像素结构制造技术

一种像素结构，包含基板、数据线、遮光线、第一扫描线、滤光层与像素电极。基板定义一对两相邻的子像素区。二对数据线分别置于二子像素区，并分别延伸经过二子像素区。遮光线设置在子像素区的边界。像素电极分别置于子像素区中且分别置于滤光层上。每一像素电极包含第一主干电极、二屏蔽电极、第一分支电极与第二分支电极。屏蔽电极分别置于第一主干电极与遮光线之间，且分别置于数据线上方。第一分支电极分别置于第一主干电极与屏蔽电极之间。两相邻的第一分支电极形成第一狭缝。第二分支电极分别置于屏蔽电极与遮光线之间。两相邻的第二分支电极形成第二狭缝。第一狭缝与第二狭缝皆互相分离。上述的像素结构可抑制数据线的电场自像素电极窜出。

【技术实现步骤摘要】
像素结构
本专利技术是有关于一种像素结构。
技术介绍
一般的液晶面板的像素结构是由扫描线与数据线交错定义出像素单元。像素电极置于像素单元中，通过施加电场而控制位于其上方的液晶分子的转向。然而随着液晶面板的发展，为了追求更高的开口率、更好的显示品质、更广的观看视角等等，各式各样的像素结构被设计出来。在一些像素结构的设计中，像素电极会与数据线互相重叠，若像素电极具有开口，数据线的电场便可能会从开口窜出，进而扰乱液晶分子的转向，使得液晶面板产生漏光的问题。因此如何设计像素结构以改善上述问题为目前业界努力解决的目标。
技术实现思路
本专利技术的一方面提供一种像素结构，包含基板、至少二对数据线、多条遮光线、第一扫描线、二滤光层与二像素电极。基板定义有一相邻的二子像素区。二对数据线分别置于二子像素区，并分别延伸经过二子像素区。遮光线设置在二子像素区的边界。第一扫描线设置于基板。第一扫描线与二对数据线以及遮光线部分重叠。滤光层分别置于二子像素区中且置于二对数据线上。像素电极分别置于二子像素区中且分别置于二滤光层上。每一像素电极包含第一主干电极、二屏蔽电极、多条第一分支电极与多条第二分支电极。屏蔽电极分别置于第一主干电极与遮光线之间，且屏蔽电极分别置于数据线上方。第一分支电极分别置于第一主干电极与屏蔽电极之间。两相邻的第一分支电极形成第一狭缝。第二分支电极分别置于屏蔽电极与遮光线之间。两相邻的第二分支电极形成第二狭缝。第一狭缝与第二狭缝皆互相分离。在一或多个实施方式中，每一屏蔽电极还具有多个第三狭缝。每一第三狭缝与相邻的第一狭缝及第二狭缝相连通，且第三狭缝的宽度小于第一狭缝或第二狭缝的宽度。在一或多个实施方式中，第三狭缝的延伸方向平行于第一狭缝或第二狭缝的延伸方向。在一或多个实施方式中，第三狭缝的延伸方向与第一狭缝或第二狭缝的延伸方向相交。在一或多个实施方式中，像素电极的垂直投影与遮光线部分重叠。在一或多个实施方式中，屏蔽电极与数据线实质平行。在一或多个实施方式中，每一像素电极还包含外框电极。第一主干电极、屏蔽电极、第一分支电极与第二分支电极皆置于外框电极内，且每一屏蔽电极的相对两端部分别与外框电极的相对两侧相接。在一或多个实施方式中，每一像素电极还包含第二主干电极，与第一主干电极交错，以形成四个配向区。于同一配向区中的第一分支电极与第二分支电极实质朝同一方向延伸。在一或多个实施方式中，第一狭缝与第二狭缝实质具有相同宽度。在一或多个实施方式中，每一数据线具有第一宽度，且每一屏蔽电极具有第二宽度，第一宽度大于第二宽度。在一或多个实施方式中，第二宽度约为第一宽度的一半。在一或多个实施方式中，第一宽度小于第二宽度。在一或多个实施方式中，像素结构还包含介电层，置于基板与滤光层之间。数据线置于介电层与滤光层之间。每一遮光线包含第一线段，置于基板与介电层之间。第一线段与第一扫描线互相分离。在一或多个实施方式中，每一遮光线还包含第二线段，置于介电层与滤光层之间。第二线段与数据线互相分离，且第二线段的垂直投影与第一线段部分重叠。在一或多个实施方式中，遮光线的材质为金属。在一或多个实施方式中，对应二子像素区的滤光层为不同颜色。在一或多个实施方式中，子像素区分为至少一第一主像素区与至少一第一次像素区。第一主像素区与第一次像素区沿数据线延伸方向交替排列。每对数据线皆包含第一数据线与第二数据线，且第一扫描线的数量为多个。像素结构还包含第一晶体管与第二晶体管。第一晶体管电性连接一个第一扫描线、第一数据线与第一主像素区的像素电极。第二晶体管电性连接另一个第一扫描线、第二数据线与第一次像素区的像素电极。在一或多个实施方式中，像素结构还包含第二扫描线、第三晶体管与电容。第二扫描线与第一扫描线交替排列。第三晶体管与第二扫描线电性连接。电容置于一个子像素区中，且与第三晶体管电性连接。本专利技术的另一方面提供一种像素结构，包含基板多条第一扫描线、多条第二扫描线、多条遮光线、至少一数据线、滤光层与像素电极。第一扫描线置于基板上。第二扫描线置于基板上且与第一扫描线交替设置。遮光线置于基板上。