜图案化，在蚀刻工艺后须清洗除去部分纳米银线，因此可能造成环境污染。
技术实现思路
本揭露提供一种图案化的导电薄膜，其不会留下目视可见的蚀刻痕，可提升光学质量。本揭露提供一种图案化的导电薄膜的制造方法，其可以利用位于导电的互连纳米结构薄膜层上方的图案化调节层，搭配导电性调节处理来图案化导电薄膜，减少光掩膜的使用，以减少成本的支出。本揭露提供一种图案化的导电薄膜的制造方法，其可以减少使用化学品，降低环境的污染。本揭露实施例提出一种图案化的导电薄膜，包括导电的互连纳米结构薄膜层以及图案化的调节层。所述导电的互连纳米结构薄膜层具有互相邻接的第一区与第二区，其中第一区具有交错互迭的纳米结构且第二区具有局部非连续的互连纳米结构，且第一区的导电度是第二区的导电度的至少1000倍。图案化的调节层，配置于第一区与第二区两者其一。其中，导电的互连纳米结构薄膜层包括纳米导线、纳米棒、纳米管、纳米蜂巢状结构、纳米颗粒或其组合。其中，导电的互连纳米结构薄膜层的材料包括金属、高分子、陶瓷，或上述两种以上的组合。其中，导电的互连纳米结构薄膜层的材料包括金属材料，且金属材料包括金、银、铜、铁、锡、镍、铝、钛、铂、钨、锌或钴，或其多元合金。其中，导电的互连纳米结构薄膜层的材料包括高分子材料，且高分子材料包括聚乙炔类导电高分子材料、聚噻吩类导电高分子材料、聚吡咯类导电高分子材料、聚苯胺类导电高分子材料或聚芳香烃乙烯类导电高分子材料。其中，导电的互连纳米结构薄膜层的材料包括陶瓷材料，且陶瓷材料包括氧化锌、氧化铟、氧化锡、氮化钛、氧化铟锡、氧化锌铝、氧化铟锌、氧化锌镓或氧化铟锌镓、或前述材料的多元金属氧化物，或前述材料的多元金属氮化物。其中，图案化的调节层包括热传导系数小于1W/m·K的材料或隔热性高于玻璃的材料且配置于第一区，或者热传导系数大于1W/m·K的材料或隔热性低于玻璃的材料且配置于第二区。其中，图案化的调节层包括压克力系材料、环氧树脂系材料、聚氨酯系材料、聚烯醇系材料、聚酯系材料、聚乙烯系材料，或者是上述两者以上的混合材料，亦或者是无机材料，所述无机材料包括氧化铝、氧化硅、氮化硅或其混合物。其中，图案化的调节层包括光穿透率低于50%的材料且配置于第一区，或者能增强红外光波长的材料且配置于第二区。其中，还包括：平坦层或保护层，覆盖图案化的调节层与导电的互连纳米结构薄膜层；以及另一导电的互连纳米结构薄膜层，配置于平坦层或保护层上，且另一导电的互连纳米结构薄膜层具有互相邻接的第三区与第四区，第三区的导电度是第四区的导电度的至少1000倍。其中，导电的互连纳米结构薄膜层位于第一基板与图案化的调节层之间。其中，图案化的调节层位于导电的互连纳米结构薄膜层与第一基板之间。本揭露实施例提出一种图案化的导电薄膜的制造方法，包括提供导电的互连纳米结构薄膜层，所述导电的互连纳米结构薄膜层包括互相邻接的第一区与第二区。于导电的互连纳米结构薄膜层的第一区或第二区配置图案化的调节层。提供能量源，对导电的互连纳米结构薄膜层与图案化的调节层进行导电性调节处理，使第一区具有交错互迭的纳米结构而且第二区具有局部非连续的互连纳米结构，且其中第一区的导电的互连纳米结构薄膜层是第二区的导电的互连纳米结构薄膜层的导电度的至少1000倍。其中，还包括：在进行导电性调节处理后，于图案化的调节层与导电的互连纳米结构薄膜层上覆盖平坦层；以及于平坦层上形成另一导电的互连纳米结构薄膜层，另一导电的互连纳米结构薄膜层具有互相邻接的第三区与第四区，其中第三区的导电度是第四区的导电度的至少1000倍。其中，还包括移除图案化的调节层。其中，导电性调节处理包括热处理工艺、光处理工艺或等离子处理工艺。其中，热处理工艺的温度为摄氏150度至400度。其中，光处理工艺包括提供波长为700纳米至14微米的光源。其中，导电的互连纳米结构薄膜层位于第一基板与图案化的调节层之间。