【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种光刻版设计方法及光刻工艺中不同 光刻机的匹配方法。
技术介绍
光刻技术是在一片平整的娃片上构建晶体管和电路的基础，该其中包含有很多步 骤与流程。例如，首先要在娃片上涂上一层光刻胶，随后让强光通过一块刻有电路图案的掩 模板或称光刻版（MASK)照射在娃片上，W正性光刻胶为例，被照射的光刻胶会发生变质后 续可利用碱性显影液去除，而未照射到的部分则不会与碱性显影液反应而得W保留在娃片 上，W此作为刻蚀工艺的掩膜层。 在超大规模集成电路工艺生产线上，往往投入多台光刻机同时使用，既有相同型 号的多台光刻机同时运行的情况，但更多的是不同型号光刻机同时运行。该是因为随着不 同工艺平台的发展（例如从2ym生产平台逐步升级为1. 2ym、1. 0ym、0. 8ym、0. 5ym生 产平台），光刻机性能也不断地产生相应的升级，例如由G-线升级为I-线光刻机，为此必然 需要用到不同型号的光刻机。 对于NIKON光刻机，不同型号可加工的最大曝光视场大小不同，导致效率存在很 大差异，常用的曝光视场情况和效率如下表1所示：
【技术保护点】
一种光刻版设计方法，其特征在于：根据同一产品的图形层次以及空闲的不同类型光刻机的数量确定每一图形层次光刻工艺所使用的光刻机，其中，用于第一类光刻机的光刻版版图由整数倍的用于第二类光刻机的光刻版版图组成，所述第一类光刻机的曝光视场大于所述第二类光刻机的曝光视场。
【技术特征摘要】
1. 一种光刻版设计方法，其特征在于：根据同一产品的图形层次以及空闲的不同类型 光刻机的数量确定每一图形层次光刻工艺所使用的光刻机，其中，用于第一类光刻机的光 刻版版图由整数倍的用于第二类光刻机的光刻版版图组成，所述第一类光刻机的曝光视场 大于所述第二类光刻机的曝光视场。2. 根据权利要求1所述的光刻版设计方法，其特征在于：制作用于第二类光刻机的光 刻版版图后，按同样的划片道大小，将所述用于第二类光刻机的光刻版版图复制整数倍并 进行拼接，形成用于第一类光刻机的光刻版版图。3. 根据权利要求2所述的光刻版设计方法，其特征在于：所述用于第二类光刻机的光 刻版版图边缘区域的划片道宽度是其中间区域的划片道宽度的一半。4. 根据权利要求3所述的光刻版设计方法，其特征在于：所述用于第一类光刻机的光 刻版版图和用于第二类光刻机的光刻版版图均为正方形。5. 根据权利要求4所述的光刻版设计方法，其特征在于：所述用于第一类光刻机的光 刻版版图的面积是用于第二类光刻机的光刻版版图的面积的四倍或九倍。6. 根据权利要求5所述的光刻版设计方法，其特征在于：所述用于第一类光刻机的光 刻版版图的边长在17mm?22mm之间，所述用于第二类光刻机的光刻版版图的边长是所述 用于第一类光刻机的光刻版版图的边长的二分之一。7. 根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：李立文，赵学锋，俞马锋，宋金伟，李志栓，
申请(专利权)人：杭州士兰集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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