相邻的第一扫描线、第二扫描线与相邻两条遮光线交错以于基板上定义一子像素区。数据线置于基板上方且贯穿子像素区。滤光层置于子像素区中且置于数据线上。像素电极置于子像素区中且置于滤光层上。像素电极包含第一主干电极、屏蔽电极、多条第一分支电极与多条第二分支电极。屏蔽电极置于第一主干电极与遮光线之间，且屏蔽电极置于数据线上方。第一分支电极分别置于第一主干电极与屏蔽电极之间，两相邻的第一分支电极形成第一狭缝。第二分支电极分别置于屏蔽电极与遮光线之间。两相邻的第二分支电极形成第二狭缝。第一狭缝与第二狭缝皆互相分离。在一或多个实施方式中，每一屏蔽电极还具有多个第三狭缝。每一第三狭缝与相邻的第一狭缝及第二狭缝相连通，且第三狭缝的宽度小于第一狭缝或第二狭缝的宽度。在一或多个实施方式中，第三狭缝的延伸方向平行于第一狭缝或第二狭缝的延伸方向。在一或多个实施方式中，第三狭缝的延伸方向与第一狭缝或第二狭缝的延伸方向相交。在一或多个实施方式中，像素电极的垂直投影与遮光线部分重叠。在一或多个实施方式中，屏蔽电极与数据线实质平行。在一或多个实施方式中，像素电极还包含外框电极。第一主干电极、屏蔽电极、第一分支电极与第二分支电极皆置于外框电极内，且屏蔽电极的相对两端部分别与外框电极的相对两侧相接。在一或多个实施方式中，像素电极还包含第二主干电极，与第一主干电极交错，以形成四个配向区。于同一配向区中的第一分支电极与第二分支电极实质朝同一方向延伸。在一或多个实施方式中，第一狭缝与第二狭缝实质具有相同宽度。在一或多个实施方式中，数据线具有第一宽度，且屏蔽电极具有第二宽度。第一宽度大于第二宽度。在一或多个实施方式中，第二宽度约为第一宽度的一半。在一或多个实施方式中，第一宽度小于第二宽度。在一或多个实施方式中，像素结构还包含介电层，置于基板与滤光层之间。数据线位于介电层与滤光层之间。每一遮光线包含第一线段，置于介电层与滤光层之间。第一线段与第一扫描线互相分离。在一或多个实施方式中，每一遮光线还包含第二线段，置于介电层与滤光层之间。第二线段与数据线互相分离，且第二线段的垂直投影与第一线段部分重叠。在一或多个实施方式中，子像素区与滤光层的数量皆为多个。对应两相邻的子像素区的滤光层为不同颜色。在一或多个实施方式中，数据线与屏蔽电极的数量皆为多个，二个数据线贯穿同一子像素区，且二个屏蔽电极分别位于数据线上方。在一或多个实施方式中，子像素区的数量为多个，且分为至少一第一主像素区与至少一第一次像素区。第一主像素区与第一次像素区沿数据线延伸方向交替排列。数据线包含第一数据线与第二数据线，且第一扫描线的数量为多个。像素结构还包含第一晶体管与第二晶体管。第一晶体管电性连接一个第一扫描线、第一数据线与第一主像素区的像素电极。第二晶体管电性连接另一个第一扫描线、第二数据线与第一次像素区的像素电极。在一或多个实施方式中，像素结构还包含第三晶体管与电容。第三晶体管与第二扫描线电性连接。电容置于子像素区中，且与第三晶体管电性连接。在一或多个实施方式中，遮光线的材质为金属。上述的像素结构，其屏蔽电极置于数据线上方，因此数据线产生的电场不致于窜出像素电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包含：一基板，定义有相邻的二子像素区；至少二对数据线，分别置于该二子像素区，并分别延伸经过该二子像素区；多条遮光线，设置在该二子像素区的边界；一第一扫描线，设置于该基板，该第一扫描线与该二对数据线以及所述遮光线部分重叠；二滤光层，分别置于该二子像素区中且置于该二对数据线上；以及二像素电极，分别置于该二子像素区中且分别置于该二滤光层上，其中每一所述像素电极包含：一第一主干电极；二屏蔽电极，分别置于该第一主干电极与所述遮光线之间，且所述屏蔽电极分别置于该对数据线上方；多条第一分支电极，分别置于该第一主干电极与所述屏蔽电极之间，两相邻的所述第一分支电极形成一第一狭缝；以及多条第二分支电极，分别置于所述屏蔽电极与所述遮光线之间，两相邻的所述第二分支电极形成一第二狭缝，其中所述第一狭缝与所述第二狭缝皆互相分离。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包含：一基板，定义有相邻的二子像素区；至少二对数据线，分别置于该二子像素区，并分别延伸经过该二子像素区；多条遮光线，设置在该二子像素区的边界；一第一扫描线，设置于该基板，该第一扫描线与该二对数据线以及所述遮光线部分重叠；二滤光层，分别置于该二子像素区中且置于该二对数据线上；以及二像素电极，分别置于该二子像素区中且分别置于该二滤光层上，其中每一所述像素电极包含：一第一主干电极；二屏蔽电极，分别置于该第一主干电极与所述遮光线之间，且所述屏蔽电极分别置于该对数据线上方；多条第一分支电极，分别置于该第一主干电极与所述屏蔽电极之间，两相邻的所述第一分支电极形成一第一狭缝；以及多条第二分支电极，分别置于所述屏蔽电极与所述遮光线之间，两相邻的所述第二分支电极形成一第二狭缝，其中所述第一狭缝与所述第二狭缝皆互相分离。