其中，还包括：形成黏着层，黏着层位于图案化的导电薄膜的最上层；在黏着层上贴附第二基板；以及分离第一基板。其中，图案化的调节层位于导电的互连纳米结构薄膜层与第一基板之间。本揭露实施例提出一种单片双层薄膜式架构GF2(DITO)的触控面板，包括基板、第一导电的互连纳米结构薄膜层、第二导电的互连纳米结构薄膜层以及平坦层。第一导电的互连纳米结构薄膜层具有互相邻接的第一区与第二区，其中第一区具有交错互迭的纳米结构，作为第一方向电极图案，且第二区具有局部非连续的互连纳米结构，第一区的导电度是第二区的导电度的至少1000倍。第二导电的互连纳米结构薄膜层具有互相邻接的第三区与第四区，其中第三区具有交错互迭的纳米结构，作为第二方向电极图案，且第四区具有局部非连续的互连纳米结构，第三区的导电度是第四区的导电度的至少1000倍。平坦层介于第一导电的互连纳米结构薄膜层与第二导电的互连纳米结构薄膜层之间。其中，第一方向电极图案为Y轴电极图案；第二方向电极图案为X轴电极图案。其中，第一导电的互连纳米结构薄膜层与第二导电的互连纳米结构薄膜层包括纳米导线、纳米棒、纳米管、纳米蜂巢状结构、纳米颗粒或其组合。本揭露实施例提出一种单片单层薄膜式架构GF2(SITO)的触控面板，包括基板、第一方向桥接电极图案、图案化的绝缘层以及导电的互连纳米结构薄膜层。第一方向桥接电极图案位于基板上。图案化的绝缘层，覆盖第一方向桥接电极图案，裸露出第一方向的桥接电极图案的两端。导电的互连纳米结构薄膜层，位于基板上，其具有第一区、第二区与第三区。第一区与第三区之间彼此分隔，且第二区分别与第一区以及第三区互相邻接。第一区具有交错互迭的纳米结构，借由图案化的绝缘层与第一方向的桥接电极图案电性隔绝，作为第二方向的电极图案。第三区具有交错互迭的纳米结构，作为第一方向的电极图案，其包括第一部分与第二部分，位于第一区的两侧，且第一部分与第二部分分别与未被图案化的绝缘层覆盖的第一方向的桥接电极图案的两端电性连接。第二区具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图案化的导电薄膜，其特征在于，包括：一导电的互连纳米结构薄膜层，所述导电的互连纳米结构薄膜层具有互相邻接的一第一区与一第二区，其中所述第一区具有交错互迭的纳米结构且所述第二区具有局部非连续的互连纳米结构，所述第一区的导电度是所述第二区的导电度的至少1000倍；以及一图案化的调节层，配置于所述第一区与所述第二区两者其一。

【技术特征摘要】
2013.08.16 TW 1021295491.一种图案化的导电薄膜，其特征在于，包括：一导电的互连纳米结构薄膜层，所述导电的互连纳米结构薄膜层具有互相邻接的一第一区与一第二区，其中所述第一区具有交错互迭的纳米结构且所述第二区具有局部非连续的互连纳米结构，所述第一区的导电度是所述第二区的导电度的至少1000倍；以及一图案化的调节层，配置于所述第一区与所述第二区两者其一，其中所述图案化的调节层包括压克力系材料、环氧树脂系材料、聚氨酯系材料、聚烯醇系材料、聚酯系材料、聚乙烯系材料，或者是上述两者以上的混合材料，亦或者是无机材料，所述无机材料包括氧化铝、氧化硅、氮化硅或其混合物，所述图案化的调节层包括热传导系数小于1W/m·K的材料或隔热性高于玻璃的材料且配置于所述第一区，或者热传导系数大于1W/m·K的材料或隔热性低于玻璃的材料且配置于所述第二区。2.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，所述导电的互连纳米结构薄膜层包括纳米导线、纳米棒、纳米管、纳米蜂巢状结构、纳米颗粒或其组合。3.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，所述导电的互连纳米结构薄膜层的材料包括金属、高分子、陶瓷，或上述两种以上的组合。