DRAM中一种减少电压端口的电路制造技术

本实用新型专利技术涉及DRAM中一种减少电压端口的电路，包括内部电压检测模块：用于在互补开关的触发下，将DRAM芯片的内部电压传输给电压端口进行检测；外部电压置入模块：用于通过电压端口、互补开关接收电压；互补开关以及电压端口；用于接收内部电压检测模块的输出的检测电压，或将外部电压通过互补开关送入外部电压置入模块。解决了现有DRAM中做外部置入的电压端口多，给前端测试卡的设计带来难度的技术问题，本实用新型专利技术通过分时复用的办法，实现了一个电压端口既能实现内部电压检测，又能实现外部电压置入的功能，大大减少了DRAM芯片中电压端口的数目，降低了测试卡的设计复杂度。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及DRAM中一种减少电压端口的电路，包括内部电压检测模块：用于在互补开关的触发下，将DRAM芯片的内部电压传输给电压端口进行检测；外部电压置入模块：用于通过电压端口、互补开关接收电压；互补开关以及电压端口；用于接收内部电压检测模块的输出的检测电压，或将外部电压通过互补开关送入外部电压置入模块。解决了现有DRAM中做外部置入的电压端口多，给前端测试卡的设计带来难度的技术问题，本技术通过分时复用的办法，实现了一个电压端口既能实现内部电压检测，又能实现外部电压置入的功能，大大减少了DRAM芯片中电压端口的数目，降低了测试卡的设计复杂度。【专利说明】DRAM中一种减少电压端口的电路
本技术涉及DRAM中一种减少电压端口的电路。
技术介绍
当前的DRAM设计中，电压端口分为两类；一类是用来检测内部电压值的，如图1所示，即把所有内部电压通过不同的代码控制的传输门传送至电压端口，进行检测；另外一类是用来做外部置入的，如图2所示，直接将每个电压端口通过物理连接到各个电压的网络上。因为是物理的金属层连接，所以做外部置入的电压端口不能共用，需要的电压端口很多。通常来看，VPP，VNWL, VBB, VBBSA, VISO, VINT，VBLH, VOD, VPL, VBLEQ 等至少 10 个以上电压端口。太多的电压端口给前端测试卡的设计带来难度，同时也影响到了前端芯片的同测率。
技术实现思路
为了解决现有DRAM中做外部置入的电压端口多，给前端测试卡的设计带来难度的技术问题，本技术提供一种DRAM中一种减少电压端口的电路。 本技术技术解决方案: DRAM中一种减少电压端口的电路，其特殊之处在于: 包括内部电压检测模块:用于在互补开关的触发下，将DRAM芯片的内部电压传输给电压端口进行检测； 外部电压置入模块:用于通过电压端口、互补开关接收电压； 互补开关:用于将内部电压检测模块或外部电压置入模块与电压端口连通；电压端口 ；用于接收内部电压检测模块的输出的检测电压，或将外部电压通过互补开关送入外部电压置入模块。 上述外部电压置入模块包括逻辑控制电路以及内部电压网络选通模块，所述逻辑控制电路的输入端接逻辑信号，所述逻辑控制电路输出选通信号，所述内部电压网络选通模块一端与内部电压网络连通，另外一端与互补开关的源端连接，所述选通信号控制内部电压网络选通模块的连通。 上述互补开关接收一组互补使能信号tmvmon和tmvmon_n。 DRAM中一种减少电压端口的方法，包括以下步骤: I)互补开关接收一组互补使能信号tmvmon和tmvmon_n,根据使能信号的高低进行选择电压端口与内部电压检测模块或外部电压置入模块连通: 当使能信号tmvmon为高时，电压端口与内部电压检测模块连通，内部电压检测模块开始工作，选择需要检测的电压，传输至电压端口进行测量； 当使能信号tmvmon为低时，电压端口与外部电压置入模块连通，执行步骤2)； 2)外部电压置入模块工作: 逻辑控制电路根据外部输入的逻辑信号(A0，Al)生成对应的选通信号，并根据选通信号的高低，选择将外部置入的电压送入内部电压网络的其中一路，对内部电压网络进行赋值。 本技术所具有的有益效果: 1、本技术通过分时复用的办法，实现了一个电压端口既能实现内部电压检测，又能实现外部电压置入的功能，而且可以实现同一个电压端口外部置入多个电压的功能，大大减少了 DRAM芯片中电压端口的数目，降低了测试卡的设计复杂度。 