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，每一该屏蔽电极还具有多个第三狭缝，每一该第三狭缝与相邻的该第一狭缝及该第二狭缝相连通，且该第三狭缝的宽度小于该第一狭缝或该第二狭缝的宽度。3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该第三狭缝的延伸方向平行于该第一狭缝或该第二狭缝的延伸方向。4.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该第三狭缝的延伸方向与该第一狭缝或该第二狭缝的延伸方向相交。5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极的垂直投影与所述遮光线部分重叠。6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述屏蔽电极与所述数据线平行。7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，每一所述像素电极还包含：一外框电极，其中该第一主干电极、所述屏蔽电极、所述第一分支电极与所述第二分支电极皆置于该外框电极内，且每一所述屏蔽电极的相对两端部分别与该外框电极的相对两侧相接。8.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，每一所述像素电极还包含：一第二主干电极，与该第一主干电极交错，以形成四个配向区，于同一该配向区中的所述第一分支电极与所述第二分支电极朝同一方向延伸。9.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一狭缝与所述第二狭缝具有相同宽度。10.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，每一所述数据线具有一第一宽度，且每一所述屏蔽电极具有一第二宽度，该第一宽度大于该第二宽度。11.根据权利要求10所述的像素结构，其特征在于，该第二宽度为该第一宽度的一半。12.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，每一所述数据线具有一第一宽度，且每一所述屏蔽电极具有一第二宽度，该第一宽度小于该第二宽度。13.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包含：一介电层，置于该基板与所述滤光层之间，所述数据线置于该介电层与所述滤光层之间；其中每一所述遮光线包含：一第一线段，置于该基板与该介电层之间，其中该第一线段与该第一扫描线互相分离。14.根据权利要求13所述的像素结构，其特征在于，每一所述遮光线还包含：一第二线段，置于该介电层与所述滤光层之间，其中该第二线段与所述数据线互相分离，且该第二线段的垂直投影与该第一线段部分重叠。15.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述遮光线的材质为金属。16.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，对应该二子像素区的所述滤光层为不同颜色。17.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述子像素区分为至少一第一主像素区与至少一第一次像素区，该第一主像素区与该第一次像素区沿所述数据线延伸方向交替排列，每对所述数据线皆包含一第一数据线与一第二数据线，且该第一扫描线的数量为多个，该像素结构还包含：一第一晶体管，电性连接一个该第一扫描线、该第一数据线与该第一主像素区的该像素电极；以及一第二晶体管，电性连接另一个该第一扫描线、该第二数据线与该第一次像素区的该像素电极。18.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包含：一第二扫描线，与该第一扫描线交替排列；一第三晶体管，与该第二扫描线电性连接；以及一电容，置于一个所述子像素区中，且与该第三晶体管电性连接。19.一种像素结构，其特征在于，包含：一基板；多条第一扫描线，置于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄伟伦，廖达文，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71