静电检测结构制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种静电检测结构。所述静电检测结构包括基底、形成于所述基底上的第一金属块以及形成于所述基底上并位于所述第一金属块一侧的多个间隔分布的第二金属块，所述第一金属块与多个第二金属块距离基底的高度相同；所述多个第二金属块与第一金属块之间的间距不等；所述第一金属块通过互连线与基底电性相通。本实用新型专利技术利用电容击穿原理，缩短了检测时间，并且能够避免外界因素的干扰，可靠性强。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术揭示了一种静电检测结构。所述静电检测结构包括基底、形成于所述基底上的第一金属块以及形成于所述基底上并位于所述第一金属块一侧的多个间隔分布的第二金属块，所述第一金属块与多个第二金属块距离基底的高度相同；所述多个第二金属块与第一金属块之间的间距不等；所述第一金属块通过互连线与基底电性相通。本技术利用电容击穿原理，缩短了检测时间，并且能够避免外界因素的干扰，可靠性强。【专利说明】静电检测结构
本技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种静电检测结构。
技术介绍
在晶圆制造(wafer process)的某些制程中，涉及使用纯净水(DI water)对晶圆进行清洗。然而水流与旋转的晶圆表面会因摩擦而产生静电效应，这可能会使得晶圆上产生缺陷(defect)。因此，对于机台或者程序(recipe)中所产生的静电量的管控是晶圆制造过程中的一个重要考量指标。 目前，一种常用的静电测量方法是通过型号为Quantox的机台通过电荷中和的方式测量清洗完成后晶圆带电量。但是，这种方法存在以下缺陷:1、需要较长的测量时间，通常测量一片晶圆需要花费40min，这在大批量生产中，无法满足成批检测的需求，因而得到的测试结果不具有普遍性。2、对于产品的相邻工序之间的时间间隔(Q-time)要求严格，经清洗后出机台的晶圆必须马上送去测量，否则晶圆所带静电会被环境中电荷中和影响量测结果。 实际生长中发现，在多数情况下，工艺中并不需要清楚的知道晶圆所带电量的确切数值，而是需要比较各种环境条件下晶圆所带电量的相对高低，因此，如何采用一种更加直观又便捷的方式来体现，是业内所急需的。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种静电检测结构，以缩短静电检测时间，并能够便捷的比较出不同情况下晶圆所带电荷量的高低。 为解决上述技术问题，本技术提供一种静电检测结构，用于检测晶圆表面电荷，包括: 基底、形成于所述基底上的第一金属块以及形成于所述基底上并位于所述第一金属块一侧的多个间隔分布的第二金属块，所述第一金属块与多个第二金属块距离基底的高度相同；所述多个第二金属块与第一金属块之间的间距不等；所述第一金属块通过互连线与基底电性相通。 可选的，对于所述的静电检测结构，所述第二金属块为矩形，长度为1，宽度为W，且w>21。 可选的，对于所述的静电检测结构，所述第一金属块和第二金属块的厚度h相同。 可选的，对于所述的静电检测结构，所述多个第二金属块到第一金属块之间的距离呈等差分布，最小的距离为d0, d0〈sqr (hX I)。 可选的，对于所述的静电检测结构，所述静电检测结构还包括置于第二金属块一侧的标尺。 可选的，对于所述的静电检测结构，所述基底、第一金属块、多个第二金属块及互连线之间填充有介电层。 与现有技术相比，本技术提供的静电检测结构，在基底上形成了相间隔的第一金属块和多个第二金属块，第一金属块与基底接通，从而构成了多个一端接地的电容器，则根据不同间距，电容器具有不同的击穿电压，就能够直观的展现出所带电荷量的多少。 相比现有技术，本技术的静电检测结构具有如下优点: 1、利用本技术的静电检测结构，由于在基底上形成有第一金属块和第二金属块，从而形成电容。在进行清洗时，第一金属块通过互连线与基底电性相通，所以产生的电荷被导出，而第二金属块中的电荷依然存在，使得第一金属块和第二金属块之间产生电势差，这会造成电容的击穿。这一过程在清洗时可直接完成，降低了所耗时间，便捷快速； 2、利用本技术的静电检测结构获得的测量结果直观且有效，由于采用了多个第二金属块，所述多个第二金属块与第一金属块之间的间距不等，因此相当于是多个不同规格的电容，依据被击穿的电容的最大间距，能够直接的比较出在不同情况下晶圆所带电荷量的高低，并且有效的防止了外界环境对晶圆电荷的中和，可信度高； 3、利用本技术的静电检测结构，可以进一步根据电容公式，以及第一金属块和第二金属块直接的间距和介电层的介电常数，来得到具体的电荷量数值。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术一实施例中静电检测结构的结构剖视示意图； 图2为本技术一实施例中静电检测结构的结构俯视示意图； 图3为利用本技术的静电检测结构的进行检测时的击穿示意图。 【具体实施方式】 下面将结合示意图对本技术的静电检测结构进行更详细的描述，其中表示了本技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本技术，而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本技术的限制。 为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。 在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本技术。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。 本技术的核心思想在于，提供一种静电检测结构，该检测结构采用了电容器的形式，由于电荷的存在，会使得电容器发生击穿现在，则根据具体击穿的情况，就能够有效的表征出电荷量的高低。 基于上述思想，请参考图1和图2，本技术提供的静电检测结构包括: 基底1、形成于所述基底I上的第一金属块4以及形成于所述基底I上并位于所述第一金属块4 一侧的多个间隔分布的第二金属块5 (图1示出了一个)，所述第一金属块4与多个第二金属块5距离基底I的高度相同，所述多个第二金属块5与第一金属块4之间的间距不等(请参见图2)，所述第一金属块4通过互连线3与基底I电性相通。 其中，所述第一金属块4与多个第二金属块5的厚度h相同，所述厚度h例如是10?ΙΟΟΟμπι，对于这一厚度，本技术中并不做硬性要求，还可以根据实际需要进行适当的调整和选择。 在本实施例中，所述基底I可以为P型或N型衬底，其材质可以是硅、锗或者锗硅化合物、有机化合物半导体材料中的一种，所述基底I上还可以形成有器件层等必要的膜层。 可以先在基底I上沉积第一介电层，例如可以是常见的氧化硅、氮化硅，也可以是其他材质。然后通过光刻刻蚀工艺，对第一介电层进行开口，形成多个通孔。接着，在通孔中沉积并充满导电材料，形成互连线3，并进行平坦化工艺，去除位于第一介电层上的导电材料。之后在第一介电层上形成一层金属层，较佳的，所述金属层的材料为招。通过光刻刻蚀工艺，获得第一金属块4和多个第二金属块5，使得第一金属块4与互连线电性相通，以便能够传递电荷。再进行第二介电层的填充，所述第二介电层优选为与第一介电层的材料相同，覆盖所述第一金属块4和第二金属块5,从而第一介电层和第二介电层共同构成如图所不的介电层2。在其他实施例中,第一金属块4和第二金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电检测结构，用于检测晶圆表面电荷，其特征在于，包括：基底、形成于所述基底上的第一金属块以及形成于所述基底上并位于所述第一金属块一侧的多个间隔分布的第二金属块，所述第一金属块与多个第二金属块距离基底的高度相同；所述多个第二金属块与第一金属块之间的间距不等；所述第一金属块通过互连线与基底电性相通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶逸舟，朱晓峥，杨晓松，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11