2、本技术通过一个电压端口，来实现检测内部电压和外部电压置入的功能。设计简单，大大减少了 DRAM芯片中电压端口的个数，提高了前端测试的同测率。 【专利附图】【附图说明】 图1为现有的用来检测内部电压值的电路示意图； 图2为现有的用来置入外部电压的电路示意图； 图3为本技术的结构示意图； 【具体实施方式】 如图1所示，DRAM中一种减少电压端口的电路，包括内部电压检测模块:用于在互补开关的触发下，将DRAM芯片的内部电压传输给电压端口进行检测；外部电压置入模块:用于通过电压端口、互补开关接收外部电压为测试设备所提供的电压；此处外部电压为互补开关:用于将内部电压检测模块或外部电压置入模块与电压端口连通；电压端口；用于接收内部电压检测模块的输出的检测电压，或将外部电压通过互补开关送入外部置入模块。 外部电压置入模块包括逻辑控制电路以及内部电压网络选通电路，所述逻辑控制电路的输入端接逻辑信号，内部电压网络选通电路一端与内部电压网络连接，另一端与互补开关的源端连接，选通信号与逻辑控制电路的输出端连接，根据选通信号的高低，控制内部电压网络选通电路与内部电压网络其中一路连通vpl, vbleq, vblh, vint等等代表着DRAM芯片内部的电压网络，tmvmon和tmvmon_n为一组互补信号，表示着电压检测使能。当tmvmon为高时，内部电压检测模块开始工作，通过选择不同的开关通路选择检测其中某个电压，将其通过互补开关送至电压端口进行测量。当tmvmon为低时，外部电压置入模块开始工作，根据输入逻辑信号(A0，Al)，首先经过逻辑控制电路生成对应的选通信号selO，sell, sel2, sel3信号，根据选通信号的高低，决定将测试设备提供的外部电压送入内部电压网络中其中一路。 通过分时复用的办法，实现了一个电压端口既能实现内部电压检测，又能实现外部电压置入的功能，而且可以实现同一个电压端口外部置入多个电压的功能，大大减少了DRAM芯片中电压端口的数目，降低了测试卡的设计复杂度。【权利要求】1.DRAM中一种减少电压端口的电路，其特征在于: 包括内部电压检测模块:用于在互补开关的触发下，将DRAM芯片的内部电压传输给电压端口进行检测； 外部电压置入模块:用于通过电压端口、互补开关接收电压； 互补开关:用于将内部电压检测模块或外部电压置入模块与电压端口连通； 以及一个电压端口 ；用于接收内部电压检测模块的输出的检测电压，或将外部电压通过互补开关送入外部电压置入模块。2.根据权利要求1所述的DRAM中一种减少电压端口的电路，其特征在于:所述外部电压置入模块包括逻辑控制电路以及内部电压网络选通模块，所述逻辑控制电路的输入端接逻辑信号，所述逻辑控制电路输出选通信号，所述内部电压网络选通模块一端与内部电压网络连通，另外一端与互补开关的源端连接，所述选通信号控制内部电压网络选通模块的连通。3.根据权利要求1或2所述的DRAM中一种减少电压端口的电路，其特征在于: 所述互补开关接收一组互补使能信号tmvmon和tmvmon_n。【文档编号】G11C11/4063GK204166904SQ201420575678【公开日】2015年2月18日 申请日期:2014年9月30日 优先权日:2014年9月30日 【专利技术者】贾雪绒 申请人:山东华芯半导体有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
DRAM中一种减少电压端口的电路，其特征在于：包括内部电压检测模块：用于在互补开关的触发下，将DRAM芯片的内部电压传输给电压端口进行检测；外部电压置入模块：用于通过电压端口、互补开关接收电压；互补开关：用于将内部电压检测模块或外部电压置入模块与电压端口连通；以及一个电压端口；用于接收内部电压检测模块的输出的检测电压，或将外部电压通过互补开关送入外部电压置入模块。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：贾雪绒，
申请(专利权)人：山东华芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37