4.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，所述导电的互连纳米结构薄膜层的材料包括金属材料，且所述金属材料包括金、银、铜、铁、锡、镍、铝、钛、铂、钨、锌或钴，或其多元合金。5.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，所述导电的互连纳米结构薄膜层的材料包括高分子材料，且所述高分子材料包括聚乙炔类导电高分子材料、聚噻吩类导电高分子材料、聚吡咯类导电高分子材料、聚苯胺类导电高分子材料或聚芳香烃乙烯类导电高分子材料。6.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，所述导电的互连纳米结构薄膜层的材料包括陶瓷材料，且所述陶瓷材料包括氧化锌、氧化铟、氧化锡、氮化钛、氧化铟锡、氧化锌铝、氧化铟锌、氧化锌镓或氧化铟锌镓、或前述材料的多元金属氧化物，或前述材料的多元金属氮化物。7.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，所述图案化的调节层包括光穿透率低于50％的材料且配置于所述第一区，或者能增强红外光波长的材料且配置于所述第二区。8.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，还包括：平坦层或保护层，覆盖所述图案化的调节层与所述导电的互连纳米结构薄膜层；以及另一导电的互连纳米结构薄膜层，配置于所述平坦层或所述保护层上，且所述另一导电的互连纳米结构薄膜层具有互相邻接的第三区与第四区，所述第三区的导电度是所述第四区的导电度的至少1000倍。9.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，所述导电的互连纳米结构薄膜层位于第一基板与所述图案化的调节层之间。10.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，所述图案化的调节层位于所述导电的互连纳米结构薄膜层与一第一基板之间。11.一种图案化的导电薄膜的制造方法，其特征在于，包括:提供导电的互连纳米结构薄膜层，所述导电的互连纳米结构薄膜层包括互相邻接的第一区与第二区；于所述导电的互连纳米结构薄膜层的所述第一区或所述第二区配置一图案化的调节层，其中所述图案化的调节层包括压克力系材料、环氧树脂系材料、聚氨酯系材料、聚烯醇系材料、聚酯系材料、聚乙烯系材料，或者是上述两者以上的混合材料，亦或者是无机材料，所述无机材料包括氧化铝、氧化硅、氮化硅或其混合物，所述图案化的调节层包括热传导系数小于1W/m·K的材料或隔热性高于玻璃的材料且配置于所述第一区，或者热传导系数大于1W/m·K的材料或隔热性低于玻璃的材料且配置于所述第二区；以及提供能量源，对所述导电的互连纳米结构薄膜层与所述图案化的调节层进行一导电性调节处理，使所述第一区具有交错互迭的纳米结构而且所述第二区具有局部非连续的互连纳米结构，且其中所述第一区的所述导电的互连纳米结构薄膜层是所述第二区的所述导电的互连纳米结构薄膜层的导电度的至少1000倍。12.根据权利要求11所述的图案化的导电薄膜的制造方法，其特征在于，还包括：在进行所述导电性调节处理后，于所述图案化的调节层与所述导电的互连纳米结构薄膜层上覆盖平坦层；以及于所述平坦层上形成另一导电的互连纳米结构薄膜层，所述另一导电的互连纳米结构薄膜层具有互相邻接的第三区与第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张郁培，杨明桓，邱俊毅，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71